臺(tái)積電:將于2024年引入阿斯麥下一代極紫外光刻機(jī)

時(shí)間:2022-06-17

來(lái)源:新浪科技

導(dǎo)語(yǔ):北京時(shí)間6月17日早間消息,臺(tái)積電高管周四表示,臺(tái)積電將于2024年獲得荷蘭阿斯麥(ASML)下一代更先進(jìn)的芯片制造工具。

  新的高數(shù)值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機(jī)用于在手機(jī)、筆記本電腦、汽車和智能音箱等設(shè)備中的計(jì)算機(jī)芯片上制造更先進(jìn)的微型集成電路。EUV是“極紫外線”的縮寫,這是阿斯麥光刻機(jī)使用的光的波長(zhǎng)。

  臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰在硅谷舉行的臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上表示:“臺(tái)積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī),以開(kāi)發(fā)相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施和客戶所需的曝光解決方案,繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新?!?/p>

  高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)是第二代EUV光刻工具,可以用于制造尺寸更小、速度更快的芯片。米玉杰沒(méi)有透露,臺(tái)積電計(jì)劃何時(shí)將該設(shè)備用于芯片量產(chǎn)。此前臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾表示,將成為首家引入該設(shè)備的公司,并在2025年之前將其用于量產(chǎn)。

  英特爾正在進(jìn)軍芯片代工業(yè)務(wù),該公司將與臺(tái)積電爭(zhēng)奪芯片設(shè)計(jì)公司客戶。

  臺(tái)積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)發(fā)展的高級(jí)副總裁Kevin Zhang則表示,臺(tái)積電到2024年還不會(huì)準(zhǔn)備好使用新光刻機(jī),新光刻機(jī)將主要用于與合作伙伴一起的研究。

  參加此次研討會(huì)的TechInsights芯片經(jīng)濟(jì)學(xué)家丹·哈切森(Dan Hutcheson)表示:“臺(tái)積電到2024年擁有新的光刻機(jī),意味著他們將更快地獲得最先進(jìn)的技術(shù)。”“高數(shù)值孔徑EUV是下一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新,將確保臺(tái)積電的芯片技術(shù)處于領(lǐng)先地位?!?/p>

  本周四,臺(tái)積電還公布了2納米芯片技術(shù)的更多細(xì)節(jié)。該公司表示,這類芯片仍將按原計(jì)劃,于2025年進(jìn)入量產(chǎn)。此外臺(tái)積電表示,已經(jīng)花15年時(shí)間研究所謂的“納米片”晶體管技術(shù),以提高芯片的速度和能效,并將在2納米芯片中首次使用這種技術(shù)。

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