今年，芯片元器件全面缺貨，特別是存儲(chǔ)器，這使得與存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)相關(guān)的廠商樂(lè)開(kāi)了花。從最新一批的財(cái)報(bào)來(lái)看，這些廠商都是賺錢(qián)賺到手軟??！

2018年NORFlash市場(chǎng)續(xù)缺，旺宏鎖定一線(xiàn)大廠

旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2018年品牌NORFlash市場(chǎng)需求還會(huì)增加，要不缺貨還有點(diǎn)困難，旺宏第1季全球NORFlash市占率達(dá)26％，全年目標(biāo)30％，中長(zhǎng)期看50％市占，同時(shí)董事會(huì)也追加17.85億元（新臺(tái)幣，下同）的資本支出，全年支出擴(kuò)大至40億元，全面增產(chǎn)高端55nm的NORFlash產(chǎn)能。

全球NORFlash漲翻天，對(duì)于產(chǎn)業(yè)前景是否續(xù)漲有幾個(gè)面向可以觀察，包括供給端的增產(chǎn)、需求端的應(yīng)用，綜合來(lái)看，盧志遠(yuǎn)表示，整個(gè)NORFlash產(chǎn)業(yè)有美系大廠的退出，同時(shí)終端需求面也不斷成長(zhǎng)，包括物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用增加、TDDI芯片搭載NORFlash需求等，這樣看下來(lái)，2018年NORFlash應(yīng)用面需求還會(huì)持續(xù)增加。

盧志遠(yuǎn)進(jìn)一步分析，供給和需求的兩邊要被破壞，短期一年內(nèi)可能性不高，至少今年都是好年，拉長(zhǎng)三年內(nèi)當(dāng)然是不敢說(shuō)，以2018年來(lái)看，要達(dá)到平衡，沒(méi)有缺貨的狀況，其實(shí)有點(diǎn)困難。

根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，旺宏2018年第1季市占率達(dá)27％，另外兩家美光和賽普拉斯（Cypress）市占率為22％和17％。旺宏有信心今年市占率可以上看30％，中長(zhǎng)期來(lái)看，市占率目標(biāo)是50％。

旺宏日前董事會(huì)也通過(guò)追加資本支出新臺(tái)幣17.85億元，估計(jì)全年資本支出擴(kuò)大至新臺(tái)幣40億元，資本支出擴(kuò)大的目的主要是增加4800片的高端NORFlash產(chǎn)能，但同時(shí)也減少低端產(chǎn)能。因此，總產(chǎn)能沒(méi)有增加，旺宏表示，公司會(huì)以十分謹(jǐn)慎的態(tài)度來(lái)做財(cái)務(wù)規(guī)劃。

旺宏進(jìn)一步分析，增加4800片的高端NORFlash產(chǎn)能主要是12吋晶圓廠，以55nm的NORFlash產(chǎn)能為主，目前旺宏的12吋廠產(chǎn)能約兩萬(wàn)片，產(chǎn)品為55nm的NORFlash、36/19nm的NANDFlash，以及3DNAND產(chǎn)品。

針對(duì)臺(tái)灣、大陸存儲(chǔ)器相關(guān)公司積極增加NORFlash晶圓代工，是否會(huì)破壞產(chǎn)業(yè)生態(tài)。盧志遠(yuǎn)分析，旺宏的NORFlash產(chǎn)品客戶(hù)族群都是鎖定一線(xiàn)大廠，尤其是美系大廠手上的車(chē)用電子客戶(hù)，不做地?cái)傌浀纳?，因此，即使中小型IC設(shè)計(jì)公司要增加產(chǎn)能，通過(guò)認(rèn)證要很長(zhǎng)時(shí)間，因此對(duì)于旺宏鎖定的NORFlash市場(chǎng)威脅不大。

旺宏2017年第2季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣65.63億元，與前一季相較減少1％，與去年同期相較增加27％，營(yíng)業(yè)毛利為22.16億元，毛利率為34％，較上季增加7個(gè)百分點(diǎn)，較去年同期增加20個(gè)百分點(diǎn)。

值得注意的是，旺宏第2季的獲利幾乎是上季的3倍，第2季的稅前凈利6.22億元，稅后凈利6.16億元，換算每股稅后0.35元，較上季0.12元大幅躍進(jìn)，而去年同期每股稅后還虧0.39元，上半年每股凈值為10.75元。

旺宏第2季各產(chǎn)品線(xiàn)成長(zhǎng)上，旗下三大產(chǎn)品線(xiàn)呈現(xiàn)高度成長(zhǎng)，其中ROM的年增率超過(guò)一倍，但較上季減少29％；NORFlash年增率為21％，較上季增加9％；NANDFlash年增率超過(guò)25％，較上季增加4％。

在營(yíng)收比重方面，旺宏2017年第2季NANDFlash占11％、NORFlash占63％、ROM占17％。

旺宏上半年底約當(dāng)現(xiàn)金新臺(tái)幣54.06億元，庫(kù)存水準(zhǔn)從上季73.84億元增加至90.75億元，主要是ROM產(chǎn)品線(xiàn)庫(kù)存，為游戲機(jī)大客戶(hù)任天堂做準(zhǔn)備，而NORFlash和SLC型NANDFlash產(chǎn)品線(xiàn)的比重不高，主要因?yàn)榭蛻?hù)需求旺，幾乎都配銷(xiāo)完，庫(kù)存并不多。

再者，旺宏董事會(huì)也通過(guò)增加資本支出增加新臺(tái)幣17.85億元，估計(jì)旺宏全年的資本支出將擴(kuò)大至新臺(tái)幣40億元，主要是用于增加高端產(chǎn)能增加4800片，包括55nm制程的NORFlash產(chǎn)能，爭(zhēng)奪美光（Micron）、賽普拉斯（Cypress）的高端車(chē)用大客戶(hù)，但相對(duì)地，低端的產(chǎn)能會(huì)減少，所以一增一減下，整體總產(chǎn)能并沒(méi)有增加，象征旺宏的投資策略是十分謹(jǐn)慎。

硅品Q(chēng)2營(yíng)收季增4.47％

封測(cè)大廠硅品公布2017年第二季自結(jié)合并財(cái)報(bào)，在業(yè)外收益進(jìn)補(bǔ)拉抬下，稅后凈利達(dá)21.58億元（新臺(tái)幣，下同），季增達(dá)1.16倍，每股盈余回升至0.69元，獲利表現(xiàn)回溫。合計(jì)上半年稅后凈利31.54億元，年減28.51％，每股盈余1.01元，略低于去年同期的1.42元。

硅品2017年第二季自結(jié)合并營(yíng)收204.24億元，季增4.47％、年減5.79％。毛利率降至18.4％，續(xù)創(chuàng)2013年首季以來(lái)逾4年低點(diǎn)。不過(guò)，營(yíng)益率9.18％，雖低于去年同期的13.24％，但已較首季的8.9％略微回升。

雖然本業(yè)獲利回溫有限，但硅品在業(yè)外收益挹注拉抬下，第二季歸屬業(yè)主稅后凈利達(dá)21.58億元，雖年減23.16％、但季增達(dá)1.16倍?；久抗捎?.69元，雖低于去年同期的0.9元，但已較首季的0.32元顯著回溫。

合計(jì)硅品2017年上半年合并營(yíng)收399.76億元，年減2.45％。毛利率18.8％、營(yíng)益率9.04％，低于去年同期的22.13％、11.61％。歸屬業(yè)主稅后凈利31.54億元，年減28.51％，基本每股盈余1.01元，略低于去年同期的1.42元。

硅品第二季獲利回溫，主要受惠于業(yè)外收益達(dá)10.8億元，較首季虧損4.8億元大幅增加15.6億元。公司指出，主要由于海外可轉(zhuǎn)債評(píng)價(jià)利益增加8億元，以及匯兌轉(zhuǎn)為收益1億元，首季則出現(xiàn)匯兌損失3億元。

觀察業(yè)務(wù)狀況，硅品第二季封裝營(yíng)收176.45億元，季增3.6％，測(cè)試營(yíng)收27.8億元，季增10.1％。觀察應(yīng)用產(chǎn)品營(yíng)收，通訊（Communication）占68％、消費(fèi)性（Consumer）19％，運(yùn)算（Computing）11％、存儲(chǔ)器為2％。第二季資本支出為37.03億元，季增3.66億元。

以封裝種類(lèi)觀察，硅品第二季覆晶封裝（FlipChip）和凸塊晶圓（Bumping）營(yíng)收占38％、載板封裝30％、導(dǎo)線(xiàn)架封裝18％、測(cè)試14％。各地區(qū)營(yíng)收方面，以北美達(dá)45％最高、亞洲43％居次，歐洲及日本各為11％及1％。

力成上半年?duì)I收增25％，下半年仍樂(lè)觀

封測(cè)廠力成昨（25）日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，公布第二季合并營(yíng)收139.28億元（新臺(tái)幣，下同），季增10.0％，年增23.1％；毛利率受新臺(tái)幣升值等影響季減0.9個(gè)百分點(diǎn)至20.9％；稅后凈利14.10億元，季增21％，年增24.9％，每股凈利1.81元。

力成累計(jì)上半年合并營(yíng)收265.88億元，年增21.2％；毛利率21.2％，年增0.8個(gè)百分點(diǎn)；稅后凈利25.76億元，年增24.5％，每股凈利3.31元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。

展望未來(lái)，力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，看好下半年包括DRAM、NANDFlash、邏輯芯片等三大產(chǎn)品線(xiàn)接單均成長(zhǎng)，預(yù)估第三季營(yíng)運(yùn)將可締造高峰，并正面看待第四季展望。此外，在并購(gòu)日本測(cè)試廠TeraProbe及美光秋田廠后，公司將在日本建立完整的半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)，整體來(lái)看，對(duì)下半年?duì)I運(yùn)展望樂(lè)觀，全年?duì)I收及獲利可望改寫(xiě)歷史新高。

據(jù)了解，力成于6月初完成并購(gòu)TeraProbe，預(yù)估8月將完成并購(gòu)美光秋田廠，開(kāi)始認(rèn)列每月?tīng)I(yíng)收1.5億元。蔡篤恭表示，秋田廠與美光已簽訂三年合約，未來(lái)秋田廠將成為公司在日本的高階封測(cè)基地，加上有TeraProbe的晶圓測(cè)試產(chǎn)能挹注，可望于日本建立完整的生產(chǎn)線(xiàn)，聚焦日本汽車(chē)電子及物聯(lián)網(wǎng)芯片市場(chǎng)。

力成表示，目前來(lái)看，第三季營(yíng)運(yùn)展望樂(lè)觀，在DRAM方面，西安廠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出，因繪圖用GDDR需求強(qiáng)勁，有助于覆晶封裝及晶圓凸塊產(chǎn)能利用率；而下半年為MobileDRAM旺季，接單可望創(chuàng)新高；NANDFlash方面，下半年智能型手機(jī)進(jìn)入旺季，加上有重量級(jí)產(chǎn)品將推出，正面看待eMCP/eMMC的手機(jī)用存儲(chǔ)組件需求，且隨著下半年存儲(chǔ)器廠新產(chǎn)能將開(kāi)出，營(yíng)運(yùn)將再添新動(dòng)能。

SK海力士Q2凈利潤(rùn)同比暴增763％

SK海力士今天發(fā)布其截至2017年6月30日的2017第二季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。該公司在第二季度營(yíng)收、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)和凈利潤(rùn)上創(chuàng)下歷史新高。

SK海力士第二季度營(yíng)收6.69兆韓元（約合60億美元），營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3.05兆韓元（約合27億美元），凈利潤(rùn)2.47兆韓元（約合22億美元）。受益于第二季度良好的市場(chǎng)條件下DRAM價(jià)格繼續(xù)上漲，使其營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)比上季度分別增長(zhǎng)了6％和24％，同時(shí)凈利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)30％，同比暴增763％。

盡管移動(dòng)DRAM產(chǎn)品需求減弱，但是得益于服務(wù)器領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求以及服務(wù)器DRAM價(jià)格大幅增加，DRAMBit出貨量仍環(huán)比增長(zhǎng)3％，平均銷(xiāo)售價(jià)格上漲11％。服務(wù)器領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求將SK海力士服務(wù)器DRAM收益擴(kuò)大至30％左右。中國(guó)市場(chǎng)對(duì)移動(dòng)DRAM的需求有所疲軟，但值得樂(lè)觀的是，智能手機(jī)制造商對(duì)可存儲(chǔ)更多內(nèi)容的大容量DRAM的采用度正日益提升。

在嵌入式存儲(chǔ)方面，中國(guó)手機(jī)的實(shí)際需求較預(yù)期疲軟，同時(shí)有限的容量增長(zhǎng)帶來(lái)更高的成本負(fù)擔(dān)，隨著2D到3DNAND的逐漸過(guò)渡，未來(lái)供應(yīng)將實(shí)現(xiàn)較緩的增長(zhǎng)，而價(jià)格將持續(xù)走強(qiáng)。

由于智能手機(jī)需求增長(zhǎng)緩慢，NANDFlash位出貨量下降6％，由于每個(gè)NANDFlash產(chǎn)品類(lèi)別的芯片價(jià)格不斷上漲導(dǎo)致平均銷(xiāo)售價(jià)格上漲8％。

今年下半年，SK海力士通過(guò)以服務(wù)器和移動(dòng)應(yīng)用為中心的產(chǎn)品組合的運(yùn)作方式鞏固其在存儲(chǔ)市場(chǎng)的地位，預(yù)計(jì)在這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)需求。公司將擴(kuò)大高端移動(dòng)LPDDR4X產(chǎn)量，同時(shí)也將按照原先制定的下半年計(jì)劃大批量生產(chǎn)1xnmDRAM。

另外，SK海力士將在位于利川的M14工廠全面生產(chǎn)3DNAND。此外，SK海力士計(jì)劃在今年年底將其最新的72層3DNAND導(dǎo)入移動(dòng)解決方案和cSSD產(chǎn)品，在明年導(dǎo)入eSSD產(chǎn)品。