5月12日，科友半導(dǎo)體宣布，公司自主研發(fā)出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長爐，完成了國產(chǎn)自主1至4代感應(yīng)爐和1至3代電阻爐的研發(fā)，形成大尺寸低成本碳化硅產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)了6英寸碳化硅單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨，8英寸碳化硅單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨，向碳化硅晶體生長企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。
突破如下：熱場及耗材國產(chǎn)化率達(dá)到95%以上;長晶良率達(dá)到80%以上，晶體厚度達(dá)到40mm以上;打破傳統(tǒng)碳化硅粘接籽晶技術(shù)的限制;突破了大尺寸8英寸碳化硅單晶制備的關(guān)鍵技術(shù);超強(qiáng)的兼容性;已申請專利129項(xiàng)，目前授權(quán)專利61項(xiàng)。
資料顯示，科友半導(dǎo)體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計(jì)、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，已形成自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。
科友半導(dǎo)體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，實(shí)現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。
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