臺(tái)積電一條龍布局再突破,完成全球首顆3DIC封裝技術(shù)

時(shí)間:2019-04-23

來源: 集微網(wǎng)

導(dǎo)語:4月22日,臺(tái)積電一條龍布局再突破,完成全球首顆3DIC封裝技術(shù),預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電3DIC封裝技術(shù)主要為未來蘋果新世代處理器導(dǎo)入5納米以下先進(jìn)制程,整合人工智能(AI)與新型存儲(chǔ)器的異質(zhì)芯片預(yù)作準(zhǔn)備,有望持續(xù)獨(dú)攬?zhí)O果大單。

4月22日,臺(tái)積電一條龍布局再突破,完成全球首顆3DIC封裝技術(shù),預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電3DIC封裝技術(shù)主要為未來蘋果新世代處理器導(dǎo)入5納米以下先進(jìn)制程,整合人工智能(AI)與新型存儲(chǔ)器的異質(zhì)芯片預(yù)作準(zhǔn)備,有望持續(xù)獨(dú)攬?zhí)O果大單。

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臺(tái)積電近幾年推出的CoWoS架構(gòu)及整合扇出型封狀等原本就是為了通過芯片堆疊摸索后摩爾定律時(shí)代的路線,而真正的3D封裝技術(shù)的出現(xiàn),更加強(qiáng)化了臺(tái)積電垂直整合服務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。尤其未來異質(zhì)芯片整合將會(huì)是趨勢(shì),將處理器、數(shù)據(jù)芯片、高頻存儲(chǔ)器、CMOS圖像傳感器與微機(jī)電系統(tǒng)等整合在一起。

臺(tái)積電向來不評(píng)論接單與客戶狀況。業(yè)界認(rèn)為,臺(tái)積電正式揭露3DIC封裝邁入量產(chǎn)時(shí)程,意味全球芯片后段封裝進(jìn)入真正的3D新紀(jì)元,臺(tái)積電掌握先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)后,結(jié)合先進(jìn)后段封裝技術(shù),對(duì)未來接單更具優(yōu)勢(shì),將持續(xù)維持業(yè)界領(lǐng)先地位。

先進(jìn)封裝近來被視為延伸摩爾定律的利器,透過芯片堆疊,大幅提升芯片功能。臺(tái)積電這幾年推出的CoWoS及整合扇出型封裝(InFO),就是因應(yīng)客戶希望一次到位,提供從芯片制造到后段封裝的整合服務(wù)。

臺(tái)積電積極投入后端的半導(dǎo)體封裝技術(shù),預(yù)計(jì)日月光、矽品等封測(cè)大廠也會(huì)加速布建3DIC封裝的技術(shù)和產(chǎn)能。不過這并不容易,需要搭配難度更高的工藝,如硅鉆孔技術(shù)、晶圓薄化、導(dǎo)電材質(zhì)填孔、晶圓連接及散熱支持等,預(yù)計(jì)各大廠也將進(jìn)入新的技術(shù)資本競(jìng)賽。

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臺(tái)積電總裁魏哲家表示,盡管半導(dǎo)體處于淡季,但看好高性能運(yùn)算領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求,且臺(tái)積電客戶組合將趨向多元化。不過目前臺(tái)積電的主要?jiǎng)幽苋詠碜杂?nm制程,3D封裝等先進(jìn)技術(shù)屆時(shí)應(yīng)該還只有少數(shù)客戶會(huì)采用,業(yè)界猜測(cè)蘋果手機(jī)處理器應(yīng)該仍是首先引進(jìn)最新制程的訂單。更進(jìn)一步的消息,要等到5月份才會(huì)公布。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào),CoWoS及整合扇出型封裝(InFO)仍是2.5DIC封裝,為了讓芯片效能更強(qiáng),芯片業(yè)花了相當(dāng)?shù)臅r(shí)間,開發(fā)體積小、功能更復(fù)雜的3DIC,這項(xiàng)技術(shù)需搭配難度更高的矽鉆孔(TSV)技術(shù),以及晶圓薄化、導(dǎo)電材質(zhì)填孔、晶圓連接及散熱支持。

盡管臺(tái)積電未透露合作開發(fā)對(duì)象,業(yè)界認(rèn)為,3DIC封裝技術(shù)層次非常高,主要用來整合最先進(jìn)的處理器、數(shù)據(jù)芯片、高頻存儲(chǔ)器、CMOS影像感應(yīng)器與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),一般需要這種技術(shù)的公司,多是國際知名系統(tǒng)廠。以臺(tái)積電技術(shù)開發(fā)藍(lán)圖研判,蘋果應(yīng)該是首家導(dǎo)入3DIC封裝技術(shù)的客戶。

臺(tái)積電5nm制程已于本月初順利進(jìn)入試產(chǎn)階段,魏哲家表示,預(yù)計(jì)5nm制程一開始起步將會(huì)比7nm慢一些,但由于極紫外光(EUV)技術(shù)成熟度會(huì)加快,讓很多芯片能更有效率,因此看好5nm整體放量速度將會(huì)比7nm要快,并成為臺(tái)積電下一波成長(zhǎng)主力。


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