中國(guó)終于下決心要做存儲(chǔ)器芯片，武漢新芯計(jì)劃投資240億美元，于2018年開(kāi)始量產(chǎn)3DNAND閃存，引起全球的熱議?？陀^地說(shuō)能夠下這樣的決心是十分不易，國(guó)內(nèi)國(guó)外抱懷疑者很多，基本上反映中國(guó)欲進(jìn)軍存儲(chǔ)器業(yè)的現(xiàn)實(shí)。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)處于特定環(huán)境中，提出產(chǎn)業(yè)的自主可控是迫不得已。西方總是冷眼相對(duì)，控制及干擾我們的先進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，所以中國(guó)在CPU方面的開(kāi)發(fā)至少己有20年的歷史。

如今中國(guó)的國(guó)力己大增，集成電路產(chǎn)業(yè)具一定規(guī)模，似乎資金方面、與之前大不同，己有所積累，所以此次下決心選擇存儲(chǔ)器芯片作為IDM模式的突破口，主要是產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，也是眾望所歸。

歸納起來(lái)，目前存儲(chǔ)器有三個(gè)方面的力量正在聚集，一個(gè)是政府主導(dǎo)的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據(jù)說(shuō)己經(jīng)有9層3DNAND樣品。另一個(gè)是紫光，它的策略是先通過(guò)兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個(gè)是兩個(gè)地方政府，福建與合肥，它們?cè)噲D尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團(tuán)隊(duì)后再前進(jìn)。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM，未來(lái)技術(shù)將授權(quán)給晉華，同時(shí)聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。

依目前的態(tài)勢(shì)由于做的產(chǎn)品不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對(duì)象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。

然而依照中國(guó)的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲(chǔ)器生產(chǎn)線，所以未來(lái)可能還要等2-3年時(shí)間的觀察，結(jié)果才會(huì)更加明朗。

個(gè)人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時(shí)技術(shù)方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來(lái)至少國(guó)家一定會(huì)支持到底，相對(duì)有成功的可能與希望。

近期又傳來(lái)紫光可能與新芯合作的方案，對(duì)于雙方可能都是個(gè)理性的選擇。但是要與美光合作變成中國(guó)版的“華亞科”模式有些擔(dān)憂。

因?yàn)榇朔N跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔(dān)心美光會(huì)采取不同的技術(shù)轉(zhuǎn)移策略，讓中國(guó)處于最低端，因此要慎之又慎。

如果未來(lái)由英特爾，三星，海力士，臺(tái)積電，聯(lián)電，GF及力晶等獨(dú)資以及“穿馬甲”的公司來(lái)主導(dǎo)中國(guó)的芯片制造業(yè)，對(duì)于如中芯國(guó)際，華力微等企業(yè)的成長(zhǎng)并非有利。因此要全面正確的認(rèn)清當(dāng)前形勢(shì)，從道理上如中芯國(guó)際等企業(yè)應(yīng)該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。

分析3DNAND閃存芯片制造基本上要過(guò)兩道難關(guān)，一個(gè)是過(guò)技術(shù)關(guān)。不管是32層，48層要能做出來(lái)，這一步最為重要，而且性能與成本上的差距不能太懸殊：另一個(gè)是準(zhǔn)備迎接IP及價(jià)格戰(zhàn)，當(dāng)中國(guó)真正做出產(chǎn)品后是無(wú)法避免的。

由于存儲(chǔ)器投資巨大，在具體操作方面既要有足夠信心，同時(shí)要慎之又慎。據(jù)SEMI報(bào)道，3DNAND生產(chǎn)線，每1，000片的投資需55-65M美元，如若月產(chǎn)能200，000片，需要130億美元，而且要計(jì)及之后每3年左右要作技術(shù)升級(jí)的投資。

另?yè)?jù)2010年12月資料，介紹3D閃存制作工藝（由于制造工藝各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整）；3DNAND技術(shù)在產(chǎn)品生產(chǎn)上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長(zhǎng)后，使用光罩及刻蝕，隨后連續(xù)成長(zhǎng)8層薄膜及刻蝕之后，最后便只需一道光罩，總計(jì)需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出，其BitCostscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用這種技術(shù)。

目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT；東芝的P-BiCS和3DVG，都屬于一體成形3D內(nèi)存技術(shù)，可大幅降低生產(chǎn)成本。

堅(jiān)持下去才有成功希望

目前業(yè)界的心態(tài)是能迅速上馬，最希望的能有技術(shù)合作伙伴呈現(xiàn)，甚至更有人期望通過(guò)兼并，一下子躍升至該有的高度。實(shí)際上的結(jié)果是至此無(wú)人響應(yīng)，全球存儲(chǔ)器廠商集體的“袖手旁觀”。

其實(shí)這樣的結(jié)果是意料之中，并非是壞事，至少斷了想依賴有人能幫助我們的念想。因?yàn)榧幢阌腥四芘c中國(guó)進(jìn)行技術(shù)合作，等于上了別人設(shè)計(jì)的軌道，誰(shuí)也明白最先進(jìn)的技術(shù)不可能給中國(guó)，而沿著別人軌道走會(huì)更難受，等于束縛了自已的手腳。

3DNAND閃存在全球競(jìng)爭(zhēng)的態(tài)勢(shì)是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達(dá)256Gb，48層之外，其它對(duì)手們幾乎都在追趕。隨著CVD工藝淀積層數(shù)的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時(shí)，要達(dá)到60：1及70：1的付蝕已經(jīng)很難。所以這個(gè)球己踢給設(shè)備供應(yīng)商，它們要獲得訂單必須要為客戶解決難關(guān)。而據(jù)來(lái)自半導(dǎo)體設(shè)備廠的消息，未來(lái)128層尚有希望。這樣在對(duì)手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線成功的希望。

不管如何，現(xiàn)階段的自行研發(fā)一定要加緊突破，32層及48層都是前進(jìn)中的關(guān)鍵點(diǎn)，而且一定要把研發(fā)與量產(chǎn)結(jié)合在一起，改變之前兩者脫節(jié)的弊病。同時(shí)要充分利用好設(shè)備制造商，它們手中握有許多關(guān)鍵工藝技術(shù)，在提供設(shè)備的同時(shí)與我們分享。

未來(lái)它們對(duì)付中國(guó)的方法可能是首先打IP戰(zhàn)，控制技術(shù)與人材流失，以及最后一招是打價(jià)格戰(zhàn)，讓中國(guó)的企業(yè)在財(cái)務(wù)方面無(wú)法承受。因此現(xiàn)階段對(duì)手們是集體的“袖手旁觀”，等著看中國(guó)出錯(cuò)，最好是讓我們知難而退。

對(duì)于中國(guó)存儲(chǔ)器芯片制造項(xiàng)目，一定是場(chǎng)艱難的仗。

預(yù)計(jì)無(wú)論是3DNAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國(guó)要解決的是從無(wú)到有的問(wèn)題，相信是完全可能的，然而由于采用技術(shù)的不同，以及制造成本方面的顯著差異，未來(lái)可能的痛點(diǎn)是在面臨巨額虧損下不動(dòng)搖，不氣餒，只有堅(jiān)持下去才有成功的希望。在此點(diǎn)上需要決策層面早有充分的預(yù)案與準(zhǔn)備。

引用麥肯錫亞太區(qū)半導(dǎo)體咨詢業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人唐睿思說(shuō)，“我一直在強(qiáng)調(diào)一個(gè)重點(diǎn)，就是要有長(zhǎng)期的耐心資本，需等待很長(zhǎng)時(shí)間才能見(jiàn)效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會(huì)有進(jìn)步，執(zhí)行力更好、有更多業(yè)務(wù)……在半導(dǎo)體行業(yè)成功是沒(méi)有捷徑的！”

“投資沒(méi)耐心是制約中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要因素。很多投資人或企業(yè)想要三五年就獲得回報(bào)，很難實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體制造行業(yè)投資成功在中國(guó)可能需要十年左右的時(shí)間”。

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