臺積電已向竹科管理局提出土地需求申請獲準，啟動竹科新研發(fā)中心建設，最快明年下半年動工。據(jù)悉，臺積電竹科新研發(fā)中心總投資高達上千億元，再加上今年1月下旬動土的南科新建晶圓18廠、竹科總部5納米廠，以及后續(xù)3納米投入的資金，臺積電未來在高端制程將投入近萬億元人民幣。

臺積電最新申請的竹科新研發(fā)中心，緊鄰竹科總部，將是串連先進制程生產(chǎn)與研發(fā)的重要中樞。先前臺積電對董事長張忠謀預告，四年后將推動3納米制程量產(chǎn)。

而今年1月下旬動土的南科新建晶圓18廠有望成為全球第一個量產(chǎn)5納米的晶圓廠。據(jù)集微網(wǎng)了解，臺積電5納米總投資額超過7000億元新臺幣。根據(jù)規(guī)劃，18廠的第1期工程，將在2019年完成裝機并進行風險試產(chǎn)，并且將于2020年開始正式量產(chǎn)。整體5納米的3期工程完工之后，預計在2021年達成滿載年產(chǎn)能高達100萬片12寸晶圓的目標。

除此之外，在7納米制程領(lǐng)域，臺積電已經(jīng)拿到百分之百的市場份額，預計將于今年第二季度投入量產(chǎn)，第四季度達到最大產(chǎn)能，收入貢獻比例也將達到10％。據(jù)臺積電透露，7納米工藝已經(jīng)獲得50多家客戶的訂單，涵蓋智能手機、游戲主機、處理器、AI應用、比特幣礦機等等。

相較之下，在高端制程技術(shù)的進展方面，臺積電的競爭對手三星、GlobalFoundries，以及英特爾也都緊追不舍。其中，三星近日已宣布與高通擴大晶圓代工業(yè)務合作，包含高通下一代5G移動芯片，將采用三星7納米LPP極紫外光（EUV）制程。

據(jù)悉，高通在MWC2018前夕發(fā)布了業(yè)界傳輸速率最高的X24基帶芯片，采用7納米制程生產(chǎn)，而整合X24的驍龍855手機芯片也將在今年底采用7納米制程投片。業(yè)界人士指出，高通今、明兩年7納米LTE芯片代工訂單已由臺積電拿下，明年下半年試產(chǎn)的5G芯片則選擇三星7納米極紫外光（EUV）制程生產(chǎn)。

同時，據(jù)韓媒透露，三星計劃將投入6兆韓元(相當于56億美元)升級晶圓產(chǎn)能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過10臺EUV光刻設備，由于每臺EUV設備要價皆多達1,500億韓元，因此僅采購機臺費用就達到3～4兆韓元。此外三星6納米晶圓廠的建設計劃，也將在近期公布。

而GlobalFoundries也緊跟臺積電7納米量產(chǎn)腳步，已宣布其位于美國紐約州Fab8晶圓廠，計劃2018年稍晚將開始風險試產(chǎn)7納米芯片，2019年導入量產(chǎn)。

相對而言，英特爾目前還處于10納米工藝的研發(fā)階段，但是英特爾宣稱其10納米制程跟其他晶圓代工廠的7納米制程處于同一等級。據(jù)路透社近日報道，2018～2020年英特爾將在以色列投資50億美元。英特爾此前已表示，計劃把該工廠的制造工藝從22納米升級到10納米，生產(chǎn)更小、速度更快的芯片