據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，TSMC的目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)其2納米(nm)半導(dǎo)體制造工藝。臺(tái)積電目前正準(zhǔn)備加大其3nm節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)，這被認(rèn)為是世界上最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)之一，而他們也表示將繼續(xù)通過(guò)下一代技術(shù)引領(lǐng)全球半導(dǎo)體行業(yè)。
臺(tái)積電還將在2024年收購(gòu)ASML的高NA EUV芯片制造機(jī)。這些細(xì)節(jié)是由臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)和技術(shù)的高級(jí)副總裁Y.J. Mii博士分享的，由聯(lián)合新聞(UDN)報(bào)道。芯片制造行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵制約因素，也往往成為決定一家公司是否能獲得對(duì)其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵因素。
涵蓋先進(jìn)的7納米和更小產(chǎn)品的制造技術(shù)需要使用極紫外光刻機(jī)(EUV)在小范圍內(nèi)打印數(shù)十億個(gè)微小電路，全球目前只有臺(tái)積電、三星和Intel公司在使用。然而，芯片制造技術(shù)的進(jìn)一步進(jìn)步，涉及到電路尺寸的進(jìn)一步縮小，將使芯片制造商難以繼續(xù)使用這些機(jī)器。
芯片制造的下一階段，制造商將轉(zhuǎn)向具有更大鏡頭的機(jī)器。這些被稱為高NA(數(shù)字孔徑)，臺(tái)積電將在2024年收到它們。由此看來(lái)，這些機(jī)器將被用來(lái)制造2納米制造工藝的芯片，因?yàn)檫@位高管還強(qiáng)調(diào)，這項(xiàng)技術(shù)將在2025年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。
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