近十年來，國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關鍵技術自主可控方面已取得一定成效，但全球市場占比遠遠不足，高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達國家差距較大。為此，國家加大了對集成電路的制造、設計、工藝設備和材料的投資力度，并通過并購等形成了一批力量，為國家芯片產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展打下了重要基礎。

作為信息通信產(chǎn)業(yè)的重中之重，半導體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)的規(guī)模和技術水平?jīng)Q定了國家信息通信產(chǎn)業(yè)是否能在全球整體市場環(huán)境中占據(jù)優(yōu)勢，也決定了國家多個重要產(chǎn)業(yè)領域變革與轉型的發(fā)展速度。

隨著國家“互聯(lián)網(wǎng)+”、“中國制造2025”以及5G戰(zhàn)略的進一步推進，芯片領域面臨巨大的市場需求。有指出，截至目前，我國的芯片、傳感器、操作系統(tǒng)等核心基礎能力依然薄弱，高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達國家差距較大，芯片業(yè)已與原油并列成為我國進口份額最大的兩類產(chǎn)品。

2016年，中國集成電路進口額高達2271億美元，亦是連續(xù)第四年芯片產(chǎn)品進口費用超過2000億美元。與此同時，我國集成電路出口金額卻僅為613.8億美元，貿(mào)易逆差高達1657億美元。以傳感器為例，中高端傳感器進口比例達80%，傳感芯片進口比例達90%，跨國公司在中國MEMS傳感器市場占比高達60%，并缺乏引領產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)發(fā)展的龍頭企業(yè)。

盡管近十年來，國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關鍵技術自主可控方面已取得一定成效，但全球市場占比遠遠不足，且制造企業(yè)在規(guī)模、創(chuàng)新研發(fā)與設計以及生產(chǎn)承接能力方面依舊落后于全球領先廠商。長期依賴進口芯片無論是對于國民經(jīng)濟發(fā)展抑或是更高層面的國家安全均不是長久之計。

當前，中國在大力推動國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展和關鍵技術自主可控過程中，主要面臨著來自國內(nèi)和國外兩個層面的挑戰(zhàn)。

一方面，我國是全球芯片需求大國，芯片市場需求總量約占全球的1/3，芯片需求量之巨大可見一斑；另一方面，由于涉及到專利保護、技術封鎖等問題，未來通過直接從他國購買芯片設計和制造技術進行生產(chǎn)的方式，難度可能將進一步加大。

那如何在芯片領域實現(xiàn)更大突破呢？眾所周知，芯片業(yè)具備高投入、高風險、高回報以及技術密集、人才密集、資本密集的產(chǎn)業(yè)特性，這樣的產(chǎn)業(yè)特性就決定了需要在人才招募和培養(yǎng)、資金投入、技術創(chuàng)新突破和先進經(jīng)驗研究積累等方面集中優(yōu)勢化的密集資源。

為此，近些年國家加大了對集成電路的制造、設計、工藝設備和材料的投資力度，并通過并購等形成了一批力量，為國家芯片產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展打下了重要基礎。

7月6日，總投資30億元、一期投資15億元的寧夏銀和年產(chǎn)180萬片8英寸半導體硅拋光片項目在銀川經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)西區(qū)投產(chǎn)。該項目填補了國內(nèi)8英寸以上硅拋光片量產(chǎn)的空白，打破國外公司對中國半導體硅片材料市場的壟斷。

下一步，寧夏銀和半導體科技有限公司將投資60億元，啟動年產(chǎn)360萬片8英寸半導體硅拋光片項目和年產(chǎn)240萬片12英寸半導體硅拋光片項目，通過開展高品質(zhì)半導體硅片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，建成具有國際先進水平的8英寸和12英寸半導體硅片產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新研究和開發(fā)基地。

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