從國家發(fā)改委了解到，為推動(dòng)節(jié)能降耗，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家發(fā)改委等有關(guān)部門將對(duì)安排補(bǔ)貼資金支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。
隨著我國智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車以及節(jié)能家電等市場的發(fā)展，對(duì)5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。2009年我國IGBT市場為53億元左右，而未來幾年隨著節(jié)能減排的推進(jìn)，IGBT市場規(guī)模將年增20%-30%。
但是，由于我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進(jìn)口。對(duì)此，國家發(fā)改委明確表示，2010年將支持金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢復(fù)二極管(FRD)等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。
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