2019年3月7日，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款30V和40V汽車級(jí)p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK?SO-8L封裝，有效提升板級(jí)可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認(rèn)證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節(jié)省PCB空間并降低成本，同時(shí)導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mmx6mm封裝MOSFET。
由于需要很高功率，12V汽車系統(tǒng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和主電源要求MOSFET在各種應(yīng)用中具有極低的導(dǎo)通電阻，如電池反向極性保護(hù)和高邊開關(guān)。VishaySiliconix-30VSQJ407EP和-40VSQJ409EP在10V條件下，導(dǎo)通電阻分別為4.4mW和7.0mW，完全可以滿足這種要求。此外，作為p溝道MOSFET，兩款器件是理想的負(fù)載開關(guān)，不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
日前發(fā)布的MOSFET工作溫度可達(dá)+175°C，同時(shí)鷗翼引線結(jié)構(gòu)可緩解溫度循環(huán)過程中、主板彎曲、振動(dòng)和意外跌落產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，與剛性QFN封裝相比，具有更加優(yōu)異的板級(jí)可靠性。鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)過程獲得更加一致可靠的結(jié)果。
器件采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100%Rg和UIS測試。
SQJ407EP和SQJ409EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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