光伏電池有眾多不同的技術路線,按材質不同可分為晶硅電池和薄膜電池,近年來,晶硅電池成為行業(yè)主流趨勢而薄膜電池應用范圍逐步縮小。在晶硅電池里又有許多不同的技術路線,如Al-BSF(鋁背場電池)、PERC(發(fā)射極鈍化和背面接觸)技術、TOPCon(隧穿氧化層鈍化接觸)和HJT(具有本征非晶層的異質結)技術等。(注:異質結(HIT)是一種特殊的PN結,由非晶硅和晶體硅材料形成,是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜,屬于N型電池中的一種。HIT(HeterojunctionwithIntrinsicThinfilm)電池最早由日本三洋公司于1990年成功開發(fā),因HIT已被三洋注冊為商標,因此又被稱為HJT、HDT、或SHJ。)
2018年,規(guī)?;a(chǎn)的多晶黑硅電池的平均轉換效率達到19.2%,使用PERC電池技術的單晶和多晶硅電池效率提升至21.8%和20.3%,較2017年分別提升0.5個百分點和0.3個百分點。目前PERC已經(jīng)取代AL-BSF成為主流,HJT未來前景廣闊。根據(jù)ITRPV預測,到2029年PERC技術占比將超過70%,HJT占比超過15%。
從生產(chǎn)流程上來看,PERC工藝最為復雜,HJT環(huán)節(jié)最少。但PERC技術可以在原有BSF生產(chǎn)線的基礎上通過增加沉積設備和激光開槽設備來實現(xiàn),然而由于HJT技術對清潔度要求更為苛刻,并且要進行多層鍍膜,因此從技術難度的角度來看,PERC技術較為容易實現(xiàn)。此外,由于PERC技術目前成熟度較高,單位產(chǎn)能的投資額相較于HJT技術也有明顯的優(yōu)勢。
1、PERC技術
從現(xiàn)有技術成熟度和轉換效率來看,PERC技術是性價比最高的技術路線,根據(jù)CPIA《中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖(2019年版)》數(shù)據(jù),2019年PERC產(chǎn)線的平均投資成本已經(jīng)降至3.03億元/GW,同比下降27.86%,降幅遠超去年路線圖的預期。、
不同技術路線生產(chǎn)流程對比
PERC技術的性價比顯著,并且在當前效率基礎上還有向上空間,因此國內各電池廠紛紛大力投資擴大PERC產(chǎn)能。根據(jù)PVInfoLink數(shù)據(jù),2019年單晶PERC電池產(chǎn)能將達到116GW,而據(jù)EnergyTrend統(tǒng)計,預計2019年前15家電池廠的PERC產(chǎn)能就將超過100GW,未來幾年全球PERC產(chǎn)能將持續(xù)高速增長。
各企業(yè)PERC項目設備投資成本 | ||
企業(yè) | 項目名稱 | 設備投資成本 |
愛旭 | 義烏三期年產(chǎn)4. 3GW高效晶硅電池項目 | 2.86億元/GW |
隆基 | 西安涇渭新城年產(chǎn)5GW單晶電池項目 | 3. 60億元/GW |
由于PERC需要在背面沉積氧化鋁鍍膜并增加激光開槽的流程,因此在擴產(chǎn)能過程中相關PECVD和激光設備企業(yè)將充分受益。
PERC設備領域看捷佳偉創(chuàng)和邁為股份。其中PERC產(chǎn)線前道設備以捷佳偉創(chuàng)為行業(yè)龍頭;后道設備邁為股份是市場龍頭;激光SE、激光開槽設備以帝爾激光為行業(yè)龍頭。
2、PERC+
從目前的技術路線情況來看,PERC已經(jīng)成為P型電池的絕對主流技術,近年來,對PERC技術的改進提升也在持續(xù)進行,PERC+的時代已經(jīng)來臨。
PERC+SE(選擇性發(fā)射極)技術,通過在金屬柵線與硅片接觸部位進行高濃度摻雜,在電極外進行低濃度摻雜,降低了接觸電阻并提高了少子壽命。通過在PERC產(chǎn)線上增加摻雜用激光設備便可實現(xiàn)0.3%的效率提升,性價比極高。
PERT(鈍化發(fā)射極背表面全擴散)電池,是典型的雙面太陽能電池并且能夠兼容N型硅片,能在PERC產(chǎn)線基礎上提高較大效率。通過背面擴散形成背場,PERT電池能夠實現(xiàn)背面的效率增益。然而,與雙面P型PERC技術相比,PERT技術并沒有效率或成本上的優(yōu)勢,因此目前業(yè)內對于PERT的投資較少。
TOPCon(隧道穿越氧化層背面接觸)技術,是在電池背面制備一層超薄的二氧化硅和一層高摻雜的多晶硅薄層,二者形成的鈍化層能夠很大程度上降低背面復合,從而提升N型電池的效率。TOPCon僅需在PERT的基礎上增加LPCVD(低壓化學氣相沉積)設備便可實現(xiàn),性價比較高,預計未來將占有有一定量的市場。
3、HJT技術
PERC技術是目前市場上的主流。不過,因為HJT電池(異質結電池)光電轉換效率高、性能優(yōu)異、平價上網(wǎng)前景好,成為行業(yè)公認的未來電池技術終極解決方案,并一度被業(yè)內稱為是下一代商業(yè)光伏生產(chǎn)的候選技術。
HJT屬于N型電池的一種,目前實驗室效率在26%以上,現(xiàn)有設施的量產(chǎn)效率已經(jīng)達到23%,未來效率繼續(xù)提升空間較大。由于HJT具有更好的溫度系數(shù),在相同功率下HJT發(fā)電能力較多晶高10%以上,較現(xiàn)有p-PERC高5%-10%。此外,異質結電池的量產(chǎn)工序更短,工藝步驟少,成熟后有可能更大地降低電池不良率以及人工、運維等其他生產(chǎn)成本。
由于PERC無法升級到HJT,電池廠將開啟新一輪的資本開支周期,設備價格預計從5億先降到4億,未來有潛力降到3.5億,對應2020-2025年設備產(chǎn)值10、30、90、240、304、350億元。
HJT電池的工藝技術難度雖然較高,但流程較為簡潔,大體上分為四步。第一步,與常規(guī)電池相似,通過刻蝕去除硅片表面的損傷層,然后進行制絨處理;第二步,在硅片兩側沉積本征非晶硅薄膜,然后在硅片兩側沉積極性相反的摻雜非晶硅薄膜;第三步,在兩側鍍上透明氧化物導電薄膜;第四步,進行絲網(wǎng)印刷。
異質結電池工藝流程
在整個生產(chǎn)流程中,絲網(wǎng)印刷與傳統(tǒng)技術路線的差別并不大,而前面三步的差異較大,技術上也有較大的難度。
①制絨清洗
由于HJT電池的工藝要求較高,因此制絨清洗流程也較為嚴苛。目前業(yè)內主流的兩種清洗流程為RCA清洗和臭氧清洗。RCA清洗金屬雜質含量較低,但引入氨水會增加表面粗糙程度并且成本較高;臭氧清洗能夠獲得較為平滑的表面,且成本也較低,但襯底表面會殘留較多金屬雜質。
②非晶硅沉積
對于非晶硅膜層的沉積,技術上主要分為HWCVD(Cat-CVD)(熱絲化學氣相沉積)和PECVD(等離子體增強化學氣相沉積),其中PECVD又分為動態(tài)和靜態(tài)兩種技術路線。目前來看,主流的技術主要集中在PECVD,只有少數(shù)廠商生產(chǎn)HWCVD設備,如日本的愛發(fā)科。
在動態(tài)和靜態(tài)PECVD的對比上,由于動態(tài)PECVD的工藝時間減少了70%,因此動態(tài)PECVD在成本控制上要優(yōu)于靜態(tài)PECVD。此外,因為等離子體處于持續(xù)工作狀態(tài),較為穩(wěn)定,所以動態(tài)PECVD的薄膜質量也要優(yōu)于靜態(tài)PECVD。
③TCO(透明導電氧化膜)鍍膜
HJT電池的TCO薄膜沉積主要有兩種方法,RPD(反應等離子體)和PVD(物理氣相沉積)。RDP工藝相較于PVD對硅襯底轟擊較小,鍍膜質量和效率均較高,然而由于其核心配件和靶材IWO(氧化銦摻鎢)被日本住友重工壟斷,因此RPD的成本較PVD要高出許多。
從目前的情況來看,PVD路線的成本優(yōu)勢使得其市場份額要高于RPD路線。但是,捷佳偉創(chuàng)已經(jīng)獲得了住友在中國的獨家授權,隨著RPD國產(chǎn)化推進以及靶材的替代,RPD的優(yōu)勢將逐步凸顯,未來更看好RPD和PVD一體的設備前景。
④絲網(wǎng)印刷
HJT的絲網(wǎng)印刷環(huán)節(jié)與傳統(tǒng)工藝差別并不大,均采用普通的鋼絲復合網(wǎng),只是在細柵線條數(shù)上會有一定差異。
⑤與PERC相比,HJT經(jīng)濟性仍不足
由于目前異質結產(chǎn)線多采用進口設備,異質結單位產(chǎn)能投資額仍然處于較高水平,目前主要處于中試線階段。根據(jù)某代表性企業(yè)公告,目前純進口設備的異質結產(chǎn)線單GW投資額約為10億元,遠高于2.5億元/GW左右的PERC產(chǎn)線設備投資額,而單晶PERC電池目前效率最高已經(jīng)突破23%,僅低于異質結1%左右,用4倍的投資額換取1%的效率提升尚不具備經(jīng)濟性。
異質結技術的進一步普及仍需要設備價格的大幅下降。根據(jù)東方日升的數(shù)據(jù),PECVD占所有設備投資額比例最高,達到40%-50%,因此未來PECVD的降本任務將是HJT技術推廣普及的關鍵。
東方日升2.5GW異質結電池設備投資額為10億元/GW
不過,值得期待的是,HJT生產(chǎn)成本有望在數(shù)年內降低一半。截止2018年底,HJT電池生產(chǎn)成本約為1.22元/W,其中硅片成本0.575元/W、非硅成本0.647元/W,成本較高。未來,通過硅片薄片化、降低銀漿用量或推動其國產(chǎn)化、提高單機生產(chǎn)設備產(chǎn)能等方式,HJT成本有望顯著下降;業(yè)內有部分參與者樂觀的判斷,未來3-5年之內其生產(chǎn)成本有望降低一半,屆時其綜合優(yōu)勢會更明顯。
HJT生產(chǎn)線核心設備實現(xiàn)國產(chǎn)化近在眼前。HJT的4大工藝步驟“制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備”,對應的設備分別為清洗制絨設備、CVD設備(PECVD為主、HWCVD較少)、PVD/RPD設備、絲網(wǎng)印刷設備。國產(chǎn)大通量低成本PECVD的突破將成為HJT產(chǎn)業(yè)化的發(fā)令槍。
過去投入較大的裝備企業(yè)有鈞石能源、梅耶博格,另外邁為股份、捷佳偉創(chuàng)、江蘇中智、德國新格拉斯等也在加大投入,HJT裝備的半導體know-how、低溫等特殊工藝要求更高,相關技術與工藝的擴散較p-PERC應該會更慢一些。