10月13日，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移，這是最重要的半導(dǎo)體制造工藝。
隨著掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，日本佳能公司預(yù)計，NIL(Nano Imprint Lithography，NIL)納米壓印技術(shù)將有可能支持電路圖案化的最小線寬為10nm，相當(dāng)于2nm節(jié)點。據(jù)悉，佳能于2014年收購了MII公司，將其更名為Canon Nanotechnologies，從此正式進(jìn)入NIL市場。
納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography(NIL)，是一種新型的微納加工技術(shù)，最先由華裔科學(xué)家周郁(Stephen Chou)教授于1995年首次提出納米壓印概念。直到2003年，NIL作為一項微納加工技術(shù)，被納入國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)。該技術(shù)將設(shè)計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)轉(zhuǎn)移到涂有高分子材料的硅基板上。
佳能介紹稱，傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上，新產(chǎn)品則通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一點。由于其電路圖案轉(zhuǎn)移過程不經(jīng)過光學(xué)機構(gòu)，因此可以在晶圓上忠實地再現(xiàn)掩模上的精細(xì)電路圖案。
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