6月18日，年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地主體結(jié)構(gòu)封頂。該基地是武漢新城誕生的第一個項目，主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。

　　該項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領域。

　　公開資料指出，安徽長飛先進半導體有限公司，原名為蕪湖啟迪半導體有限公司，是一家第三代半導體研發(fā)生產(chǎn)服務商，專注于碳化硅(SiC)功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。值得一提是，該公司于去年完成超38億元A輪融資。

　　據(jù)了解，2023年5月，長飛先進半導體提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，進軍碳化硅領域。研發(fā)方面，同年7月，長飛先進半導體SiC戰(zhàn)略項目(KO)A樣品達到預期設計目標，這標志著該公司擁有車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品自主研發(fā)能力;12月，長飛先進首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiC SBD正式進入試產(chǎn)階段，標志著長飛先進已具備SiC產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。

　　碳化硅是第三代化合物半導體的典型代表產(chǎn)品，憑借高禁帶寬度、高飽和電子遷移速度、高工作溫度及高熱導率等特點，正逐步成為汽車、充電設備、便攜式電源等多個領域的優(yōu)選方案。尤其是新能源汽車領域，碳化硅已成為800V電壓平臺下功率器件的首要選擇，正逐步替代傳統(tǒng)硅基 IGBT。

　　TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車(BEV)銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。