近日，英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，盡管美國(guó)的《通脹削減法》和《芯片與科學(xué)法》提供了超過(guò)4000億美元的稅收減免、貸款和補(bǔ)貼，以促進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)清潔能源技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，但是美國(guó)制造業(yè)復(fù)興計(jì)劃因投資者按下暫停鍵而推遲。

　　據(jù)悉，與上述法案相關(guān)的過(guò)億美元大項(xiàng)目共114個(gè)，總投資2279億美元，但其中總計(jì)投資約840億美元的項(xiàng)目進(jìn)度滯后兩個(gè)月至數(shù)年，甚至無(wú)限期停擺，其中不乏半導(dǎo)體項(xiàng)目。相關(guān)企業(yè)表示，市場(chǎng)狀況惡化、需求放緩，以及本土政策缺乏確定性，導(dǎo)致廠商改變了投資計(jì)劃。

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　　臺(tái)積電亞利桑那州工廠推遲投產(chǎn)

　　8月13日，臺(tái)積電公布多項(xiàng)董事會(huì)決議，包括核準(zhǔn)近300億美元資本預(yù)算。其中，臺(tái)積電核準(zhǔn)不超過(guò)75億美元額度，增資百分之百持股子公司TSMC Arizona，即臺(tái)積電亞利桑那子公司。

　　按照規(guī)劃，臺(tái)積電未來(lái)幾年將在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)3座工廠，總計(jì)投資達(dá)650億美元。不過(guò)，《紐約時(shí)報(bào)》最新消息顯示，臺(tái)積電宣布建廠以來(lái)四年時(shí)間過(guò)去，臺(tái)積電亞利桑那州工廠尚未生產(chǎn)出一顆芯片。業(yè)界分析，文化差異，勞動(dòng)力資源面臨與英特爾的競(jìng)爭(zhēng)，兩大因素使得臺(tái)積電亞利桑那州工廠面臨挑戰(zhàn)，并推遲投產(chǎn)。

　　2020年5月臺(tái)積電宣布在亞利桑那州建設(shè)晶圓廠時(shí)，計(jì)劃2021年開(kāi)始建設(shè)，目標(biāo)量產(chǎn)時(shí)間是2024年。第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布，原定計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

　　今年5月臺(tái)積電官網(wǎng)顯示，亞利桑那州首座晶圓廠延期至2025年上半年投產(chǎn)，第二座晶圓廠也將其延期至2028年量產(chǎn)。

　　至于第三座晶圓廠，臺(tái)積電尚未披露動(dòng)工的時(shí)間，官方表示計(jì)劃在本世紀(jì)30年代末開(kāi)始投產(chǎn)。

　　按照臺(tái)積電規(guī)劃，亞利桑那州第一座工廠將采用4nm制程技術(shù)，第二座工廠將采用2nm技術(shù)，第三座工廠則將采用2nm或更先進(jìn)制程工藝。

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　　英特爾俄亥俄州工廠延遲建設(shè)

　　美國(guó)本土半導(dǎo)體廠商英特爾計(jì)劃未來(lái)五年在美國(guó)投入1000億美元，在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州以及俄勒岡州投資新建芯片工廠以及擴(kuò)大現(xiàn)有產(chǎn)能，創(chuàng)造1萬(wàn)個(gè)制造業(yè)工作崗位和2萬(wàn)個(gè)建筑業(yè)崗位。

　　2月外媒報(bào)道，由于市場(chǎng)低迷以及美國(guó)補(bǔ)貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了俄亥俄州200億美元規(guī)模的芯片項(xiàng)目。英特爾將在俄亥俄州建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠，計(jì)劃2025年開(kāi)始芯片制造，經(jīng)過(guò)調(diào)整，英特爾俄亥俄州一號(hào)項(xiàng)目的Fab1和Fab2兩座工廠將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運(yùn)。

　　隨著芯片制程不斷向3nm、2nm邁進(jìn)，晶圓廠的投資金額也水漲船高，半導(dǎo)體廠商面臨資金緊張的壓力。這一背景下，英特爾不但推遲了美國(guó)俄亥俄州工廠建設(shè)，而且對(duì)歐洲的工廠做出了延期調(diào)整。

　　其中，英特爾在德國(guó)馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠原本計(jì)劃在2023年下半年開(kāi)工，但是由于歐盟補(bǔ)貼的推遲確認(rèn)、建廠地區(qū)需要移除黑土，英特爾已經(jīng)將開(kāi)工時(shí)間將推遲到2025年5月。此外，英特爾還暫停了對(duì)法國(guó)和意大利的投資計(jì)劃。

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　　三星泰勒晶圓廠延期

　　三星計(jì)劃在美國(guó)得克薩斯州建設(shè)包括兩座先進(jìn)邏輯代工廠和一座先進(jìn)封裝工廠在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，美國(guó)將提供至多64億美元補(bǔ)貼。

　　其中，三星位于美國(guó)得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠已于2022年動(dòng)工，原定于2024年投產(chǎn)，可提供4nm制程生產(chǎn)能力。不過(guò)，今年5月媒體報(bào)道三星已將該座晶圓廠的量產(chǎn)時(shí)間從2024年底推遲到了2026年，原因可能與晶圓代工市場(chǎng)增勢(shì)放緩以及美國(guó)補(bǔ)貼發(fā)放進(jìn)度緩慢有關(guān)。

　　另?yè)?jù)媒體報(bào)道，隨著晶圓廠延期建設(shè)，三星可能將上述工廠先進(jìn)制程技術(shù)從4nm升級(jí)至2nm，以便在先進(jìn)制程領(lǐng)域，與臺(tái)積電、英特爾、Rapidus等廠商進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。