超1000億,三星加碼NAND閃存、晶圓代工等新技術研發(fā)
導語:據(jù)韓聯(lián)社報道,該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米,將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。
近日,市場傳出,半導體大廠三星電子將在本月開設一個新的研發(fā)中心,負責更先進NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)。
最新消息是,三星電子已于8月19日在韓國京畿道器興園區(qū)舉行了下一代半導體研發(fā)(R&D)園區(qū)動工儀式。
據(jù)韓聯(lián)社報道,該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米,將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。
據(jù)悉,這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內新建研發(fā)中心。三星電子相關人士表示,若建成具備尖端設備的研發(fā)中心,有望縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時間,提升半導體質量。
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