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　　此前，臺(tái)積電稱，預(yù)計(jì)3nm制程將于今年下半年開(kāi)始出貨，2023年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2nm也將在2025年如期量產(chǎn)。現(xiàn)在，臺(tái)積電將提前啟動(dòng)1.4nm制程工藝的研發(fā)。

　　臺(tái)積電此舉或許與三星、英特爾的競(jìng)爭(zhēng)有關(guān)。此前，三星在“Foundry Forum 2021”上宣布，將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)2nm制程芯片。隨后，三星負(fù)責(zé)人在董事會(huì)報(bào)告中提到，三星在3nm的產(chǎn)能上已經(jīng)得到重大改善，在邏輯面積效率上提高了45%，功耗降低了50%，在性能上提升了35%。英特爾也在此前宣布，將在2024年正式進(jìn)入埃米時(shí)代，并推出第一個(gè)埃米時(shí)代的產(chǎn)品——Intel 20A。作為先進(jìn)制程領(lǐng)域的“領(lǐng)頭羊”，臺(tái)積電不得不開(kāi)啟“反攻”模式?？梢?jiàn)，盡管在先進(jìn)制程的賽道中，僅僅剩下了臺(tái)積電、三星、英特爾三家企業(yè)，但依舊火藥味十足，競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)激烈。

　　不過(guò)，近兩年先進(jìn)制程的“翻車”情況也屢見(jiàn)不鮮。2021年初，三星代工的5nm手機(jī)芯片出現(xiàn)了功耗問(wèn)題，而這一問(wèn)題，在2022年三星代工的4nm手機(jī)芯片中也同樣存在。臺(tái)積電的4nm手機(jī)芯片，也同樣出現(xiàn)了功耗過(guò)高問(wèn)題。英特爾從10nm制程開(kāi)始，便頻頻陷入“難產(chǎn)”的困境。可以看出，隨著芯片工藝尺寸進(jìn)一步微縮，技術(shù)挑戰(zhàn)也在不斷增加。

　　盡管困難重重，卻沒(méi)有阻礙這三家企業(yè)在先進(jìn)制程領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)悉，在日前臺(tái)積電舉辦的法說(shuō)會(huì)上，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2022年的資本支出將達(dá)400億美元至440億美元，而70%~80%的資本支出將用于先進(jìn)工藝制程(7nm及以下工藝制程)。2022年，三星不僅計(jì)劃在半導(dǎo)體方向投入超360億美元，還宣稱將在代工業(yè)務(wù)層面著力提高先進(jìn)工藝的良率，力爭(zhēng)2022年上半年通過(guò)第一代GAA工藝的量產(chǎn)再奪技術(shù)領(lǐng)先“寶座”。此外，英特爾在2022年的資本開(kāi)支或?qū)⒏哌_(dá)280億美元，甚至一度傳出擬將3nm芯片委托給臺(tái)積電代工，以提升其在更先進(jìn)制程方面的競(jìng)爭(zhēng)力。