近日，英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。

　　他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達與三星的合作進展順利。

　　此前，三星也堅決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲(HBM)產(chǎn)品未能達到英偉達質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報道。三星電子在一份聲明中表示，正在與全球各合作伙伴密切合作，不斷測試技術(shù)和性能以確保其產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

　　3月下旬，黃仁勛在美國加州圣何塞會議中心舉行的年度開發(fā)者大會上參觀了三星電子展臺，他在HBM3E展臺標(biāo)牌上寫下了“Jensen Approved”(黃仁勛認(rèn)證)，引發(fā)了市場期待。再加上此次黃仁勛為此澄清，業(yè)界猜測，三星的HBM預(yù)計將通過驗證，供應(yīng)給NVIDIA。

　　HBM需求量極大，受限良率問題缺口較大

　　由于人工智能尤其是生成式AI的廣泛采用，行業(yè)未來幾年對高帶寬內(nèi)存的需求十分巨大。

　　據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流。預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，達到2.9億GB，2024年將再成長三成。到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的中型AIGC產(chǎn)品有25款，以及80款小型AIGC產(chǎn)品估算，上述所需的運算資源至少為145,600~233,700顆NVIDIA A100 GPU，再加上新興應(yīng)用如超級計算機、8K影音串流、AR/VR等，也將同步提高云端運算系統(tǒng)的負(fù)載，高速運算需求高漲。

　　而從產(chǎn)能方面，TrendForce集邦咨詢預(yù)計，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。

　　其中英偉達一家的需求就十分驚人。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，NVIDIA Hopper平臺H100于今年第一季短缺情形逐漸紓解，屬同平臺的新品H200于第二季后逐漸放量，第三季新平臺Blackwell將進入市場，第四季擴展到數(shù)據(jù)中心客戶。但今年應(yīng)仍以Hopper平臺為主，包含H100、H200等產(chǎn)品線;根據(jù)供應(yīng)鏈導(dǎo)入Blackwell平臺進度，預(yù)計今年第四季才會開始放量，占整體高階GPU比例將低于10%。HBM方面，隨著NVIDIA GPU平臺推進，H100主搭載80GB的HBM3，至2025年的B200將達搭載288GB的HBM3e，單顆搭載容量將近3～4倍成長。而據(jù)三大原廠目前擴展規(guī)劃，2025年HBM生產(chǎn)量預(yù)期也將翻倍。

　　目前，從行業(yè)價格來看，HBM的價格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍，DDR5的價格也比DDR4高出15%到20%。雖然價格上較高，但是仍然供應(yīng)不上。據(jù)TrendForce分析師表示，普遍猜測良率約只50～60%，差不多是做兩個壞一個的狀態(tài)，因為它不只要堆疊起來，還需要加壓，讓整體高度能與其他芯片對接，「但加壓需要上下同時，并且保持平衡，失衡就會壞片。」

　　TrendForce集邦咨詢表示，盡管三大原廠的新廠將于2025年完工，但部分廠房后續(xù)的量產(chǎn)時程尚未有明確規(guī)劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續(xù)擴大采購機臺，此也進一步推動三大原廠堅守存儲器價格今年漲勢。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā)，若投資沒有明顯擴大，因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應(yīng)之下，DRAM產(chǎn)品恐有供應(yīng)不及的可能性。

　　公開資料顯示，三星、美光、SK海力士目前HBM競賽規(guī)劃如下：

　　SK海力士方面，除了M16廠明年產(chǎn)能預(yù)計擴大，M15X廠同樣亦規(guī)劃于2025年完工，并于明年底量產(chǎn)。已與臺積電簽署諒解備忘錄(MOU)合作開發(fā)HBM4，并在下一代先進封裝技術(shù)方面進行合作，采用臺積電的邏輯工藝制程生產(chǎn)HBM4的基礎(chǔ)芯片，計劃于2026年量產(chǎn)，并計劃未來提供定制化的HBM產(chǎn)品。

　　三星方面，現(xiàn)有廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工，同時Line15廠區(qū)將進行制程轉(zhuǎn)換，由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。今年下半年快速過渡到HBM3e，8-H HBM3e已開始提前量產(chǎn)，并加快量產(chǎn)12-H HBM3e，預(yù)計到年底HBM3e將占據(jù)人力資本管理(HCM)總銷量的三分之二以上。

　　美光方面，行業(yè)消息顯示，今年年底美光HBM產(chǎn)能為2萬片12英寸晶圓，其設(shè)定的目標(biāo)是最早在明年下半年開發(fā)第6代HBM(HBM4)，并預(yù)計在2028年開發(fā)第7代HBM4E。

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前預(yù)計，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。同時，新型存儲技術(shù)也不斷涌現(xiàn)，3D DRAM時代即將開啟;SCM潛力即將釋放，PCIe 6.0/7.0蓄勢待發(fā)…