近年來，我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國民經(jīng)濟發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視，國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。然而，在科研和產(chǎn)業(yè)化不斷取得突破的同時，全行業(yè)仍面臨諸多困難，尤其是關(guān)鍵技術(shù)受制于人，嚴(yán)重影響行業(yè)持續(xù)發(fā)展。
　　

得到政策扶持
      電力電子器件產(chǎn)業(yè)直接關(guān)系到變流技術(shù)的發(fā)展與進步，其技術(shù)水平成為建設(shè)節(jié)約型社會和創(chuàng)新型國家的關(guān)鍵因素。
      隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展和市場需求的增加，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求非常緊迫，而且需求量也非常大。預(yù)計國內(nèi)每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達到50萬只以上。然而目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。
　　以IGBT為例，全球IGBT主要供應(yīng)商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數(shù)幾家公司。目前，我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此，在技術(shù)上長期受制于人，這對國民經(jīng)濟的健康發(fā)展與國家安全極其不利。
　　為貫徹落實“十一五”高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，全面落實科學(xué)發(fā)展觀，推進節(jié)能降耗，促進電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，根據(jù)國家發(fā)改委《關(guān)于組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項有關(guān)問題的通知》，我國將實施電力電子器件產(chǎn)業(yè)專項政策，提高新型電力電子器件技術(shù)和工藝水平。
　　其主要內(nèi)容包括：促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展，滿足市場需求，以技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級推進節(jié)能降耗；推動產(chǎn)、學(xué)、研、用相結(jié)合，突破核心基礎(chǔ)器件發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，完善電力電子產(chǎn)業(yè)鏈，促進具有自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片和技術(shù)的推廣應(yīng)用；培育骨干企業(yè)，增強企業(yè)自主創(chuàng)新能力。
　　其主要支持的重點領(lǐng)域有：在芯片產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）、快恢復(fù)二極管（FRD）、功率集成電路（PIC）、IGCT等產(chǎn)品的芯片設(shè)計、制造、封裝測試和模塊組裝。
　　在模塊產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持電力電子器件系統(tǒng)集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）。
　　在應(yīng)用裝置產(chǎn)業(yè)化方面，重點圍繞電機節(jié)能、照明節(jié)能、交通、電力、冶金等領(lǐng)域需求，支持應(yīng)用具有自主知識產(chǎn)權(quán)芯片和技術(shù)的電力電子裝置。
　　

仍需突破創(chuàng)新
　　在產(chǎn)業(yè)政策支持和國民經(jīng)濟發(fā)展的推動作用下，我國電力電子產(chǎn)業(yè)化水平近年來有很大提高。通過技術(shù)上的不斷探索與追求，使其技術(shù)水平逐步與國際水平接近，尤其是在一些高端市場領(lǐng)域已經(jīng)占有一席之地。例如西安電力電子技術(shù)研究所通過引進消化技術(shù)，產(chǎn)品已經(jīng)在高壓直流輸電等高端領(lǐng)域批量應(yīng)用。
　　值得關(guān)注的是，雖然我國電力電子技術(shù)水平在不斷提高，但國內(nèi)企業(yè)與國際大公司相比還存在著較大的差距，尚不能滿足國民經(jīng)濟發(fā)展對電力電子技術(shù)進步的要求，也不能滿足建設(shè)資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會的迫切需要。據(jù)此分析，我國電力電子行業(yè)追上國際水平仍然任重而道遠。
　　目前，在新型電力電子器件的開發(fā)上，需要探索更加積極有效的模式。在國際上，IGBT作為一種主流器件，已經(jīng)發(fā)展到了商業(yè)化的第五代，而我國只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。我國在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT的封裝領(lǐng)域，技術(shù)更是一片空白。因此，探索更加積極、有效的模式，促成電力電子器件企業(yè)和微電子器件企業(yè)的技術(shù)融合、取長補短，實現(xiàn)IGBT的產(chǎn)業(yè)化，才能盡快填補我國基礎(chǔ)工業(yè)中先進電力電子器件的空白，改變技術(shù)上受制于人的局面。
　　同時，在高端傳統(tǒng)型器件的國產(chǎn)化方面，還需要進一步加快進程。傳統(tǒng)型的電力電子器件主要指晶閘管，其在許多關(guān)鍵領(lǐng)域仍具有不可替代的作用，尤其是隨著變流裝置容量的不斷加大，對高壓大電流的高端傳統(tǒng)型器件等產(chǎn)品的需求巨大，而我國僅有少數(shù)幾家優(yōu)勢企業(yè)通過自主創(chuàng)新掌握了高端器件的制造技術(shù)，大部分企業(yè)還停留在中低端器件的制造上。
　　從行業(yè)總體看，在電力電子器件新工藝的研究方面還需加大研發(fā)力度。一代工藝影響一代產(chǎn)品，電力電子工藝技術(shù)精密復(fù)雜，而國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)在低溫鍵合、離子注入、類金金剛石膜等新型的關(guān)鍵工藝技術(shù)上還缺乏系統(tǒng)的創(chuàng)新能力，必須加速其研發(fā)進程。
　　與此同時，在產(chǎn)業(yè)化能力建設(shè)方面還需要上新臺階。大力提升電力電子產(chǎn)業(yè)化能力，將有利于打造現(xiàn)代化和完整的裝備制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈，從而使電力電子行業(yè)在建設(shè)創(chuàng)新型、節(jié)能環(huán)保型的和諧社會中發(fā)揮更大的作用。