據(jù)悉，隨著國務院相關方面關于集成電路產業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署不斷推進，深圳市作為集成電路的核心產業(yè)的核心地點，不得不以最快的速度開始推進整個產業(yè)的發(fā)展和落實，這次的文件配合之前的半導體產業(yè)集群計劃行動的文件，制定了多項措施。

　　其中最主要的就是前三點，適用機構和重點支持領域、全面提升產業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)以及加速突破基礎支撐環(huán)節(jié)。

　　首先就是適用機構和重點支持領域，文件提出重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導體芯片等芯片設計;硅基集成電路制造;氮化鎵、碳化硅等化合物半導體制造;高端電子元器件制造;晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet(芯粒)等先進封裝測試技術;EDA 工具、關鍵 IP 核技術開發(fā)與應用;光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設備等先進裝備及關鍵零部件生產;以及核心半導體材料研發(fā)和產業(yè)化。

　　還要重點突破 CPU、GPU、DSP、FPGA 等高端通用芯片的設計，布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發(fā)。以 5G 通信產業(yè)為牽引，全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。

　　有關方面會積極協(xié)調深圳支持建設的集成電路生產線和中試線開放一定產能，服務深圳中小設計企業(yè)的流片需求。支持集成電路設計企業(yè)加大新產品研發(fā)力度，重點支持集成電路設計企業(yè)流片和掩模版制作。

　　同時支持建設高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產線。支持代表新發(fā)展方向的半導體與集成電路制造重大項目落戶，鼓勵既有集成電路生產線改造升級。

　　加快 MOSFET 模塊等功率器件、高密度存儲器封裝技術的研發(fā)和產業(yè)化，重點突破晶圓級、系統(tǒng)級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空、Chiplet(芯粒)等先進封裝核心技術，以及脈沖序列測試、IC 集成探針卡等先進晶圓級測試技術。

　　然后就是加速突破基礎支撐環(huán)節(jié)，主要是加快EDA核心技術攻關。推動模擬、數(shù)字、射頻集成電路等 EDA 工具軟件實現(xiàn)全流程國產化。支持開展先進工藝制程、新一代智能、超低功耗等 EDA 技術的研發(fā)。

　　在現(xiàn)有骨干企業(yè)基礎上加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導體材料的研發(fā)生產;同時進行集成電路關鍵設備及零部件研發(fā)，推進檢測設備、薄膜沉積設備、刻蝕設備、清洗設備、高真空泵等高端設備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術攻關。

　　這將基本表明了在半導體集成電路領域的決心和政策扶持，大量的資金投入都會進入半導體的各種細分產業(yè)鏈來擺脫現(xiàn)階段對國外核心技術的依賴，從EDA到光刻膠，從上游到下游，這份文件的發(fā)布表明，將開啟半導體產業(yè)鏈的全產業(yè)國產化。