國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片取得新進(jìn)展,將倒逼三星降價(jià)

時(shí)間:2017-02-21

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導(dǎo)語(yǔ):我國(guó)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展,32層3D NAND芯片順利通過(guò)電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試,達(dá)到預(yù)期要求。

芯片對(duì)于一國(guó)來(lái)說(shuō)顯得至關(guān)重要,這些年國(guó)家開(kāi)始大舉發(fā)展國(guó)產(chǎn)芯片。過(guò)去芯片一直被韓國(guó)、美國(guó)等壟斷,在議價(jià)、出貨量方面顯得被動(dòng)不堪?,F(xiàn)在我國(guó)開(kāi)始發(fā)展芯片,希望能夠滿足本國(guó)市場(chǎng)70%的需求?,F(xiàn)在引來(lái)新的消息,我國(guó)3DNAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展,32層3DNAND芯片順利通過(guò)電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試,達(dá)到預(yù)期要求。

目前市場(chǎng)上許多固態(tài)硬盤(pán)(SSD)都已經(jīng)轉(zhuǎn)向3DNAND閃存。因?yàn)椋徽撌切阅?,還是容量,或者是使用壽命,3DNAND閃存都要比傳統(tǒng)2DNAND閃存好得多。而且,廠商也會(huì)借此來(lái)降低生產(chǎn)成本,以提高產(chǎn)量。事實(shí)上,在轉(zhuǎn)向3DNAND生產(chǎn)方面,實(shí)力最強(qiáng)的仍以韓國(guó)三星領(lǐng)先,東芝(Toshiba)/Sandisk與SK海力士其次,我國(guó)還是空白。

三星始作俑者導(dǎo)致存儲(chǔ)器漲價(jià),三星霸主地位使得三星有能力主導(dǎo)價(jià)格提升,彌補(bǔ)Note7爆炸導(dǎo)致的巨額損失。由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。2015年中,國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),現(xiàn)在啟動(dòng)的是第一期,主要目標(biāo)是生產(chǎn)3DNAND閃存,2018年將啟動(dòng)第二期建設(shè),規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片,2019年啟動(dòng)第三期建設(shè),主要目標(biāo)是代工服務(wù),產(chǎn)能也會(huì)越來(lái)越大。過(guò)去中國(guó)缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個(gè)大問(wèn)題,現(xiàn)在問(wèn)題解決了已經(jīng)在布局了。

外媒報(bào)道稱,中國(guó)這樣的新一輪大規(guī)模國(guó)產(chǎn)化攻勢(shì)或?qū)?dòng)搖以美國(guó)為首隨后是韓國(guó)、日本和臺(tái)灣地區(qū)主導(dǎo)的世界市場(chǎng)。在鋼鐵、船舶建造、太陽(yáng)能面板之后,中國(guó)大陸這個(gè)亞洲巨頭又打算通過(guò)巨額投資的模式再一次擊暈對(duì)手。不過(guò)直到目前,三星和臺(tái)積電都處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先位置。這些企業(yè)是在上世紀(jì)80年代實(shí)施的發(fā)展戰(zhàn)略的成果?,F(xiàn)在3DNAND存儲(chǔ)器芯片研發(fā)系列工作得到了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光控股、湖北省國(guó)芯投資、湖北省科投的大力支持。

大家都看得到,中國(guó)做存儲(chǔ),做NAND存儲(chǔ),是必然的。消息是振奮人心的,但道路可預(yù)見(jiàn)也是坎坷崎嶇的。中國(guó)做存儲(chǔ)是必然的,區(qū)別只是或早或晚,所有一切都是從零開(kāi)始,今天不去做,明天碰到的困難還是那么多。期待中國(guó)企業(yè)可以在存儲(chǔ)行業(yè)占一席之地的未來(lái)。

記憶體業(yè)者自相殘殺,等到中國(guó)廠商進(jìn)入市場(chǎng),情況將急轉(zhuǎn)直下。報(bào)告稱,中國(guó)可能是足以顛覆市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者,他們財(cái)力雄厚,等到供給上線后,市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3DNAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商4~5年,他們打算狂燒資本加緊追趕,等到量產(chǎn)之后,市場(chǎng)供給過(guò)剩將更加惡化。外媒報(bào)告稱,中國(guó)可能是足以顛覆市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)者,目前國(guó)產(chǎn)3D閃存還在奮力追趕競(jìng)爭(zhēng)者。

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