韓企開發(fā)石墨烯EUV光罩護(hù)膜,瞄準(zhǔn)臺積電/三星/英特爾等潛在客戶

時間:2022-12-17

來源:全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語:根據(jù)BusinessKorea的報導(dǎo),半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 近期宣布,其已開發(fā)出使用石墨烯制造、小于5納米的EUV光罩護(hù)膜 (Pellicle) 技術(shù),并已準(zhǔn)備好進(jìn)行量產(chǎn)。

       韓國媒體報導(dǎo),一家韓國公司開發(fā)出一種新材料,有望顯著提高荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)ASML的極紫外光微影曝光設(shè)備 (EUV) 的良率。

  根據(jù)BusinessKorea的報導(dǎo),半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 近期宣布,其已開發(fā)出使用石墨烯制造、小于5納米的EUV光罩護(hù)膜 (Pellicle) 技術(shù),并已準(zhǔn)備好進(jìn)行量產(chǎn)。

  Graphene Lab執(zhí)行長Kwon Yong-deok表示,“光罩護(hù)膜過去是由硅制成的,但我們使用了石墨烯,這對于使用ASML的EUV微影曝光設(shè)備設(shè)備的半導(dǎo)體企業(yè)來說,石墨烯光罩護(hù)膜將成為晶圓制造良率的推進(jìn)助力。”

  光罩護(hù)膜是一種薄膜,可保護(hù)光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響,這對于5納米或以下節(jié)點制程的先進(jìn)制程技術(shù)的良率表現(xiàn)至關(guān)重要。另外,光罩護(hù)膜是一種需要定期更換的消耗品,而由于EUV微影曝光設(shè)備的光源波長較短,因此護(hù)膜需要較薄厚度來增加透光率。之前,硅已被用于制造光罩護(hù)膜,但石墨烯會是一種更好的材料,因為石墨烯制造的光罩護(hù)膜比硅更薄、更透明。

  報導(dǎo)強(qiáng)調(diào),EUV光罩護(hù)膜必須能夠承受曝光過程中發(fā)生的800度或更高的高溫,所以其在高溫下的硬化特性,硅制產(chǎn)品非常容易破裂。Graphene Lab指出,一旦石墨烯EUV光罩護(hù)膜受到采用,估計全球護(hù)膜市場到2024年將達(dá)到1萬億韓元的情況下,將有其極大商機(jī)。屆時,包括臺積電、三星電子、英特爾等在內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)都有望成為Graphene Lab的潛在客戶。

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