百思特達氮化鎵半導體芯片項目竣工，進入試生產(chǎn)階段

時間：2023-01-11

來源：全球半導體觀察

導語：據(jù)悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產(chǎn)，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。

       據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)消息，目前，遼寧百思特達半導體科技有限公司(以下簡稱“百思特達”)的氮化鎵半導體芯片項目已經(jīng)進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。

　　消息顯示，百思特達是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的綜合性高科技企業(yè)，始終致力于開創(chuàng)中國半導體氮化鎵芯片領(lǐng)域的科技新格局。該公司投資3億元建設(shè)的氮化鎵半導體芯片項目，占地面積125畝，總建筑面積51302.28平方米，其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設(shè)內(nèi)容。

　　2022年12月中旬，氮化鎵半導體芯片項目全面竣工投產(chǎn)，在完成廠務(wù)動力設(shè)備包含電力設(shè)備系統(tǒng)、水設(shè)備系統(tǒng)、氣化設(shè)備系統(tǒng)、FFU系統(tǒng)等調(diào)試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產(chǎn)設(shè)備的一、二、三階調(diào)試完成后，開始進行產(chǎn)品試生產(chǎn)。

　　據(jù)悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產(chǎn)，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。

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