單芯片內(nèi)存條或?qū)⑼瞥?/p>

時(shí)間:2011-09-09

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):InvensasCorporation今天宣布,將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF2011上展示自己的新型多die面朝下內(nèi)存封裝技術(shù)“xFD”

  TesseraTechnologies,Inc.旗下全資子公司InvensasCorporation今天宣布,將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF2011上展示自己的新型多die面朝下內(nèi)存封裝技術(shù)“xFD”,比傳統(tǒng)的雙die封裝形式(DDP)更進(jìn)一步。也許在未來(lái)的某一天,我們將能夠看到只有兩顆乃至一顆芯片的內(nèi)存條了。

  xFD全稱(chēng)multi-dieface-down,是一種基于焊線(xiàn)(wirebond)的多die封裝技術(shù),將多顆DRAMIC以面朝下的方式封裝在一顆芯片內(nèi),并采用類(lèi)似windows-BGA封裝的短焊線(xiàn)結(jié)構(gòu),號(hào)稱(chēng):

  -提升容量,整體元件尺寸比傳統(tǒng)方案縮小25-35%,主要是垂直高度大大降低;

  -增強(qiáng)電氣性能,同時(shí)因?yàn)樯舷耫ie性能均衡而可將良品率提升50-70%;

 ?。葌鹘y(tǒng)雙die封裝(DDP)熱傳輸效率提升20-30%。

  xFD技術(shù)現(xiàn)在有兩種形式,一是“DFD”(DualFaceDown),單芯片封裝兩顆x4/x8/x16DRAMdie,其中x4/x8版本采用104BGA封裝,尺寸11.5×11.5毫米,x16版本采用136BGA封裝,尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。

  二是“QFD”(QuadFaceDown),單芯片封裝四顆x8/x15DRAMdie,256BGA封裝,尺寸16.2×16.2毫米。

  如果你擔(dān)心這種封裝下的內(nèi)存性能的話(huà),Invensas公司宣稱(chēng)其可在2133MHz高頻率下運(yùn)行,而且經(jīng)過(guò)了完全調(diào)試和認(rèn)證。

  InvensasxFD封裝技術(shù)主要面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、筆記本和其它移動(dòng)設(shè)備,但何時(shí)能夠出現(xiàn)在市面上還不得而知。

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