英特爾中國(guó)區(qū)總裁王瑞在近期的一次活動(dòng)中透露了英特爾各項(xiàng)制程的最新進(jìn)展，王銳透露，Intel 7已經(jīng)批量生產(chǎn)，Intel 4今年下半年將會(huì)入場(chǎng)，Intel 3的進(jìn)度也如預(yù)期良好，而最先進(jìn)Intel20A(2納米級(jí))、Intel 18A(1.8納米級(jí))流片也已經(jīng)出來。

　　這些工藝將用于制造公司自己的產(chǎn)品，以及為其英特爾代工服務(wù)(IFS)部門的客戶生產(chǎn)的芯片。王瑞表示，但這并不意味著生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)已準(zhǔn)備好用于商業(yè)制造，而是英特爾已經(jīng)確定了這兩種技術(shù)的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標(biāo)。

　　官方資料顯示，英特爾的20A制造工藝將依賴于全門控環(huán)繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。同時(shí)縮小金屬間距、引入全新的晶體管結(jié)構(gòu)和背面供電是一項(xiàng)高風(fēng)險(xiǎn)的舉措，但預(yù)計(jì)20A將使英特爾超越臺(tái)積電和三星兩位強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　英特爾計(jì)劃在2024年上半年開始使用這個(gè)節(jié)點(diǎn)。按照目前行業(yè)各大企業(yè)進(jìn)度看，英特爾的20A將是業(yè)界首個(gè)2nm級(jí)節(jié)點(diǎn)，在2024年，它將與臺(tái)積電專為提高晶體管密度和性能而設(shè)計(jì)的第三代3納米級(jí)(N3S、N3P)工藝技術(shù)展開競(jìng)爭(zhēng)。

　　英特爾的18A制造工藝將進(jìn)一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技術(shù)，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點(diǎn)的開發(fā)進(jìn)展順利，以至于英特爾將其推出時(shí)間從2025年提前到2024年下半年。英特爾最初計(jì)劃在其1.8埃節(jié)點(diǎn)上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數(shù)值孔徑(NA)光學(xué)為0.55，但由于決定盡早使用該技術(shù)，它將不得不廣泛使用現(xiàn)有的Twinscan NXE掃描儀，光學(xué)NA為0.33，以及EUV雙重圖案。

　　該公司預(yù)計(jì)，當(dāng)其1.8納米級(jí)制造技術(shù)在2024年下半年進(jìn)入高產(chǎn)量制造時(shí)，它將成為行業(yè)最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

　　英特爾的20A和18A制造工藝既為公司自身產(chǎn)品的生產(chǎn)開發(fā)，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶生產(chǎn)芯片。

　　在英特爾最新發(fā)布的2022年第四季度和全年財(cái)報(bào)中，英特爾營(yíng)收和凈利數(shù)據(jù)皆不理想，創(chuàng)下近年來虧損新低。對(duì)此，王銳也援引行業(yè)觀點(diǎn)——體量如英特爾的半導(dǎo)體公司，全面轉(zhuǎn)型通?？缍刃枰?到5年——以期產(chǎn)業(yè)用更長(zhǎng)遠(yuǎn)的眼光，來看待這家正在完成自我革新的老牌巨頭。

　　英特爾的首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會(huì)議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關(guān)系，并持續(xù)擴(kuò)大合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的增長(zhǎng)，目前已經(jīng)有43個(gè)潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴進(jìn)行測(cè)試芯片?！贝送?，我們?cè)贗ntel 18A方面仍在取得進(jìn)展，已經(jīng)與我們的主要客戶分享了PDK 0.5(工藝設(shè)計(jì)工具包)的工程版本，并預(yù)計(jì)在未來幾周內(nèi)發(fā)布最終生產(chǎn)版本?！?/p>