臺(tái)積電加入中芯國(guó)際,能否在制程發(fā)展上有所突破?

時(shí)間:2017-10-18

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):日前,不斷傳出前臺(tái)積電研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松將加盟中國(guó)半導(dǎo)體代工大廠中芯國(guó)際的消息,但是一直遭到中芯國(guó)際方面的否認(rèn)。而16日該項(xiàng)消息終于獲得證實(shí),中芯國(guó)際董事會(huì)正式宣布,梁孟松將加盟待任該公司的聯(lián)合首席CEO,帶領(lǐng)中芯國(guó)際的研發(fā)部門(mén)。

日前,不斷傳出前臺(tái)積電研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松將加盟中國(guó)半導(dǎo)體代工大廠中芯國(guó)際的消息,但是一直遭到中芯國(guó)際方面的否認(rèn)。而16日該項(xiàng)消息終于獲得證實(shí),中芯國(guó)際董事會(huì)正式宣布,梁孟松將加盟待任該公司的聯(lián)合首席CEO,帶領(lǐng)中芯國(guó)際的研發(fā)部門(mén)。其中,令人關(guān)注的是,在梁孟松轉(zhuǎn)任中芯國(guó)際的聯(lián)合首席CEO之后,是不是能夠帶領(lǐng)中芯國(guó)際在制程發(fā)展上有所突破,將會(huì)是該件人事案上最受關(guān)切的焦點(diǎn)。

現(xiàn)年65歲,且曾經(jīng)擔(dān)任臺(tái)積電研發(fā)處長(zhǎng)的梁孟松,有中國(guó)臺(tái)灣成功大學(xué)電機(jī)工程學(xué)士及碩士學(xué)位,另外也取得美國(guó)加州大學(xué)伯克萊分校電機(jī)工程及電腦科學(xué)系的博士學(xué)位。之后,在AMD半導(dǎo)體負(fù)責(zé)存儲(chǔ)器的工作,1992年返臺(tái)加入臺(tái)積電。由于在臺(tái)積電期間,不但協(xié)助取得了近500項(xiàng)的專利,還在2003年在與藍(lán)色巨人IBM的銅制程研發(fā)上取得優(yōu)勢(shì),進(jìn)而一戰(zhàn)成名,之后擔(dān)任臺(tái)積電的資深研發(fā)處長(zhǎng)職務(wù)。

由于梁孟松在半導(dǎo)體業(yè)界有超過(guò)33年經(jīng)歷,于2009年離開(kāi)臺(tái)積電之后,隨即被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手韓國(guó)三星旗下的成均館大學(xué)網(wǎng)羅任教。之后,臺(tái)積電認(rèn)為,梁孟松的到職之后應(yīng)已陸續(xù)泄漏臺(tái)積電的營(yíng)業(yè)秘密給三星。因此,在2012年對(duì)梁孟松提起訴訟,禁止梁孟松于2015年底前為繼續(xù)為韓國(guó)三星工作,而且臺(tái)積電還取得最后的勝訴。

根據(jù)業(yè)界人士指出,在梁孟松當(dāng)年投效韓國(guó)三星之際,臺(tái)積電與三星都正在各自研發(fā)65納米的技術(shù)。只是,當(dāng)時(shí)源自于IBM技術(shù)的三星,在制程上仍與臺(tái)積電有所差異,使得臺(tái)積電仍占有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。只是,之后三星所陸續(xù)問(wèn)世的新一代制程技術(shù),包括45納米、32納米、28納米等制程技術(shù),不但其中兩家公司相類似的地方越來(lái)越多,且三星的追趕速度也越來(lái)越快。這讓人不得不懷疑,的確在梁孟松于三星服務(wù)的三年半時(shí)間,給予了不少的“指導(dǎo)”。

而隨著梁孟松在2016年第3季離開(kāi)三星,業(yè)界當(dāng)時(shí)就盛傳,中國(guó)政府為積極發(fā)展本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),而且積極挖角中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)人才的策略下,本身帶有關(guān)鍵技術(shù)專利的梁孟松就一直是被鎖定的目標(biāo)。事實(shí)上,中國(guó)近年來(lái)大動(dòng)作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),除瘋狂蓋12寸晶圓廠、購(gòu)并國(guó)際廠商、并且陸續(xù)向中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商招手,企圖入股投資之外,也開(kāi)始挖角重量級(jí)的高手加入中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)。除了最新加入中芯國(guó)際擔(dān)任首席CEO的梁孟松之外,2016年底還延攬了臺(tái)積電前營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義為獨(dú)立董事,可見(jiàn)其挖角高端人才的企圖明顯。

據(jù)了解,中芯國(guó)際大動(dòng)作挖角高端人才的原因,是因?yàn)槟壳爸行緡?guó)際在先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)嚴(yán)重落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電、三星、格羅方德(GlobalFoundries)等晶圓代工大廠。雖然,日前宣稱已研發(fā)出28納米的HKMG制程,但針對(duì)下一世代的14納米制程若自行研發(fā),最快恐要等到2020年才問(wèn)能世。這相對(duì)于臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手不但已經(jīng)進(jìn)入10納米制程,2018年還將開(kāi)始7納米制程的量產(chǎn),其速度確實(shí)落后了至少兩個(gè)世代以上。

另外,根據(jù)市場(chǎng)研究單位ICInsights在日前的報(bào)告指出,以目前中芯國(guó)際最先進(jìn)的28納米制程來(lái)看,2017年預(yù)估只能占整體營(yíng)收的7%,相較于龍頭臺(tái)積電28納米制程市占率超過(guò)6成,另外還占臺(tái)積電總營(yíng)收超過(guò)一半以上的比例,相較之下數(shù)字也是相差甚遠(yuǎn)。因此,希望借由具備技術(shù)背景的梁孟松給予指點(diǎn),以提升整體發(fā)展的想法不言可喻。

不過(guò),日前臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀表示,因?yàn)橹袊?guó)臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)、美國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)累積了許多經(jīng)驗(yàn),因此“學(xué)習(xí)曲線”已經(jīng)下來(lái),這是中國(guó)大陸砸大錢也難以獲得的經(jīng)驗(yàn)。因此,透過(guò)挖角梁孟松這樣的技術(shù)人才前往任職,是不是真能縮短中芯國(guó)際的“學(xué)習(xí)曲線”,似乎還有待時(shí)間的證明。

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