重磅合作!北一半導(dǎo)體與哈工業(yè)技術(shù)研究院聯(lián)合研發(fā)芯片
導(dǎo)語:黑龍江省哈爾濱工業(yè)技術(shù)研究院:助推省內(nèi)高校院所科技成果高質(zhì)量落地轉(zhuǎn)化,承接國內(nèi)外科技成果在省引進(jìn)轉(zhuǎn)化;開展科技成果“二次開發(fā)”,組織科技成果中試熟化,促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,加快先進(jìn)技術(shù)的轉(zhuǎn)化應(yīng)用和科技成果的產(chǎn)業(yè)化,建設(shè)成為高質(zhì)量成果轉(zhuǎn)化平臺。
勇敢前行 合作共贏
導(dǎo)讀
黑龍江省哈爾濱工業(yè)技術(shù)研究院:助推省內(nèi)高校院所科技成果高質(zhì)量落地轉(zhuǎn)化,承接國內(nèi)外科技成果在省引進(jìn)轉(zhuǎn)化;開展科技成果“二次開發(fā)”,組織科技成果中試熟化,促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,加快先進(jìn)技術(shù)的轉(zhuǎn)化應(yīng)用和科技成果的產(chǎn)業(yè)化,建設(shè)成為高質(zhì)量成果轉(zhuǎn)化平臺。(摘要網(wǎng)絡(luò))
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2022年6月30日,穆棱北一半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱“北一”)與黑龍江省哈爾濱工業(yè)技術(shù)研究院(以下簡稱“哈工”)已經(jīng)開始簽約高電流密度IGBT芯片、軟件模塊研制合作。
本次合作目的是想通過研制的EDA軟件平臺進(jìn)行1200V等級高電流密度IGBT(絕緣柵雙極晶體管)芯片研制,完成IGBT芯片設(shè)計(jì)軟件模塊的研制和芯片仿真及版圖繪制,工藝流程開發(fā)及流片的相關(guān)技術(shù)支持,封裝的模塊通過可靠性考核。
北一與哈工攜手研發(fā)高電流密度IGBT芯片,相信此芯片必然會是北一下一個(gè)發(fā)力的芯片產(chǎn)品,能夠?yàn)楸币辉诎雽?dǎo)體行業(yè)戰(zhàn)略上奠定更堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
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