曝臺(tái)積電明年量產(chǎn)2nm工藝

時(shí)間：2024-05-29

來(lái)源：快科技

導(dǎo)語(yǔ)：5月29日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將在明年量產(chǎn)2nm工藝，蘋(píng)果將率先使用這項(xiàng)先進(jìn)工藝。

　　5月29日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將在明年量產(chǎn)2nm工藝，蘋(píng)果將率先使用這項(xiàng)先進(jìn)工藝。

　　據(jù)爆料，臺(tái)積電2nm首次應(yīng)用了GAA技術(shù)，GAA全稱(chēng)Gate-All-Around，中文名為全環(huán)繞柵極晶體管，其本質(zhì)上是一種新型的晶體管設(shè)計(jì)，可以在更小的制程下提供更好的性能。

　　在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。

　　這可以幫助減少量子隧道效應(yīng)，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。

　　臺(tái)積電方面透露，目前GAA的試產(chǎn)良率已經(jīng)達(dá)到了目標(biāo)的90%，這意味著臺(tái)積電2nm已經(jīng)取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。

　　另一方面，蘋(píng)果高管Jeff Williams秘密到訪臺(tái)積電，傳聞也是為2nm工藝而來(lái)。

　　如果一切進(jìn)展順利的話，iPhone 17 Pro系列將會(huì)率先搭載2nm芯片。


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