一個(gè)國際團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一種新奇技術(shù)，他們將高性能磁性存儲芯片移植到一塊柔性塑料表面，且無損其性能，得到的透明薄膜狀柔性“智能塑料”芯片有優(yōu)異的數(shù)據(jù)存儲和處理能力，有望成為柔性輕質(zhì)設(shè)備設(shè)計(jì)和研制的關(guān)鍵元件。
據(jù)19日報(bào)道，在最新研究中，科學(xué)家首先將氧化鎂基磁性隧道結(jié)（MTJ）種植在一個(gè)硅表面，接著蝕刻掉下面的硅，隨后使用一種轉(zhuǎn)印方法，在一個(gè)由聚對苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面，植入了一個(gè)磁性存儲芯片。
新設(shè)備在磁阻式隨機(jī)存取存儲器（MRAM）上的操作表明，MRAM的性能在很多方面強(qiáng)于傳統(tǒng)隨機(jī)存取存儲器計(jì)算機(jī)芯片，比如，處理速度更高、能耗更低、可在斷電后存儲數(shù)據(jù)等。
柔性電子設(shè)備尤以柔性磁存儲設(shè)備最吸睛，因?yàn)樗鼈兪强纱┐麟娮雍蜕镝t(yī)學(xué)設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲和處理的關(guān)鍵部件。盡管科學(xué)家已在不同存儲芯片和材料上進(jìn)行了多項(xiàng)研究，但在柔性基座上構(gòu)造高性能存儲芯片而無損其性能仍面臨巨大挑戰(zhàn)。為此，新加坡國立大學(xué)副教授楊賢秀（音譯）領(lǐng)導(dǎo)韓國延世大學(xué)、比利時(shí)根特大學(xué)、新加坡材料研究和工程研究所的科學(xué)家研發(fā)出了這種新技術(shù)。
楊賢秀表示：“我們是首個(gè)在柔性表面構(gòu)造磁性存儲器的團(tuán)隊(duì)。實(shí)驗(yàn)證明，新設(shè)備的隧道磁電阻能達(dá)到300%，同時(shí)，我們也設(shè)法提升了對開關(guān)的控制能力，從而使這一柔性磁芯片能更快地傳輸數(shù)據(jù)。”
該團(tuán)隊(duì)最近在美國和韓國為這項(xiàng)技術(shù)申請了專利，他們正在進(jìn)一步提升該設(shè)備的磁阻，并計(jì)劃將其應(yīng)用于其他電子設(shè)備。
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