半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年下半年同樣受到終端需求疲弱、供應(yīng)鏈庫(kù)存修正影響業(yè)績(jī)表現(xiàn)，迎接2012年的到來，市場(chǎng)預(yù)期供應(yīng)鏈庫(kù)存去化完成后將有望帶起新的一波備庫(kù)存動(dòng)能，第一季將是落底時(shí)機(jī)；大和證券也在最新報(bào)告中針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備與DRAM族群提出看法，認(rèn)為由行動(dòng)裝置推升的高階制程需求將是設(shè)備業(yè)明年表現(xiàn)主軸，而DRAM價(jià)格預(yù)料將在明年第一季后才有機(jī)會(huì)出現(xiàn)反彈狀況。
針對(duì)明年半導(dǎo)體設(shè)備族群表現(xiàn)，大和證券認(rèn)為，在臺(tái)積電與英特爾等大廠資本支出都可能減少的情況下都可能減少的情況下，預(yù)估明年半導(dǎo)體大廠資本支出將較今年減少9%，不過，行動(dòng)裝置需求的持續(xù)強(qiáng)勁將推升半導(dǎo)體新制程的需求，象是28納米、32納米制程的支出擴(kuò)增幅度都可望高于大和證券原先的預(yù)期，另外，三星在LSI制程的資本支出將最為積極，激勵(lì)其整體資本支出規(guī)模。
另一方面，近期在爾必達(dá)傳出財(cái)務(wù)危機(jī)也引發(fā)市場(chǎng)對(duì)于DRAM廠洗牌的揣測(cè)，大和證券也在最新報(bào)告中指出，PC供應(yīng)鏈庫(kù)存雖然已降得很低，但是在泰國(guó)水患以及需求不確定的影響下，PC用DRAM價(jià)格要大幅反彈的機(jī)會(huì)并不高，預(yù)估要到明年第一季才有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格大幅反彈的現(xiàn)象，而今年DRAM廠獲利寒冬再現(xiàn)，除了三星之外，DRAM廠幾乎全軍覆沒，大和證券預(yù)期，臺(tái)廠可能出現(xiàn)再減產(chǎn)，或是退出標(biāo)準(zhǔn)型市場(chǎng)狀況。
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