近日韓媒報(bào)道，三星已經(jīng)取消增加光刻膠供應(yīng)商的計(jì)劃，韓國(guó)Dongjin Semichem公司將繼續(xù)成為三星唯一的光刻膠供應(yīng)商。

　　據(jù)悉，到目前為止，三星電子生產(chǎn)3D NAND芯片的光刻膠仍由Dongjin Semichem獨(dú)家供應(yīng)。三星一直試圖減少對(duì)該家光刻膠公司的依賴(lài)，報(bào)道指出，雖然三星曾與至少四家潛在的日本光刻膠供應(yīng)商接觸，但這些廠(chǎng)商無(wú)法滿(mǎn)足三星厚度的要求。

　　三星的上述經(jīng)歷，反映出當(dāng)前光刻膠存在較高技術(shù)與市場(chǎng)壁壘。近年，受益于半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，半導(dǎo)體上游材料光刻膠愈發(fā)受到關(guān)注。光刻膠為何如此重要?技術(shù)與市場(chǎng)雙重壁壘下，國(guó)內(nèi)光刻膠廠(chǎng)商發(fā)展處境如何?

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　　光刻膠：半導(dǎo)體光刻工藝核心材料

　　光刻膠是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)，光刻膠是光刻工藝的核心材料，可以與光線(xiàn)發(fā)生反應(yīng)，讓芯片材料上出現(xiàn)所需的精密電路圖案。

　　根據(jù)顯影效果不同，光刻膠可分為正性和負(fù)性?xún)煞N，正性光刻膠，暴露在紫外線(xiàn)下的區(qū)域會(huì)改變結(jié)構(gòu)，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準(zhǔn)備。負(fù)性光刻膠則正好相反，受光照射的區(qū)域會(huì)聚合，這會(huì)使其變得更難溶解。正性光刻膠可以達(dá)到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段更好的選擇，因此正性光刻膠是當(dāng)前半導(dǎo)體制造的主流。

　　根據(jù)曝光波長(zhǎng)的不同，光刻膠又可以分為g線(xiàn)、i 線(xiàn)、 KrF、ArF以及EUV光刻膠5大類(lèi)別，其中g(shù)線(xiàn)、i線(xiàn)一般用于250nm以上工藝，KrF、ArF和EUV光刻膠屬于高端光刻膠，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-14nm工藝，EUV光刻膠主要用于7nm及以下工藝。

　　從應(yīng)用產(chǎn)品看，光刻膠第一大應(yīng)用領(lǐng)域在邏輯產(chǎn)品上，占比超過(guò)50%，其次是存儲(chǔ)器產(chǎn)品，光刻膠是生產(chǎn)3D NAND閃存芯片的關(guān)鍵成分，由于2D NAND存儲(chǔ)容量難以繼續(xù)突破，NAND工藝逐漸轉(zhuǎn)向3D堆疊架構(gòu)，以更多的堆疊層數(shù)來(lái)得到更大的存儲(chǔ)容量，光刻次數(shù)隨著層數(shù)增加而增加，KrF光刻膠需求量日益增長(zhǎng)，對(duì)存儲(chǔ)器影響也日漸重要。

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　　國(guó)內(nèi)光刻膠廠(chǎng)商：未來(lái)替代空間較大

　　全球光刻膠產(chǎn)業(yè)由國(guó)外廠(chǎng)商主導(dǎo)，信越化學(xué)、JSR、TOK等大廠(chǎng)聚集效應(yīng)明顯，且側(cè)重中高端光刻膠布局。國(guó)內(nèi)光刻膠廠(chǎng)商占據(jù)市場(chǎng)規(guī)模小，但未來(lái)替代空間較大。

　　當(dāng)前國(guó)產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品主要集中在g/i線(xiàn)市場(chǎng)，同時(shí)廠(chǎng)商也在不斷發(fā)力KrF、ArF等高端光刻膠領(lǐng)域，并獲得了一定突破。

　　KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華和徐州博康已具備批量供貨能力。晶瑞電材9月表示，KrF光刻膠生產(chǎn)及測(cè)試線(xiàn)已經(jīng)基本建成，設(shè)備正在安裝調(diào)試中，爭(zhēng)取今年批量供貨。上海新陽(yáng)8月透露，光刻膠驗(yàn)證工作還在進(jìn)展中， KrF光刻膠已有訂單客戶(hù)超3家。

　　ArF光刻膠主要用于ArF準(zhǔn)分子激光光源的DUV光刻機(jī)的光刻工藝當(dāng)中，是重要的光刻膠品類(lèi)之一，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商正處于技術(shù)開(kāi)發(fā)或客戶(hù)驗(yàn)證中。

　　如晶瑞電材ArF高端光刻膠研發(fā)工作已啟動(dòng)，為適應(yīng)行業(yè)現(xiàn)狀帶來(lái)的發(fā)展機(jī)遇，已在設(shè)備投入、人才引進(jìn)等方面加大投入，目前相關(guān)研發(fā)工作有序開(kāi)展中;南大光電旗下用于90nm-28nm制程的ArF光刻膠已分別通過(guò)存儲(chǔ)芯片制造和邏輯芯片制造企業(yè)驗(yàn)證;上海新陽(yáng)ArF光刻膠同樣處于驗(yàn)證階段;徐州博康A(chǔ)rF光刻膠品種涵蓋65nm，55nm、40nm、28nm及以下的關(guān)鍵層工藝，部分產(chǎn)品正在客戶(hù)端進(jìn)行導(dǎo)入測(cè)試。

　　EUV光刻膠主要用于7nm及以下先進(jìn)制程的光刻工藝，目前處于應(yīng)用早期，由日本龍頭企業(yè)TOK主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商EUV光刻膠處于早期研發(fā)階段，涉足企業(yè)包括上海新陽(yáng)等。

　　結(jié)語(yǔ)

　　全球光刻膠供給高度集中，盡管?chē)?guó)內(nèi)光刻膠以中低端產(chǎn)品為主，但隨著國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商不斷攻破光刻膠技術(shù)，持續(xù)布局高端光刻膠業(yè)務(wù)，國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展有望加速，國(guó)產(chǎn)替代率有望逐步提升。