SEMIKRON(賽米控)新一代 IGBT產品,SEMiXTM:靈活+可擴展

時間:2006-09-09

來源:賽米控(香港)有限公司

導語:在半橋、斬波、六單元的技術領域,SEMiXTM 系列廣泛應用于電力電子系統(tǒng)中。

在半橋、斬波、六單元的技術領域,SEMiXTM 系列廣泛應用于電力電子系統(tǒng)中。 由于總的高度小 (電源終端高度:17 mm)。 使用相同的芯片,SEMiXTM 模塊可提供的功率容積密度幾乎相當于62-mm 模塊的2倍。SEMiXTM 將首先推出3種模塊尺寸:SEMiXTM 2, SEMiXTM 3 和六單元SEMiXTM 33。SEMiXTM 系列是一種平臺式設計,可提供適用于各種功率檔的不同尺寸模塊。 SEMiXTM 產品包括600V, 1200V 和1700V IGBT3 trench 技術; 1200V 模塊也采用了IGBT3的平面工藝,電流范圍為200A ~700A。 所用的續(xù)流二極管是一種CAL二極管,具有極高的動態(tài)魯棒性。續(xù)流二極管用于快速開關和硬開關。二極管的軟恢復功能可在整個溫度范圍內降低EMC的干擾性。 IGBT模塊系列的主要優(yōu)勢是適用范圍廣:SEMiXTM 不僅支持外部驅動,而且還支持內部驅動(IPM)。用于外部驅動時,模塊主要用作標準的插塞式連接器;而用于IPM 的解決方案時,則驅動是模塊內部的一個組成部分。逆變器可用一個六單元或單獨隔熱半橋來設計。使用半橋設計大約可減少20%的熱阻抗,如溫度保持恒定不變,則可使負載容量提高15%,或者可使芯片溫度降低10-15°C,從而提高耐久性。 新一代SEMiXTM IGBT產品是特別為中功率和大功率的驅動器、變頻器設計的。
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