據(jù)日本媒體報(bào)道，存儲(chǔ)器大廠鎧俠近日宣布，將從其第10代NAND產(chǎn)品開(kāi)始，在制程中引入低溫蝕刻這一前沿技術(shù)，以進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率，并追趕全球領(lǐng)先的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
報(bào)道稱，鎧俠計(jì)劃于2026年量產(chǎn)第10代NAND，并決定采用低溫蝕刻技術(shù)。該技術(shù)允許在更低溫的環(huán)境下進(jìn)行蝕刻，從而使存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元間的存儲(chǔ)通孔(memory hole)以更快的速度形成。
而這種效率的提升不僅可以減少生產(chǎn)時(shí)間，還能大幅提高單位時(shí)間的生產(chǎn)量。相比傳統(tǒng)的電漿蝕刻法，低溫蝕刻的加工速度提升了約4倍，標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的一次重要革新。
2023年6月，Tokyo Electron成功開(kāi)發(fā)出一種用于存儲(chǔ)芯片的通孔蝕刻技術(shù)。該設(shè)備可用于制造400層以上堆疊的3D NAND閃存芯片。TEL當(dāng)時(shí)表示，該技術(shù)首次將電蝕刻應(yīng)用帶入到低溫范圍中，產(chǎn)生了具有極高蝕刻速率的系統(tǒng)。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)10μm深的高縱橫比(晶圓上形成的圖案的深度與寬度之比)蝕刻。
目前，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)廠商都將采用低溫蝕刻設(shè)備。其中，三星電子正在通過(guò)進(jìn)口該設(shè)備的演示版本來(lái)評(píng)估相同的技術(shù)，而這些測(cè)試的結(jié)果將決定半導(dǎo)體制造中低溫蝕刻技術(shù)的未來(lái)采用和潛在的標(biāo)準(zhǔn)化。
AI浪潮之下，高容量、高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品重要性不斷凸顯，HBM無(wú)疑是當(dāng)前最受關(guān)注的產(chǎn)品，市況供不應(yīng)求，產(chǎn)值持續(xù)攀升。同時(shí)，新型存儲(chǔ)技術(shù)也不斷涌現(xiàn)，3D DRAM時(shí)代即將開(kāi)啟;SCM潛力即將釋放，PCIe 6.0/7.0蓄勢(shì)待發(fā)…
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