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全國(guó)人大代表、湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)主任謝超英表示，IGBT應(yīng)用需求巨大，目前，我國(guó)IGBT消費(fèi)市場(chǎng)規(guī)模約80億元，到2020年可能達(dá)到300億元的規(guī)模。

目前，我國(guó)IGBT技術(shù)取得了一定突破，應(yīng)用需求巨大。IGBT芯片技術(shù)方面，中國(guó)南車建成全球第二條、國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，去年成功實(shí)現(xiàn)首批8英寸1700VIGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測(cè)試，6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術(shù)方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由國(guó)外公司提供，國(guó)產(chǎn)IGBT芯片年產(chǎn)值不到1億元。但我國(guó)卻是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，市場(chǎng)潛力巨大。

在謝超英看來，我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展制約因素較多，亟待突破。一是沒有形成創(chuàng)新體系，二是缺乏完整的生產(chǎn)線，三是配套產(chǎn)業(yè)薄弱，關(guān)鍵材料的國(guó)產(chǎn)化已成為我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一大制約因素。

出臺(tái)扶持政策加快產(chǎn)業(yè)化

IGBT作為電能變換的關(guān)鍵部件，是現(xiàn)代科學(xué)、工業(yè)和國(guó)防的重要核心技術(shù)。為盡快改變我國(guó)功率半導(dǎo)體芯片基本依賴進(jìn)口的局面，謝超英建議國(guó)家出臺(tái)扶持政策，依托國(guó)內(nèi)優(yōu)勢(shì)企業(yè)，通過示范和引導(dǎo)，大力推進(jìn)我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)。

一是設(shè)立國(guó)家重大科技專項(xiàng)支持IGBT技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。建議設(shè)置功率半導(dǎo)體重大專項(xiàng)，支持IGBT等功率器件技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)拓展。探索IGBT研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的“后補(bǔ)助”政策，通過“事前申報(bào)、事后認(rèn)定”的方式給予IGBT科技創(chuàng)新主體經(jīng)費(fèi)補(bǔ)助，推進(jìn)IGBT技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，加速科技成果產(chǎn)業(yè)化。

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