據(jù)8月28日消息，格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天發(fā)布新聞稿，宣布其轉(zhuǎn)型的重要一步。繼今年初湯姆·嘉菲爾德（TomCaulfield）接任首席執(zhí)行官后，格芯正在重塑其技術(shù)組合，依照嘉菲爾德所闡述的戰(zhàn)略方向，重點關(guān)注為高增長市場中的客戶提供真正的差異化產(chǎn)品。

擱置7納米FinFET項目

文中稱，格芯正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

為支持此次戰(zhàn)略調(diào)整，格芯將擱置7納米FinFET項目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時，一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

熟悉格芯產(chǎn)品路線的人應(yīng)該知道，在2017年6月中旬，格芯宣布他們的7納米FinFET技術(shù)測試良率已經(jīng)達(dá)到65%，將于2018年上半年推出第一批客戶產(chǎn)品，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

格芯官方網(wǎng)站的新聞稿截圖

“客戶對半導(dǎo)體的需求從未如此高漲，并要求我們在實現(xiàn)未來技術(shù)創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。對于這個決定，格芯的新任CEO嘉菲爾德表示，“今天，絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術(shù)中獲得更多價值，以充分利用設(shè)計每個技術(shù)節(jié)點所需的大量投資。從本質(zhì)上講，這些節(jié)點正在向為多個應(yīng)用領(lǐng)域提供服務(wù)的設(shè)計平臺過渡，從而為每個節(jié)點提供更長的使用壽命。這一行業(yè)動態(tài)導(dǎo)致設(shè)計范圍到達(dá)摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務(wù)重心，加倍投資整個產(chǎn)品組合中的差異化技術(shù)，有針對性的服務(wù)不斷增長的細(xì)分市場中的客戶?！?/p>

嘉菲爾德在今年接受《EETimes》采訪時表示，目前格芯最需要的就是新發(fā)展機會。雖然格芯是全世界市占率僅次臺積電的半導(dǎo)體代工廠商，但整體來說營運卻談不上多成功，技術(shù)上相較臺積電、三星落后許多，放棄了自家研發(fā)的14納米XM技術(shù)，改用三星14納米工藝全套授權(quán)，才較穩(wěn)定提供AMD及其他客戶14納米工藝產(chǎn)能，整體獲利情況不佳，也是格芯當(dāng)前亟需改變的地方。

是技術(shù)的羈絆，還是成本的考量？

2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中的技術(shù)積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃，該技術(shù)于2016年初2月8日在Fab8晶圓廠中開始生產(chǎn)。當(dāng)時格芯表示，還將持續(xù)投資下一代技術(shù)節(jié)點的研究與開發(fā)。

通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7納米測試芯片。據(jù)官方報道，為了加快7LP的量產(chǎn)進(jìn)程，格芯還在2017年下半年首次購進(jìn)兩個超紫外光（EUV）光刻工具，此后，格芯還于去年中宣布推出業(yè)內(nèi)首款基于硅納米片晶體管的5納米樣片。

首席技術(shù)官GaryPatton在接受AnandTech采訪時稱，這一決定是出于經(jīng)濟方面的考慮，而非7LP面臨的任何技術(shù)障礙。格芯稱，未來一段時間，該公司將專注于射頻、嵌入式存儲器、低功耗定制14-nm和12-nmFinFET工藝的定制改進(jìn)。此外，格羅方德還將把重點放在22DFX和12FDX工藝上，以迎合低功耗、相對低成本、以及高性能的RF/模擬/混合信號設(shè)計。

AnandTech報道還指出，有關(guān)格芯的5-nm和3-nm節(jié)點的未來發(fā)展，也已經(jīng)被擱置。今年年底之后，該公司將停止與位于紐約奧爾巴尼的IBM芯片研究部門（SUNYPolytechnicInstitute）的合作。另外，格芯會裁撤5%的員工，其而不得不與IBM和AMD重新商談供應(yīng)協(xié)議。

對于發(fā)燒友們來說，格芯此舉無疑讓大家心碎一地。但問題的真相似乎是，該公司難以吸引到長期的業(yè)務(wù)，來支撐7nm、5nm、甚至3nm制程所需的巨額現(xiàn)金。格芯在新聞稿中指出，該公司除AMD和IBM之外的客戶，更青睞于已經(jīng)成熟的14-nmFinFET工藝，而不是需要反復(fù)經(jīng)歷艱難過渡的前沿節(jié)點。

格芯Fab8工廠

萬幸的是，就算沒有了格芯Fab8工廠的支持。AMD的下一代芯片，也不會受到太大的影響。其首款7-nm產(chǎn)品——一款面向數(shù)據(jù)中心的VegaGPU——正在GF競爭對手臺積電那邊研制，同時還有代號為羅馬的下一代服務(wù)器CPU?？偠灾?，在格羅方德當(dāng)了逃兵之后，臺積電、三星和英特爾仍將繼續(xù)這方面的追求。至于是否會有下一個“受害者”，仍有待時間去檢驗。

后續(xù)重點關(guān)注ASIC和FDX業(yè)務(wù)

此外，為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計和IP方面的強大背景和重大投資，公司正在建立獨立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持續(xù)使用最先進(jìn)的技術(shù)。該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項，讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統(tǒng)公司，他們需要ASIC服務(wù)同時生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。

其實相較于FinFET，格芯一直以來都是FD-SOI的堅定支持者，不單因為FD-SOI的光罩成本較FinFET工藝低30%，而且還具有低功耗和支持RF的優(yōu)點。所以不排除格芯擱置7納米FinFET，是為了把更多精力放在FD-SOI上。

格芯也在新聞稿中稱，正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領(lǐng)域，著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。包括繼續(xù)側(cè)重于FDX平臺、射頻產(chǎn)品（包括RFSOI和高性能鍺硅）和模擬/混合信號，以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設(shè)計需求的其他技術(shù)。

“減輕前沿技術(shù)領(lǐng)域的投資負(fù)擔(dān)將使格芯能夠?qū)ξ锫?lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長市場中對大多數(shù)芯片設(shè)計員真正重要的技術(shù)進(jìn)行更有針對性的投資，”Gartner研發(fā)副總裁SamuelWang,先生表示，“雖然最先進(jìn)技術(shù)往往會占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置，但鮮少有客戶能夠承擔(dān)為實現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價。14納米及以上技術(shù)將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務(wù)的重要需求及驅(qū)動因素。這些領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間，可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮?！?/p>

目前，7納米工藝領(lǐng)域的晶圓代工玩家只剩下臺積電、三星和還在10納米量產(chǎn)時間點上掙扎英特爾，不過英特爾一直強調(diào)，他們對于工藝節(jié)點的定位更加嚴(yán)格，其10納米工藝甚至比臺積電和三星自稱的7納米要好。而對于他們的客戶——無晶圓廠芯片設(shè)計公司來說，能負(fù)擔(dān)得起7納米工藝代工費的也不算多，除了手機SoC廠商高通、海思、蘋果、聯(lián)發(fā)科以外，還有老牌半導(dǎo)體巨額英特爾、英偉達(dá)、三星、AMD等等。但是在用7納米做這些芯片之前，代工廠們會選擇一些又土豪、產(chǎn)品又好做的廠商來驗證他們的7納米工藝，比如以前的FPGA，和今年的礦機ASIC。