北京晶川電子邀請您參加 2013英飛凌IGBT功率技術(shù)全國研討會

導(dǎo)語:英飛凌科技公司謹定于2013年8月--10月分別在北京,深圳,成都,西安, 上海以及南京6 大城市舉行召開英飛凌IGBT全國巡回研討會?,F(xiàn)在開始報名!10月15日上海站 10月17日南京站。 地址:北京市方莊南三環(huán)東路23號院1號樓西段601、602室 電話:010-67695050 傳真:010-67695151 網(wǎng)址:http://www.IGBT.cn

2013英飛凌IGBT功率技術(shù)全國研討會

北京晶川電子公司專業(yè)代理電力電子元器件十多年,授權(quán)代理的產(chǎn)品有:德國英飛凌(Infineon)IGBT,功率MOSFET快恢復(fù)二極管等分離器件;德國Infineon IGBT模塊以及圓盤式和模塊化晶閘管,二極管;德國愛普科斯(EPCOS)螺栓型和牛角式電解電容、IGBT吸收電容、電力電容;瑞士Concept IGBT驅(qū)動板。Infineon、EPCOS均源于原西門子電子零件。從2002年以來,我公司一直是中國最大的IGBT模塊(Infineon商標)供應(yīng)商。在上海、深圳、成都、青島、西安、武漢設(shè)有辦事處。

自英飛凌IGBT 進入中國以來,其以高效的性能、可靠的品質(zhì)、多樣的解決方案,贏得到眾多客戶的青睞, 為工程師的創(chuàng)造力錦上添花!借此, 英飛凌科技公司謹定于2013 年8 月--10 月分別在北京, 深圳, 成都, 西安, 上海以及南京6 大城市舉行召開英飛凌IGBT 全國巡回研討會, 屆時我們的專家團隊將與您面對面交流, 為您詳細介紹英飛凌功率器件新技術(shù)及IGBT 新產(chǎn)品, 幫助您輕松實現(xiàn)創(chuàng)造性設(shè)計應(yīng)用!此外, 現(xiàn)場還有產(chǎn)品展示, 專題小組討論環(huán)節(jié). 凡參會嘉賓, 會獲得精美的禮品一份。

我們真誠地期待您的參與!

會議議題:

1. IGBT 器件技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展

隨著芯片的損耗降低和功率密度提高,功率器件給系統(tǒng)設(shè)計者更多的創(chuàng)新機會,也帶來設(shè)計上的挑戰(zhàn)。

討論:

● 芯片技術(shù)和特性,包括高速芯片,大功率芯片等及其應(yīng)用。

● Best-in –Class 產(chǎn)品

● 針對應(yīng)用開發(fā)的模塊

● 模塊應(yīng)用工藝的改進,PressFIT 和 TIM

● 驅(qū)動器技術(shù)

2. IGBT 應(yīng)用技術(shù)和技術(shù)資源

提出一位功率電路設(shè)計工程師團隊需要掌握的基礎(chǔ)知識和器件技術(shù)和應(yīng)用技術(shù). 通過

例子介紹英飛凌的技術(shù)資源的獲得和應(yīng)用。

3. TRENCHSTOP™5 IGBT and Rapid 二極管 – 特性和設(shè)計考慮

TRENCHSTOP™5 系列產(chǎn)品實現(xiàn)了IGBT 在硬開關(guān)拓撲中系統(tǒng)高效率以及極佳的溫升特性,

同時650V 的擊穿耐壓提高高速器件承受關(guān)斷電壓應(yīng)力的能力, 滿足光伏逆變器設(shè)計的基本要求。

為了發(fā)揮TRENCHSTOP™5的在逆變器中的開關(guān)性能, 英飛凌開發(fā)了新一代650V Rapid系列快恢復(fù)二極管。針對不同的開關(guān)頻率以及使用要求,我們提供了Vf優(yōu)化的Rapid1以及反向恢復(fù)特性優(yōu)化的Rapid2。

在實際的應(yīng)用中,什么樣的參數(shù)設(shè)計和電路布局才能讓我們真正發(fā)揮器件的最佳性能呢? 這是本單元主要要討論的內(nèi)容。

4. 新產(chǎn)品--- 用于級聯(lián)H-橋模塊及其解決方案

從一個針對應(yīng)用開發(fā)的產(chǎn)品為例, 從器件和系統(tǒng)角度講解如何實現(xiàn)低寄生電感, 降低芯片關(guān)斷應(yīng)力和改善熱特性. 從這個例子可以體會從器件(芯片)到系統(tǒng)的設(shè)計考慮.

5. 光伏逆變器的解決方案

光伏逆變器是個非常典型的應(yīng)用, 它對效率和壽命的追求, 推動了功率器件技術(shù)的發(fā)展。其成熟的技術(shù)也在跨領(lǐng)域,跨功率等級向外滲透。如三電平技術(shù)在大功率變流器中應(yīng)用帶動T型三電平模塊并聯(lián)技術(shù)的發(fā)展;高速,軟特性芯片在一些電路結(jié)構(gòu)更有生命力。

6. IGBT 開關(guān)過程中振蕩現(xiàn)象的分析

通過對 1700V, 3300V驅(qū)動和功率電路的優(yōu)化,以及改變測試條件來進一步分析和理解IGBT開關(guān)過程中振蕩產(chǎn)生的原因和可能性。從IGBT器件特性和應(yīng)用角度,結(jié)合一些波形,去討論如何盡可能降低這種不必要的振蕩問題。

7. IGBT 驅(qū)動技術(shù)

圍繞EiceDriver™采用的驅(qū)動技術(shù), 如無磁芯變壓器技術(shù),絕緣體上硅技術(shù) , 討論在設(shè)計IGBT驅(qū)動電路時應(yīng)該注意的要點,以及實現(xiàn)方式。

8. IGBT的壽命和可靠性

在當今的一些應(yīng)用中對系統(tǒng)的期望合格壽期20年以上,如機車牽引,風力發(fā)電和光伏等,而其中某些應(yīng)用的負載特性制約了IGBT 期望壽命。演講以電動汽車為例討論如何選擇器件及評估IGBT可靠性,如何設(shè)計以滿足壽命要求等。

9. 光伏組串型逆變器的解決方案 (僅上海和深圳)

由復(fù)旦大學(xué)孫耀杰團隊介紹采用英飛凌NPC2的模塊的12-25kW 光伏組串型逆變器的解決方案。

專題小組討論:

● IGBT 并聯(lián)技術(shù)

● IGBT 驅(qū)動技術(shù)

● 電能傳輸和電能質(zhì)量的解決方案

● 器件的壽命和可靠性

● 如何提高逆變器的功率器件使用的性價比

此外, 英飛凌于2012年成功地在上海, 深圳,南京,北京以及西安五大城市舉辦了IGBT功率技術(shù)研討會。共計600多名嘉賓報名參會, 現(xiàn)場參會嘉賓與英飛凌專家互動頻繁,氣氛活躍。

會議情況:

2013英飛凌IGBT功率技術(shù)全國研討會

會議互動:

2013英飛凌IGBT功率技術(shù)全國研討會

產(chǎn)品演示

產(chǎn)品演示

 

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