最近幾年來，我國多晶硅技術裝備取得了較大的突破，但多晶硅關鍵生產技術裝備長期以來仍然掌握在美、日、德等國家的代表性企業(yè)手中，技術封鎖和市場壟斷狀況沒有從根本上改變，我國多晶硅行業(yè)技術裝備水平仍亟待提升。

　　近年來我國多晶硅行業(yè)技術裝備取得的進步主要有以下幾個方面：

　　其一是改良西門子法多晶硅工藝設備實現了自主設計制造。目前，我國自主設計制造的SiHCl3合成爐單臺設備年產量達5000噸；可自主設計制造高效大型SiHCl3精餾塔；自主設計制造工作壓力0.6MPa12對棒、24對棒還原爐及其相應的電氣系統(tǒng)；自主設計制造24對加熱器的SiC14熱氫化爐，并已實現在生產中的應用；此外，我國獨立自主開發(fā)的SiHCl3氫還原尾氣變壓吸附回收系統(tǒng)也已在生產中試用。

　　其二是工藝裝置除采用高效精餾塔精餾提純外，引進了濕氮除硼技術設備，提純工藝不再是單純的精餾工藝。過去在提純工藝中著重于除硼化物、磷化物和金屬化合物，而今還對除碳化物（如二甲基氯硅烷）普遍采用了加壓精餾工藝,以提高產量和節(jié)約能耗。還原沉積之硅棒直徑每小時增長量由過去的0.35～0.5毫米增加到現在的1～2毫米。12對棒還原爐爐產量大約2000千克/爐，個別爐次甚至達3400千克/爐，24對棒還原爐爐產量個別爐次超過4000千克/爐，使我國西門子法裝置系統(tǒng)綜合電耗不斷下降，2005年平均電耗300～400千瓦時/千克硅，降低到目前200千瓦時/千克硅，部分骨干企業(yè)能耗指標已接近國際先進水平160～180千瓦時/千克硅。目前還原電耗已降低到60千瓦時/千克硅。

　　其三是對引進的SIC14熱氫化技術和設備作了進一步的改造，調整了工藝參數和改進設備。目前，熱氫化單臺爐SiC14的處理能力為750千克/小時，SiCl4的一次轉化率≥20％，電耗指標55.23千瓦時/千克硅，系統(tǒng)連續(xù)穩(wěn)定運行。在低溫氫化方面，單臺氫化爐的SiC14處理能力超過5000千瓦時/千克，SiC14的一次轉化率≥20％，電耗指標≤10千瓦時/千克硅，系統(tǒng)連續(xù)穩(wěn)定運行。同時，國內幾家大的多晶硅廠普遍采用了還原尾氣干法回收系統(tǒng)。SiC14、HCl的回收率在95％以上，有的企業(yè)還將改良西門子法多晶硅生產中的副產物作原料生產白炭黑，低沸物SiHCl3則用來生產有機硅單體。

　　然而，記者了解到，在我國現有的40多家主要的多晶硅生產企業(yè)中，大部分技術裝備以引進俄羅斯、德國、美國、日本等國的改良西門子法為主。內蒙古鄂爾多斯硅業(yè)公司總經理王鵬向記者指出，我國目前還缺乏自主的先進工藝技術和生產裝備，生產多晶硅片用的鑄錠爐、線鋸等關鍵設備和關鍵配套件仍主要依賴進口。因此，發(fā)展我國自主知識產權的新型多晶硅制備技術裝備，加快硅片加工相關工藝技術和生產設備的研究開發(fā)，打破國外制約，有效降低光伏系統(tǒng)設備和發(fā)電成本，增強中國多晶硅產業(yè)在世界市場上的話語權已是迫在眉睫。