【NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩？】全球資料經(jīng)濟(jì)快速成長，極速增加的數(shù)據(jù)量對存儲(chǔ)器提出更高要求，對于NAND Flash芯片需求量亦持續(xù)增加，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra日前表示，盡管全球存儲(chǔ)器廠商紛擴(kuò)增旗下NANDFlash產(chǎn)能，預(yù)期2018年以后全球NAND Flash產(chǎn)能供給將以每年平均40%速度穩(wěn)定成長，然因與NAND Flash市場需求增長態(tài)勢相當(dāng)，眾廠擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作不一定會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩問題。

全球存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商均觀察到NAND Flash市場需求增長態(tài)勢，包括三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、英特爾(Intel)、威騰(WD)及美光等，持續(xù)投資擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能，美光更預(yù)期NAND Flash需求增長將會(huì)遠(yuǎn)超過DRAM。美光認(rèn)為，隨著NAND Flash存儲(chǔ)器從2D轉(zhuǎn)向3D世代，生產(chǎn)制造的資本需求大幅增加，相較于先前2D NAND Flash世代，第一代32層3D NAND Flash在每片晶圓產(chǎn)出位元數(shù)量雖顯著增加，然在每一接續(xù)世代節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換時(shí)，不僅資本支出隨之增加，每片晶圓產(chǎn)出位元的增長速度亦減緩下來，過去3年來NAND產(chǎn)能供給成長幅度維持在約40%，未來即使資本支出有所提升，預(yù)期產(chǎn)能增長速度亦將維持在約40%的水準(zhǔn)。

以美光的情況為例，為取得更好的投資報(bào)酬率，并領(lǐng)先競爭對手，美光持續(xù)投資先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)，在2013年時(shí)，美光仍以20納米制程生產(chǎn)MLC2DNANDFlash，當(dāng)時(shí)相較于競爭對手約有65%的成本劣勢，然過去幾年美光持續(xù)加碼先進(jìn)制程資本支出，目前在3D NAND Flash市場已站穩(wěn)領(lǐng)先群角色，2017年成本優(yōu)勢已超過競爭對手達(dá)15%。

事實(shí)上，美光旗下NAND Flash業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)可說是始自2015年，當(dāng)時(shí)美光與英特爾合作導(dǎo)入CUA(CMOSunderArray)架構(gòu)，轉(zhuǎn)型到32層3D NAND Flash，正是該架構(gòu)替美光帶來顯著的成本效益，2017年64層3D NAND及2018年96層3D NAND均沿用CUA架構(gòu)，第四代3DNAND更結(jié)合CUA架構(gòu)與ChargeTrapCell技術(shù)，可增加頻寬逾30%，并降低功耗至少40%，以符合未來多重終端市場的需求。

美光預(yù)期2017~2021年NAND Flash需求將以年復(fù)合增長率40~45%的速度成長，其增長動(dòng)能大多數(shù)來自于更多先進(jìn)客戶端與企業(yè)用SSD需求挹注，且隨著高畫質(zhì)影音及影像需求更多的移動(dòng)儲(chǔ)存空間，移動(dòng)市場亦將是帶動(dòng)NAND Flash需求增長的關(guān)鍵動(dòng)能之一。

根據(jù)美光提供的資料顯示，2013~2017年NAND Flash需求增長325%，且絕大多數(shù)來自于移動(dòng)NAND的增加，同時(shí)客戶端和企業(yè)用固態(tài)硬碟(SSD)采用量亦增加，這是由于服務(wù)器廠商持續(xù)以SSD取代傳統(tǒng)HDD。

硬碟供應(yīng)商威騰于2016年收購第二大SSD廠商閃迪，英特爾亦開始生產(chǎn)3D NAND及企業(yè)用SSD，以搭配自家服務(wù)器處理器使用，如今由閃迪延攬來的美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra及重要干部，正帶領(lǐng)美光營運(yùn)發(fā)展及改善旗下SSD產(chǎn)能與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。