近日，多款采用4nm制程芯片的手機(jī)，被用戶吐槽存在發(fā)熱量高和功耗高等方面的問(wèn)題。據(jù)了解，此次涉嫌功耗過(guò)熱的三款頂級(jí)手機(jī)芯片，分別是高通驍龍8 Gen 1、三星Exynos 2200、聯(lián)發(fā)科天璣9000，均為目前各廠商高端芯片的代表。同時(shí)，天璣9000的生產(chǎn)商為臺(tái)積電，Exynos 2200和驍龍 8 Gen 1的生產(chǎn)商三星，為排名前兩位的芯片代工制造商。

　　去年，高通正式推出了驍龍8 Gen1以及驍龍7 Gen1處理器，都是基于4nm打造的全新手機(jī)芯片，主要針對(duì)旗艦以及中端手機(jī)市場(chǎng)，但礙于豬隊(duì)友三星4nm工藝的不成熟，導(dǎo)致這兩款芯片在市場(chǎng)上并不受待見(jiàn)，而驍龍7 Gen1更是只出了兩款機(jī)型。

　　但最新消息顯示，高通或有意開(kāi)發(fā)全新基于4nm工藝制程的低端芯片組，以全面接替驍龍600系列芯片組。目前，關(guān)于驍龍6 Gen1的參數(shù)遭到曝光，其完整規(guī)格和參數(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在網(wǎng)上，這款芯片或?qū)⑷娼y(tǒng)治低端機(jī)市場(chǎng)。

　　根據(jù)已有信息，驍龍 6 Gen 1 將基于 4 nm工藝制造，型號(hào)為 SM6450，采用高通 Kyro CPU，頻率最高可達(dá) 2.2GHz。此外，驍龍 6 Gen 1 還支持 USB 3.1 和高達(dá) 12GB 的 LPDDR5 內(nèi)存，頻率高達(dá) 2750MHz。在網(wǎng)絡(luò)方面，該芯片組將采用驍龍 X62 5G 基帶，提供 5G 毫米波和 6GHz 以下頻段支持。這款芯片支持高達(dá) FHD + 分辨率的 120Hz 刷新率顯示屏，WiFi 方面將支持高通 FastConnect 6700 WiFi 6E，并且還將支持藍(lán)牙 5.2。

　　在攝像頭方面，該芯片支持 1300 萬(wàn)像素的三攝像頭組合、2500 萬(wàn) + 1600 萬(wàn)像素的雙攝像組合，以及 4800 萬(wàn)像素的單攝像頭，還將支持 30FPS 的 4K HDR 視頻拍攝和 270p 分辨率、240FPS 的慢動(dòng)作視頻拍攝。據(jù)悉，驍龍6 Gen1可能會(huì)隨驍龍8 Gen2芯片組一起推出，而驍龍8 Gen2將可能于年底正式到來(lái)，該芯片將同樣由臺(tái)積電代工，采用4nm制程工藝打造，并將繼續(xù)采用1+3+4的三叢集架構(gòu)設(shè)計(jì)，CPU將由一顆超大核，三顆大核以及四顆高能效核組成，而超大核可能是ARM Cortex X系列。

　　未來(lái)芯片制程仍將繼續(xù)向3nm甚至2nm延伸，人們也在積極考慮如何解決漏電流所導(dǎo)致的功耗與發(fā)熱問(wèn)題，包括更換新材料、采用新架構(gòu)——GAA(環(huán)繞式柵極)結(jié)構(gòu)等，以期打破長(zhǎng)久以來(lái)存在的漏電“魔咒”。

　　在材料方面，趙超介紹，采用具有高介電常數(shù)的柵介質(zhì)材料替代原本的二氧化硅材料，可有效解決短溝道效應(yīng)造成柵極漏電的問(wèn)題。而二氧化鉿屬于高介電常數(shù)的材料，以二氧化鉿來(lái)替代二氧化硅作為柵介質(zhì)材料，可有效提高介電常數(shù)，減少漏電情況，并有效增加電容荷電的能力。

　　8月30日，臺(tái)積電總裁魏哲家在2022年臺(tái)積電技術(shù)論壇上表示，3nm即將量產(chǎn)，時(shí)間就在2022年下半年。

　　受到疫情影響，臺(tái)積電技術(shù)論壇已經(jīng)有兩年未曾舉辦，時(shí)隔兩年重新舉辦的論壇帶來(lái)了臺(tái)積電3nm芯片的最新進(jìn)展。

　　“如果有手機(jī)的客戶當(dāng)下采用3nm芯片，明年產(chǎn)品就能問(wèn)世。”臺(tái)積電副總監(jiān)陳芳在今年8月18日2022南京世界半導(dǎo)體大會(huì)的間歇上對(duì)經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)表示。

　　9月1日，三星電子對(duì)經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)表示，期待在2024年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，目前該計(jì)劃正照常推進(jìn)。

　　3nm是目前芯片的一種工藝制程，指芯片中一根晶體管源極和漏極(通俗指的電路正負(fù)極)之間的距離，電子像水流一樣從源流到漏，中間僅有納米級(jí)的間距，而一塊先進(jìn)工藝芯片內(nèi)，通常有數(shù)億個(gè)的晶體管且排布復(fù)雜，越先進(jìn)的工藝生產(chǎn)，芯片越微縮、晶體管越密集，芯片的性能也越強(qiáng)。

　　由于在22nm節(jié)點(diǎn)上引用FinFET技術(shù)，將晶體管以3D形式排步，芯片的工藝無(wú)法只用納米來(lái)衡量，但業(yè)內(nèi)仍保留了這個(gè)稱呼。

　　量產(chǎn)終點(diǎn)逼近，圍繞3nm節(jié)點(diǎn)，全球巨頭們的競(jìng)賽正在激烈進(jìn)行。

　　臺(tái)積電壟斷了全球75%以上的晶圓代工先進(jìn)工藝市場(chǎng)，在先進(jìn)制程上，客戶無(wú)法找到臺(tái)積電的替代品，這也賦予了臺(tái)積電更強(qiáng)的議價(jià)能力，如今在3nm上，三星電子是最有希望做出臺(tái)積電競(jìng)品的公司，這讓客戶有了第二個(gè)選擇。三星電子背后的韓國(guó)政府，正在對(duì)半導(dǎo)體制造業(yè)給予更多資金和技術(shù)的支持。

　　在上述兩家巨頭外，英特爾也計(jì)劃重返3nm戰(zhàn)場(chǎng)，英特爾在今年4月表示，Intel3(約合7nm)將于2023年下半年量產(chǎn)。該公司的新任首席執(zhí)行官基辛格上任后，啟動(dòng)了IDM2.0計(jì)劃，試圖重返半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。

　　臺(tái)積電在財(cái)報(bào)會(huì)中稱3nm是一個(gè)龐大而持久的節(jié)點(diǎn)。

　　在摩爾定律的主導(dǎo)下，芯片制程延著14nm-7nm-5nm-3nm的路徑不斷迭代，在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間中，這似乎是一個(gè)顛撲不破的產(chǎn)業(yè)規(guī)律。

　　但3nm這一節(jié)點(diǎn)呈現(xiàn)了不同的特征，這個(gè)節(jié)點(diǎn)的研發(fā)和生產(chǎn)的成本極高，這也增加了供應(yīng)商和客戶的風(fēng)險(xiǎn)，所有的玩家極力地在先進(jìn)技術(shù)與成本之間尋求平衡。而其所處的半導(dǎo)體行業(yè)則處于周期拐點(diǎn)之上，消費(fèi)電子下行，智能手機(jī)對(duì)先進(jìn)芯片的牽引力出現(xiàn)不足。

　　6月13日，長(zhǎng)電科技同樣表示，公司一直與不同的晶圓廠在先進(jìn)制程的硅節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行合作并與行業(yè)內(nèi)大客戶開(kāi)展相關(guān)技術(shù)研發(fā)和項(xiàng)目開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已具備5/7nm晶圓制程的量產(chǎn)能力并支持客戶完成了高性能運(yùn)算芯片和智能終端主芯片產(chǎn)品的量產(chǎn)。

　　這三大企業(yè)的封測(cè)能力早就進(jìn)入到了5nm，昨天長(zhǎng)電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司已經(jīng)可以可以實(shí)現(xiàn)4nm手機(jī)芯片封裝，以及CPU，GPU和射頻芯片的集成封裝。

　　在芯片的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，有三個(gè)主要環(huán)節(jié)，分別是設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)。以前的芯片企業(yè)，需要自己搞定這三個(gè)環(huán)節(jié)。但現(xiàn)在眾多的芯片企業(yè)，均只負(fù)責(zé)中間的一個(gè)環(huán)節(jié)，大家分工合作。

　　比如蘋(píng)果設(shè)計(jì)芯片，臺(tái)積電制造芯片，長(zhǎng)電科技封測(cè)芯片，大家分工合作。由于是分工合作的，所以廠商們競(jìng)爭(zhēng)就非常激烈，誰(shuí)的技術(shù)最牛，誰(shuí)的訂單就不斷。比如制造方面，臺(tái)積電最牛，所以它一家就拿下了全球55%+的代工訂單。而在封測(cè)上面，臺(tái)灣省的日月光最牛，所以它全球第一家，一家就拿下了全球30%左右的封測(cè)訂單，關(guān)鍵是日月光的很多技術(shù)非常領(lǐng)先。

　　不過(guò)好在，中國(guó)大陸的封測(cè)企業(yè)，也是相當(dāng)爭(zhēng)氣的。全球Top10的封測(cè)企業(yè)中，中國(guó)有3家上榜，分別是長(zhǎng)電科技，通富微電、華天科技，分別位列全球第3、5、6名。

　　從技術(shù)上來(lái)看，大家相差不是特別遠(yuǎn)，去年的時(shí)候，三家廠商就表示，已經(jīng)能夠封測(cè)5nm的芯片，與全球頂尖水平基本一致。

　　而近日，長(zhǎng)電科技在自己的官微上發(fā)文表示，公司在先進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機(jī)芯片的封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。

　　目前三星表示已經(jīng)量產(chǎn)3nm芯片，但3nm芯片還沒(méi)有真正的亮相。所以4nm芯片就是最先進(jìn)的硅節(jié)點(diǎn)技術(shù)，而手機(jī)芯片又是4nm芯片中最具代表性的，比如高通驍龍8+、天璣9000等，都是4nm工藝。

　　所以長(zhǎng)電科技表示能夠封測(cè)4nm手機(jī)芯片，也就意味著其封測(cè)技術(shù)達(dá)到了最頂尖的水平了?

　　當(dāng)然，封測(cè)達(dá)到4nm，大家也不必太高興，畢竟封測(cè)是這三個(gè)環(huán)節(jié)中門檻最低的，又不是制造達(dá)到了4nm，如果制造達(dá)到了4nm，那就是真的牛了。

　　近期中國(guó)芯片企業(yè)在4nm封裝技術(shù)上的突破，讓各方議論紛紛，認(rèn)為最關(guān)鍵的還是芯片制造工藝的突破，4nm封裝技術(shù)的突破沒(méi)有太大意義，顯然這是一個(gè)錯(cuò)誤的看法，對(duì)于中國(guó)芯片制造來(lái)說(shuō)這是一條由易及難的捷徑，最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破。

　　封裝技術(shù)其實(shí)也是芯片制造的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，它需要將芯片從一整片晶圓中挑選出合格的芯片，然后再將這些芯片與外部電路連接起來(lái)，這樣芯片才能正常工作，然而如隨著工藝的提升，晶體管越來(lái)越小，晶圓的導(dǎo)線間距也越小，其技術(shù)難度也是越來(lái)越大。

　　國(guó)產(chǎn)的4nm芯片封裝技術(shù)還是一項(xiàng)多維異構(gòu)芯片封裝技術(shù)，即是將多種類型的芯片封裝在一起，如此更考驗(yàn)封裝企業(yè)的技術(shù)，封裝企業(yè)需要熟悉不同芯片的構(gòu)造，了解不同芯片的電氣性能，在準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)不同芯片的互聯(lián)互通同時(shí)確保兼容性，這更是一項(xiàng)高難度的技術(shù)。

　　芯片封裝還是向先進(jìn)工藝發(fā)展的途徑之一，中國(guó)臺(tái)灣的芯片產(chǎn)業(yè)如今已居于全球頂尖水平，然而早年它們也是從封裝技術(shù)開(kāi)始，通過(guò)接收美國(guó)芯片的封裝業(yè)務(wù)外包，逐漸了解芯片的構(gòu)造，積累技術(shù)和人才，然后再進(jìn)入芯片制造。

　　封裝已成為芯片產(chǎn)業(yè)鏈的一大產(chǎn)業(yè)，全球前十大封裝企業(yè)中有九家位居亞洲，中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣更是占據(jù)了其中的大多數(shù)，如今美國(guó)芯片行業(yè)也已認(rèn)識(shí)到封裝技術(shù)的重要性，正計(jì)劃重新拾起封裝產(chǎn)業(yè)，這也體現(xiàn)了封裝環(huán)節(jié)的重要性。