半導(dǎo)體設(shè)備：世界較大市場，國內(nèi)替代加速

　　2020年~2022年國內(nèi)晶圓廠總投資約1500/1400/1200億元，其中國內(nèi)晶圓廠總投資約1000/1200/1100億元。2020~2022年國內(nèi)晶圓廠投資將是歷史上最高的三年，未來還有新項目的可能。

　　在生產(chǎn)效率和降低成本因素的推動下，全球8英寸生產(chǎn)放緩，12英寸晶圓廠生產(chǎn)如火如荼。2020年以來，國內(nèi)12英寸晶圓廠遍地開花。除中芯國際外，文泰、格科微、海芯等公司計劃建設(shè)12英寸晶圓廠、粵芯半導(dǎo)體、華虹無錫等12英寸生產(chǎn)線。

　　根據(jù)SEMI，2019年至2024年，世界上至少有38家12英寸晶圓廠，其中臺灣11家，中國大陸8家。到2024年，中國12英寸晶圓的生產(chǎn)能力將占世界的20%左右。大量晶圓廠的擴建和投產(chǎn)，將帶動對上游半導(dǎo)體設(shè)備的需求增加，有望為國產(chǎn)設(shè)備開辟發(fā)展空間。

　　2021年，中芯國際資本支出保持高位，達到45億美元(大部分用于擴大成熟過程，特別是8寸擴大4.預(yù)計2022年將達到50億美元，5萬片/月)。2021年華虹全年資本支出9000元.39億美元，其中8億美元.12英寸擴產(chǎn)39億美元，0.8英寸產(chǎn)能99億美元。

　　2022年，公司規(guī)劃資本支出超過15億美元，其中12寸產(chǎn)能從65寸開始K增加到95K，預(yù)計資本支出為14億$，8寸廠升級提高效率，預(yù)計支出約14億$.8億美元。根據(jù)公司20222年的情況，Q1、華虹無錫二期規(guī)劃開始，特色工藝平臺技術(shù)延伸，相關(guān)工作正在推進中。

　　合肥長鑫從19nm向17nm轉(zhuǎn)移，加快技術(shù)進步，在北京設(shè)廠進一步擴產(chǎn)。2019年，長江倉儲開始量產(chǎn)64層33層DNAND，2020年4月發(fā)布128層3DNAND，2022年8月正式啟動Xtacking3.第四代0技術(shù)TLC三維閃存X與上一代產(chǎn)品相比，存儲密度更高，I/O速度更快，高達2400MT/s，提高50%，采用60%，-plane在性能提高50%以上的情況下，設(shè)計功耗降低25%。新產(chǎn)品推出時，公司加快了追趕步伐，進一步縮小了與海外龍頭的差距。

　　長江存儲二期總產(chǎn)能30萬片/月，合肥長新計劃三期產(chǎn)能，全部投產(chǎn)后達到36萬片/月。長江存儲，合肥長新作為國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要城鎮(zhèn)，在開啟國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)替代方面發(fā)揮著重要作用。而國內(nèi)存儲行業(yè)將對半導(dǎo)體設(shè)備和材料起到重要的推動作用。

　　根據(jù)SEMI，2021年，半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達到1026億美元，同比激增44%，年銷售額創(chuàng)歷史新高。2013年以前，大陸設(shè)備市場占全球比例不到10%，2014年~2017年提升至10~20%，2018年以后保持在20%以上，份額呈逐年上升趨勢。2020-2021年，國內(nèi)晶圓廠投入建設(shè)，半導(dǎo)體行業(yè)投入增加陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模首次，2021年達到296年.2億美元，同比增長58%，占28%.9%。展望2022年存儲需求復(fù)蘇，韓國有望領(lǐng)先世界，但大陸設(shè)備市場規(guī)模有望保持較高比例。

　　目前，國內(nèi)國產(chǎn)化逐步起航，從0到1的過程基本完成。北方華創(chuàng)產(chǎn)品布局廣泛，刻蝕機，PVD，CVD，氧化/擴散爐、退火爐、清洗機、ALD新設(shè)備產(chǎn)品市場引進步伐加快，產(chǎn)品工藝覆蓋率和客戶滲透率進一步提高，集成電路主流生產(chǎn)線批量銷售，產(chǎn)品迭代加快;第三代半導(dǎo)體，新顯示，光伏設(shè)備產(chǎn)品線進一步拓寬，出貨量快速增長。

　　拓荊科技是中國唯一的工業(yè)應(yīng)用PECVD和SACVD設(shè)備供應(yīng)商，PECVD共發(fā)貨150臺，廣泛應(yīng)用于中芯國際、華虹集團、長江倉儲、合肥長鑫、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠，PEALD實現(xiàn)銷售;

　　中微介質(zhì)刻蝕機已進入5臺nm新型高性能工藝Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備UniMax2022Q訂單已超過180腔;

　　芯源微前道涂膠顯影設(shè)備28nm以上技術(shù)和高產(chǎn)能結(jié)構(gòu)取得進展，實現(xiàn)了各種核心部件的國內(nèi)替代。公司前道物理清洗設(shè)備達到國際先進水平，成功實現(xiàn)國內(nèi)替代，前道產(chǎn)品在新訂單結(jié)構(gòu)中的比例顯著提高;

　　芯片

　　華海清科CMP設(shè)備在邏輯芯片中，3DNAND，DRAM制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別突破14nm，128層，1X/1Ynm，到2021年底，公司CMP設(shè)備共出貨140多臺，未發(fā)出產(chǎn)品的在手訂單超過70臺。

　　Mattson(一唐半導(dǎo)體)在去膠設(shè)備市場占世界第二;盛美半導(dǎo)體單片清洗機在海力士，長存，SMIC等生產(chǎn)線量產(chǎn)。精測電子，上海瑞麗在測量領(lǐng)域突破了國外壟斷。

　　從國內(nèi)晶圓廠的招標(biāo)情況來看，設(shè)備的各個環(huán)節(jié)都取得了突破。2022年上半年，華虹無錫招標(biāo)刻蝕設(shè)備49臺，其中Lam中標(biāo)26臺，TEL中標(biāo)5臺，中微公司中標(biāo)13臺，北方華創(chuàng)中標(biāo)4臺。中微公司中標(biāo)的13臺是氧化膜等離子體蝕刻機8臺，鈍化膜等離子體蝕刻機3臺，氮化硅等離子體蝕刻機2臺;北風(fēng)華創(chuàng)分別中標(biāo)多晶格柵等離子體蝕刻機2臺，有源區(qū)等離子體蝕刻機2臺。

　　積塔2022H招標(biāo)刻蝕設(shè)備29臺，其中北方華創(chuàng)中標(biāo)13臺，中微公司中標(biāo)8臺，TEL中標(biāo)3臺，Lam中標(biāo)2臺。北方華創(chuàng)中標(biāo)設(shè)備13臺，金屬等離子刻蝕機7臺，多晶硅刻蝕機5臺，鋁刻蝕機1臺。中微公司中標(biāo)鈍化層等離子刻蝕機7臺，通孔深隔離槽鈍化層介質(zhì)層刻蝕機1臺。

　　根據(jù)長江存儲中標(biāo)信息，截至2021年底，長江存儲共招標(biāo)刻蝕設(shè)備452臺，其中長江存儲共招標(biāo)刻蝕設(shè)備452臺。Lam236臺，TEL61臺，中微公司59臺，應(yīng)用材料38臺，北方華創(chuàng)26臺，SCREEN13臺，一唐半導(dǎo)體11臺。北方華創(chuàng)在刻蝕領(lǐng)域的布局集中在硅刻蝕上，設(shè)備類別對標(biāo)Lam，仍有較大的潛力空間。

　　以LamResearch例如，為例NandFlash在生產(chǎn)線上，只有一個類別的刻蝕機，供應(yīng)的設(shè)備數(shù)量接近40個不同的工藝環(huán)節(jié)，其中大部分都是獨家的，尤其是深孔、深溝等環(huán)節(jié)。中微公司的刻蝕設(shè)備種類繁多，主要布局在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域。北方華創(chuàng)在刻蝕領(lǐng)域的布局集中在硅刻蝕上，設(shè)備類別對標(biāo)Lam，仍有較大的潛力空間。

　　隨著半導(dǎo)體市場晶圓代工的持續(xù)擴產(chǎn)，對于晶圓制造中不可缺失的基礎(chǔ)材料將會有著非常大的需求拉動，而在此階段我們可以看到隨著技術(shù)及工藝的推進以及中國電子產(chǎn)業(yè)鏈逐步的完善，在材料領(lǐng)域已經(jīng)開始涌現(xiàn)出各類已經(jīng)進入批量生產(chǎn)及供應(yīng)的廠商。