紅旗碳化硅功率芯片完成首次流片

時間：2024-10-24

來源：電子技術應用

導語：10 月 23 日消息，一汽紅旗昨日宣布，由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設計的碳化硅功率芯片完成首次流片。

　　10 月 23 日消息，一汽紅旗昨日宣布，由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設計的碳化硅功率芯片完成首次流片。

　　該款碳化硅功率芯片從產品核心指標定義、襯底與外延材料選擇、元胞結構設計、動靜態(tài)性能仿真、工藝仿真、版圖設計、晶圓流片到晶圓封測，實現(xiàn)全鏈條主導開發(fā)。

　　官方表示，該款芯片聚焦整車電驅動、智慧補能、車載電源、高壓配電、電動化底盤等系統(tǒng)應用需求，創(chuàng)新采用低導通電阻元胞結構、高元胞密度版圖、高可靠性終端結構及片上柵極電阻集成技術，實現(xiàn)擊穿電壓超過 1200V，導通電阻小于 15mΩ，力求在效率、可靠性、集成化及標準化方面實現(xiàn)均衡設計。


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