IGBT產(chǎn)品應(yīng)用進(jìn)軍消費(fèi)類電子產(chǎn)品 未來(lái)增長(zhǎng)將極為迅速

時(shí)間:2013-09-25

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導(dǎo)語(yǔ):IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,Yole分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步,具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報(bào)告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用。

IGBT已經(jīng)是非常成熟的產(chǎn)品,目前在中高電壓領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)16億美元。未來(lái)IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢(shì),以滿足電視機(jī)、計(jì)算機(jī)適配器和照相機(jī)等消費(fèi)類目標(biāo)應(yīng)用需求,從而搶占更多市場(chǎng)。與此同時(shí),在上述應(yīng)用中的SJMOSFET可提供更快的開關(guān)頻率和具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,2012年年底,SJMOSFET市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)5.67億美元。

功率電子領(lǐng)域主要負(fù)責(zé)DC-DC轉(zhuǎn)換、AC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工作。需要更輕更小更高效率更便宜,目前有4種技術(shù)來(lái)對(duì)應(yīng)這些要求,分別是siliconIGBT,SuperJunction(SJ)MOSFETs,GalliumNitride(GaN)SiliconCarbide(SiC)-baseddevices。

事實(shí)上,IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器(MotorDrive)、不斷電動(dòng)力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)源。

IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,Yole分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步,具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報(bào)告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用,區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的最大動(dòng)力。

如風(fēng)能、太陽(yáng)能等再生能源領(lǐng)域也是IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的幫手;不過(guò),這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)多賴政府補(bǔ)助或投資,難以正確預(yù)估其成長(zhǎng)趨勢(shì)。幸運(yùn)的是,日本與新興國(guó)家對(duì)風(fēng)能與太陽(yáng)能多加關(guān)助所帶動(dòng)的成長(zhǎng),約可彌補(bǔ)歐洲市場(chǎng)的成長(zhǎng)趨緩?;趯?duì)提高能源效率的要求,大眾運(yùn)輸及不斷電電源系統(tǒng)這兩個(gè)基礎(chǔ)建設(shè)對(duì)IGBT的採(cǎi)用,也是推動(dòng)市場(chǎng)的助力。

未來(lái)伴隨IGBT技術(shù)的發(fā)展,IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用,成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng),軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場(chǎng)。據(jù)IHSiSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策,2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。2011年IGBT銷售額將達(dá)到8.59億美元,2015年有望達(dá)到13億美元。

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