在俄羅斯于 2 月 24 日與烏克蘭發(fā)生沖突后，臺灣迅速禁止向該國運送先進芯片。美國、英國和歐盟隨后采取了制裁措施，這實際上禁止了幾乎所有擁有先進晶圓廠的合同芯片制造商與俄羅斯實體合作。此外，像 Arm 這樣的公司不能將他們的技術(shù)授權(quán)給俄羅斯的芯片設(shè)計師。因此，俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到 2030 年開發(fā)該國自己的 28nm 級制造技術(shù)，對盡可能多的外國芯片進行逆向工程，并培養(yǎng)當?shù)厝瞬艔氖聡a(chǎn)芯片工作。

　　然而，到 2030 年，28nm 級的生產(chǎn)節(jié)點生產(chǎn)還存在問題，因為俄羅斯最先進的晶圓廠只可以使用 65nm 制造技術(shù)生產(chǎn)芯片。同時，由于制裁，美國和歐洲的晶圓廠工具制造商無法向俄羅斯提供設(shè)備，因此該國要想采用 28nm 節(jié)點，就必須設(shè)計和建造國產(chǎn)晶圓生產(chǎn)設(shè)備。換而言之，像 ASML 和 Applied Materials 這樣的公司花了幾十年的時間來開發(fā)和迭代的產(chǎn)品，俄羅斯必須在大約八年內(nèi)完成。

　　顯然，根據(jù)下諾夫哥羅德戰(zhàn)略發(fā)展 網(wǎng)站(通過 CNews) 發(fā)布的計劃，俄羅斯科學院俄羅斯應用物理研究所打算超越所有人的預期，到 2028 年生產(chǎn)出具有 7nm 能力的光刻掃描儀 。

　　能夠使用 7nm 級工藝技術(shù)處理晶圓的現(xiàn)代光刻掃描儀是一種高度復雜的設(shè)備，它涉及高性能光源、精密光學和精確計量，僅舉幾個關(guān)鍵部件。然而，作為俄羅斯領(lǐng)先的應用物理大學，IAP 相信它可以在相對較短的時間內(nèi)開發(fā)出這樣一個工具。

　　該工具將與 ASML 或尼康等公司生產(chǎn)的掃描儀有所不同。例如，IAP 計劃使用大于 600W 的光源(總功率，不是中焦功率)，曝光波長為 11.3nm(EUV 波長為 13.5nm)，這將需要比現(xiàn)在更復雜的光學器件。由于該設(shè)備的光源功率相對較低，這將使工具更緊湊，更易于構(gòu)建。然而，這也意味著其掃描儀的產(chǎn)量將大大低于現(xiàn)代深紫外 (DUV) 工具的產(chǎn)量。根據(jù) IAP 的說法，這可能不是問題。

　　在時間方面，IAP 可能有點過于樂觀。對于 32nm 以下的一切，芯片制造商使用所謂的浸沒式光刻技術(shù)(本質(zhì)上是 DUV 工具的助推器)生產(chǎn)。ASML 于 2003 年底推出 了其第一款浸沒式光刻系統(tǒng)——Twinscan XT:1250i——并計劃在 2004 年第三季度交付一個，以生產(chǎn) 65nm 邏輯芯片和 70nm 半間距 DRAM。該公司花了大約五年時間于 2008 年底宣布推出 其支持 32nm 的 Twinscan NXT:1950i，并于 2009 年開始向客戶交付。

　　然后，市場領(lǐng)導者花了大約 9 年時間才在 2018 年交付其支持 7nm 和 5nm 的 Twinscan NXT:2000i DUV 工具。臺積電在其第一代 N7 制造技術(shù)中使用了具有多重圖案的不太先進的工具，但 ASML 的時間安排介紹展示了從 65nm 過渡到 7nm 的難度。ASML 從 65nm 到 7nm 用了 14 年。現(xiàn)在，在芯片生產(chǎn)方面沒有任何經(jīng)驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系的 IAP 打算在大約 6 年的時間里從頭開始制造一臺支持 7nm 的機器進行量產(chǎn)。雖然這個計劃聽起來不太可行，但看起來 IAP 充滿了熱情。

　　俄羅斯科學院微結(jié)構(gòu)物理研究所副所長 Nikolai Chkhalo 表示：“全球光刻技術(shù)領(lǐng)導者 ASML 近 20 年來一直在開發(fā)其 EUV 光刻系統(tǒng)，并且該技術(shù)已經(jīng)證明是非常復雜的。”“在這種情況下，ASML 的主要目標是保持世界上最大的工廠才需要的極高生產(chǎn)力。在俄羅斯，沒有人需要如此高的生產(chǎn)力。在我們的工作中，我們從國內(nèi)面臨的需求和任務出發(fā)。首先，我們需要過渡到我們自己的制造工藝，制定自己的設(shè)計標準，我們自己的工具、工程、材料，所以我們自己的道路在這里是不可避免的.

　　IAP 計劃在 2024 年之前建造一個功能齊全的 alpha 掃描儀。這個掃描儀不必提供高生產(chǎn)率或最大分辨率，但必須工作并對潛在投資者有吸引力。IAP 打算在 2026 年之前制造出具有更高生產(chǎn)力和分辨率的掃描儀測試版。這臺機器應該可以量產(chǎn)，但預計其生產(chǎn)力不會達到最大。據(jù)說光刻掃描儀的最終迭代將在 2028 年問世。它應該獲得高性能光源(因此更高的生產(chǎn)率)、更好的計量和整體能力。到 2028 年，尚不清楚 IAP 和/或其生產(chǎn)合作伙伴將能夠生產(chǎn)多少臺此類機器。

　　應該注意的是，晶圓廠設(shè)備不限于光刻掃描儀。還有其他類型的機器執(zhí)行蝕刻、沉積、光刻膠去除、計量和檢查操作，這些機器不是在俄羅斯制造的。此外，還有一些不太先進的機器，如超純空氣和水發(fā)生器，這些機器也不是在俄羅斯生產(chǎn)的。即使 IAP RAS 設(shè)法建造了光刻工具，俄羅斯仍然需要數(shù)百臺工具才能建造現(xiàn)代化的晶圓廠。此外，晶圓廠需要在不向俄羅斯供應的國家生產(chǎn)的超純原材料。