第三代TrenchFET^®功率MOSFET在2mm x 2mm占位面積內(nèi)及4.5V電壓下提供54mΩ超低導(dǎo)通電阻

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET^®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK^® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

      新的 SiA923EDJ可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機(jī)、MP3播放器、平板電腦和電子書等手持設(shè)備中的充電和負(fù)載開關(guān)。更低的MOSFET導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在這些設(shè)備中節(jié)省電能并延長兩次充電之間的電池壽命。

      SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V時分別具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低導(dǎo)通電阻。具有8V柵源電壓等級且性能最接近的P溝道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V時的導(dǎo)通電阻為60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分別比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

      MOSFET在1.5V電壓下就能導(dǎo)通，因而能夠配合手持設(shè)備中常用的電壓更低的柵極驅(qū)動器和更低的總線電壓一起工作，不需要在電平轉(zhuǎn)換電路上浪費(fèi)空間和成本。SiA923EDJ的低導(dǎo)通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封裝只有TSOP-6的一半大小，而導(dǎo)通電阻則相近或更佳，并且在相同環(huán)境條件下的散熱多65%。

      SiA923EDJ經(jīng)過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護(hù)達(dá)2500V。

      SiA923EDJ與此前發(fā)布的具有12V最大柵源電壓等級的20V SiA921EDJ P溝道MOSFET互為補(bǔ)充。隨著SiA923EDJ的發(fā)布，設(shè)計者現(xiàn)在可以從具有更高柵極驅(qū)動電壓的SiA921EDJ或具有更低閾值電壓及更低導(dǎo)通電阻的器件當(dāng)中選擇合適的產(chǎn)品。

      新款SiA923EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。