傳三星投入2000億韓元,用8英寸晶圓生產(chǎn)第三類半導體

時間:2023-03-31

來源:TechNews科技新報

導語:三星2023年初成立功率半導體工作小組,為制造SiC和GaN半導體的第一步。小組除了三星半導體員工,LED團隊和三星高級技術(shù)學院(SAIT)也有參與。

       消息人士表示,分析支出金額,三星已有技術(shù)制造某些芯片原型,SiC和GaN常用于最新電源管理零件,SiC因耐用性受汽車產(chǎn)業(yè)高度青睞,GaN則因具承受高頻快速開關(guān),無線通訊更常應用,比硅基半導體產(chǎn)品更受高端應用青睞。

  三星2023年初成立功率半導體工作小組,為制造SiC和GaN半導體的第一步。小組除了三星半導體員工,LED團隊和三星高級技術(shù)學院(SAIT)也有參與。三星規(guī)劃用8英寸晶圓制造GaN和SiC半導體,直接跳過多數(shù)功率半導體商用6英寸晶圓切入階段。

  Micro LED也會用8英寸晶圓生產(chǎn),代表三星高級技術(shù)學院使三星Micro LED生產(chǎn)擁有GaN相關(guān)技術(shù)。

  三星用8英寸晶圓生產(chǎn)SiC和GaN產(chǎn)品令人矚目,因SiC仍以4/6英寸晶圓生產(chǎn)為多,GaN生產(chǎn)則8英寸晶圓逐漸成主流。三星發(fā)言人表示,SiC半導體業(yè)務處于“研究階段”,尚未做任何決定。

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