鐵幕已經(jīng)落下，未來如何演化?

　　有兩個(gè)終局：

　　2025年『14nm劃江而治』

　　這是美國對先進(jìn)工藝筑起的壁壘，防止中國的芯片技術(shù)超越，所以此次封鎖的節(jié)點(diǎn)就是Fab的14nm，DRAM的18nm，NAND的128層。

　　為什么美國選擇14nm?

　　1)28nm是12年前的成熟技術(shù)，與FinFET的14有著質(zhì)的區(qū)別

　　2)美系今年量產(chǎn)3nm，比中國的28nm領(lǐng)先了4代，足夠有安全感

　　3)已經(jīng)知曉中國的能力，再封殺成熟工藝已經(jīng)沒有意義

　　未來中國半導(dǎo)體之路，四大方向：

　　1)回歸成熟工藝再造：“新90/55nm”遠(yuǎn)大于“舊7nm”，進(jìn)入實(shí)體名單后，基于美系設(shè)備的7nm其現(xiàn)實(shí)意義遠(yuǎn)小于基于國產(chǎn)設(shè)備的成熟工藝，中國半導(dǎo)體的主要矛盾已經(jīng)從缺少先進(jìn)工藝調(diào)教，轉(zhuǎn)移到缺少國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的突破。

　　2)回歸產(chǎn)能擴(kuò)充：之前fab的精力都是在突破更先進(jìn)工藝，現(xiàn)在應(yīng)該趁機(jī)基于現(xiàn)有國產(chǎn)技術(shù)在成熟工藝節(jié)點(diǎn)大力擴(kuò)產(chǎn)，內(nèi)資晶圓廠占全球5%，缺口高達(dá)700%，產(chǎn)能擴(kuò)充支持成熟工藝國產(chǎn)Fabless下游是當(dāng)務(wù)之急。

　　3)繼續(xù)加大外循環(huán)：歐美日韓不是鐵板一塊，各自有利益約束，未來國產(chǎn)化進(jìn)度是按照加大工藝側(cè)(45/28/14)和地緣側(cè)(去A/去J/去O)兩條國產(chǎn)晶圓廠路徑演變，但是目前中間循環(huán)體日本和歐洲依舊。

　　4)防止陷入美國的蜜糖陷阱：對在禁令之外的成熟工藝設(shè)備，晶圓廠一定要以支持國產(chǎn)設(shè)備和材料為第一目標(biāo)，不能再走回之前老路，因?yàn)閷W(xué)習(xí)曲線完全依賴于下游晶圓廠的通力合作，只有突破成熟才能演化到先進(jìn)。

　　客觀看待，中美競合關(guān)系，美國守先進(jìn)工藝，中國回爐再造成熟工藝，成熟工藝占據(jù)大部分芯片需求，但國內(nèi)供給依舊接近于空白，先站穩(wěn)成熟，再圖先進(jìn)。

　　2030年『7nm分而治之』

　　DUV是20年前日本和荷蘭發(fā)明的技術(shù)，不受美國管轄

　　但EUV是美國科技最后的碉堡，鎖住了7nm高階~1nm

　　理論上，中國未來的科技樹止步于多次曝光的DUV 7nm

　　但7nm的潛在天花板依舊足夠了，因?yàn)椋?/p>

　　1)除手機(jī)外，其他終端對功耗和單位體積的性能不敏感

　　2)CHIPLET：服務(wù)器/車/基站可以用3D堆疊的技術(shù)實(shí)現(xiàn)等效更高工藝

　　美國的本意是通過芯片封鎖，來實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)上的封鎖

　　之前可以基于美國的地基(芯片)建大廈(用車/手機(jī)/互聯(lián)網(wǎng))

　　現(xiàn)在不一樣了，

　　有多少nm的國產(chǎn)芯片設(shè)備，

　　才能造多少nm的國產(chǎn)晶圓廠

　　才能代工生成多少nm的真國產(chǎn)芯片，

　　才能用芯片實(shí)現(xiàn)多少nm級別的產(chǎn)品

　　晶圓廠及其上游設(shè)備材料，將成為一國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的系統(tǒng)級變量