為滿足電子產(chǎn)品消費性市場「短小輕薄」與「功能多樣化」及電子產(chǎn)品制造商「降低成本」的需求，最上游端半導(dǎo)體供貨商除靠制程微縮來達(dá)成此目標(biāo)外，「異質(zhì)整合」也是達(dá)成上述目標(biāo)的重要芯片研發(fā)方向之一。 半導(dǎo)體「異質(zhì)整合」技術(shù)是以將數(shù)字電路、模擬電路、混合訊號或射頻電路各種不同功能與類別的組件設(shè)計整合在單一芯片上的系統(tǒng)單芯片（SystemonChip；SoC）為主流。另外，透過封裝技術(shù)將芯片堆棧于同一顆IC中的系統(tǒng)級封裝（SysteminPackage；SiP）則是另一種異質(zhì)整合3DIC技術(shù)。 然而，SoC設(shè)計難度太高、設(shè)計時間及設(shè)計成本相對偏高，無法達(dá)到實時上市（TimetoMarket）要求。SiP則靠導(dǎo)線來傳輸堆棧芯片間的訊號，若堆棧芯片層數(shù)較多時，連接上層芯片導(dǎo)線就必須拉長，增加傳輸路徑長度，因此傳輸速度較慢，也較SoC耗電。也因此，以提升效能為訴求同時符合容量倍增與異質(zhì)整合等需求的硅穿孔（ThroughSiliconVia；TSV）3DIC技術(shù)也就應(yīng)運而生。 所謂TSV3DIC技術(shù)系在晶圓上以刻蝕或雷射的方式鉆孔，再將如銅、多晶硅、鎢等導(dǎo)電材料填入鉆孔中，進(jìn)而形成導(dǎo)電通道，接著再經(jīng)過晶?‵洶L程后，最后再將薄型化的晶圓或晶粒堆棧、結(jié)合而成為3DIC。 TSV技術(shù)的訊號是透過鉆孔后導(dǎo)電通道進(jìn)行傳輸，因此，連接路徑較SoC、SiP更短，使得上下層芯片間傳輸速度更快、噪聲更小，使得芯片效能獲得有效提升。 然而，TVS制程技術(shù)貫穿晶圓代工與封裝測試領(lǐng)域，具有垂直整合與一貫化生產(chǎn)特性的整合組件廠（IDM）較具備競爭優(yōu)勢。雖然臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從IC設(shè)計、晶圓代工，到下游端封裝測試，擁有非常成熟且完整的產(chǎn)業(yè)鏈，但單就半導(dǎo)體制造端來看，需要晶圓代工業(yè)者與封裝測試業(yè)者更加緊密結(jié)合，才能具備生產(chǎn)競爭力與成本優(yōu)勢。 事實上，包括IBM、英特爾（Intel）、意法（STM）、NXP、美光（Micron）、爾必達(dá)（Elpida）、Sony、NEC、Renesas、三星電子（SamsungElectronics）、海力士（Hynix）等國際級整合組件廠投入TSV研發(fā)確實相當(dāng)積極，多數(shù)整合組件廠在2009年都已進(jìn)入小量試產(chǎn)階段，預(yù)計到2010年TSV3DIC將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。至于臺灣半導(dǎo)體業(yè)者中，臺積電要到2010年才會導(dǎo)入TSV3DIC技術(shù)，而DRAM廠商南亞科技則要到2012年才有機(jī)會導(dǎo)入生產(chǎn)。 然而，自2007年第4季二房危機(jī)所引發(fā)?嵽y金融海嘯以來，包括意法、NXP、美光、爾必達(dá)、Renesas、海力士等IDM都遭遇嚴(yán)重虧損，在關(guān)廠、裁員、縮減資本支出與研發(fā)費用等措施運作下，資產(chǎn)輕量化并擴(kuò)大委外代工亦成為降低成本必然策略。 在此經(jīng)濟(jì)背景下，衍生出兩個重大方向。其一、正因為多數(shù)IDM遭遇嚴(yán)重虧損，財務(wù)結(jié)構(gòu)大幅惡化，手中現(xiàn)金有限，也將不得不放緩3DIC研發(fā)腳步。目前仍有充裕財力可以投入3DIC研發(fā)的整合組件廠商只有IBM、英特爾及三星，而這3家整合組件廠將成為臺灣半導(dǎo)體廠商進(jìn)入3DIC市場最主要競爭者。 其二、也因在降低成本考慮下，讓IDM資產(chǎn)輕量化與擴(kuò)大委外代工成為趨勢，未來在3DIC領(lǐng)域發(fā)展，亦不排除只負(fù)責(zé)設(shè)計與銷售，而制造則委托給具有3DIC制造能力的晶圓代工與封裝測試廠商進(jìn)行。 也因此，擁有3DIC制造技術(shù)，將有利于臺積電、聯(lián)電、日月光、硅品等臺灣半導(dǎo)體制造業(yè)者爭取如英特爾、德儀、超威（AMD）、高通（Qualcomm）、博通（Broadcom）等國際半導(dǎo)體大廠訂單，成為臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來重要的成長動力來源。（更完整分析請見DIGITIMESResearchIC制造服務(wù)）