9 月 11 日消息，據(jù)國家電力投資集團(tuán)有限公司(以下簡稱“國家電投”)9 月 10 日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司(以下簡稱“核力創(chuàng)芯”)暨國家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。
國家電投表示，這標(biāo)志著我國已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補(bǔ)全了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。
據(jù)國家電投介紹，氫離子注入是半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等多種類型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用，該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴(yán)重制約了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是 600V 以上高壓功率芯片長期依賴進(jìn)口。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破，打破了國外壟斷。
核力創(chuàng)芯在不到三年的時(shí)間里，突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)了 100% 自主技術(shù)和 100% 裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個(gè)核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計(jì)近萬小時(shí)的工藝及可靠性測試驗(yàn)證，主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，獲得用戶高度評價(jià)。
查詢獲悉，國電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日，注冊地位于江蘇省無錫市，注冊資本 7022.63 萬元。
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