三星 LSI 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)曾推出過(guò)最好的移動(dòng)芯片，蘋果也曾完全依賴三星制造所有關(guān)鍵部件。DRAM方面，三星在生產(chǎn)成本方面更是領(lǐng)先于其他制造商多年。

　　但現(xiàn)在，這些技術(shù)優(yōu)勢(shì)都在瓦解。

　　報(bào)道指出，三星電子的文化問(wèn)題已經(jīng)動(dòng)搖了它的核心。三星在技術(shù)開(kāi)發(fā)的各個(gè)方面都在遭遇下滑，包括他們?cè)跉v史上擊敗所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的一個(gè)領(lǐng)域——DRAM。

　　他們生產(chǎn)的移動(dòng)SOC也不再能擠進(jìn)前3名，甚至被聯(lián)發(fā)科超過(guò)。至于代工業(yè)務(wù)，兩個(gè)最大的客戶接連轉(zhuǎn)投臺(tái)積電。

　　有報(bào)道甚至指出，稱三星代工廠存在謊言和欺騙行為。甚至英特爾剛剛起步的新代工業(yè)務(wù)，也能夠從三星代工那里吸引一兩個(gè)客戶!

　　需要明確的是，媒體報(bào)道的一些細(xì)節(jié)未經(jīng)證實(shí)，但總體問(wèn)題是顯而易見(jiàn)的。

　　三星電子顯然有問(wèn)題

　　這些問(wèn)題直接源于三星的文化構(gòu)成。在深入細(xì)節(jié)之前，我們認(rèn)為總體趨勢(shì)是這些問(wèn)題多年來(lái)一直在冒泡，可現(xiàn)如今已達(dá)沸點(diǎn)。

　　首先，讓我們先從這個(gè)故事中最溫和的部分開(kāi)始。

　　三星有一項(xiàng)名為“Game Optimizing Service”的服務(wù)，它限制了大多數(shù)應(yīng)用程序，除了常見(jiàn)的基準(zhǔn)測(cè)試，甚至包括 Netflix 和 Instagram 等非游戲應(yīng)用程序。

　　誠(chéng)然，我們并沒(méi)有意料之外的憤怒，因?yàn)?Android OEM在基準(zhǔn)測(cè)試應(yīng)用程序上作弊的歷史由來(lái)已久。由于上述行為，三星正面臨集體訴訟。

　　三星為什么要發(fā)起這項(xiàng)“Game Optimizing Service”?

　　那當(dāng)然是為了控制熱量和功耗，因?yàn)檫^(guò)去幾代產(chǎn)品的熱量和功耗一直很感人。歸根到底是因?yàn)楣?jié)點(diǎn)問(wèn)題已經(jīng)在三星出現(xiàn)。

　　追溯到幾年前，三星的內(nèi)部 CPU設(shè)計(jì)曾因領(lǐng)導(dǎo)不力而失敗。三星也曾有一個(gè)GPU 團(tuán)隊(duì)，但最后解散了。這兩個(gè)例子說(shuō)明為什么開(kāi)發(fā)自己的芯片比看起來(lái)要困難得多。設(shè)計(jì)公司和工廠的文化對(duì)于成功至關(guān)重要。這些天才工程師需要正確的動(dòng)機(jī)、方向和領(lǐng)導(dǎo)力。

　　在內(nèi)部 GPU 架構(gòu)失敗后，三星的許多粉絲都對(duì)轉(zhuǎn)向采用 AMD 基于 RDNA 的 GPU IP 感到興奮。這種興奮是非常短暫的。當(dāng)前一代Exynos 2200確實(shí)引起了與代工和工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的問(wèn)題。其每瓦性能非常糟糕。基于 RDNA 的 GPU 的性能和功耗并不是這款 SOC 的唯一問(wèn)題。

　　三星最初計(jì)劃在全球范圍內(nèi)更廣泛地推出 Exynos 芯片。一些分析師和行業(yè)出版物甚至預(yù)計(jì) Galaxy S22 系列總銷量的 60% 將基于 Exynos 2200，40% 將基于 Qualcomm S8G1。

　　最后，這被證明是無(wú)效的，Exynos 的實(shí)際占比最終不到 25%。雖然我們認(rèn)為該計(jì)劃不會(huì)提高到 60%，但我們確實(shí)聽(tīng)說(shuō)三星希望將 Exynos 處理器的份額提高到 40%。數(shù)量的不足主要是由于業(yè)績(jī)和產(chǎn)量。

　　據(jù)報(bào)道，三星的 Exynos 2200 的產(chǎn)量極低。這部分是由于他們使用了 4LPE 節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)在三星的 7/5nm 系列上進(jìn)行了創(chuàng)新，提供 198nm UHD 單元高度，而之前的節(jié)點(diǎn)具有 218nm UHD 單元高度。據(jù)傳該節(jié)點(diǎn)的良率低至 20%。

　　這些看起來(lái)太低了，但我們聽(tīng)說(shuō)parametric yields是可怕的，即使catastrophic yields 很好。

　　另一位消息人士告訴我們，最終出貨的芯片具有更高的功耗和更低的性能目標(biāo)，導(dǎo)致大約 80% 的parametric yields 。無(wú)論如何，有傳言稱高管之間達(dá)成了協(xié)議即使它沒(méi)有經(jīng)濟(jì)或功率/性能意義，也可以運(yùn)送最新的節(jié)點(diǎn)。

　　在這里，我們需要解析一些名詞，所謂catastrophic yield 損失是指晶體管、通孔或金屬層部分根本不起作用。Parametric yield是指在這些功能起作用時(shí)，參數(shù)良率損失，但問(wèn)題是它是否達(dá)到了您的性能、功率、電壓等目標(biāo)。

　　由于 Exynos 2200 的參數(shù)良率如此之低，芯片的目標(biāo)必須調(diào)低。事實(shí)上，有傳言稱三星將 GPU 的時(shí)鐘頻率從計(jì)劃的1.69GHz 降低到 1.49GHz，最終降低到 1.29GHz。

　　出現(xiàn)這些問(wèn)題，并不僅僅歸咎于代工廠和 SOC 團(tuán)隊(duì)錯(cuò)過(guò)了他們的技術(shù)目標(biāo)。但據(jù)稱，這些不同的單位正在互相指責(zé)。三星 LSI(設(shè)計(jì))歸咎于三星 Foundry，而三星移動(dòng)則歸咎于 S.LSI。

　　三星 LSI 高管甚至似乎將責(zé)任歸咎于韓國(guó)勞動(dòng)法的變化。與其在關(guān)鍵時(shí)間和讓工程師做荒謬的工作，不如將員工每周最多限制在 52 小時(shí)。雖然我們聽(tīng)說(shuō)這并沒(méi)有得到完全遵守，但它減少了許多三星工程師的過(guò)度工作。

　　三星的抵制如此強(qiáng)烈，以至于甚至有人推動(dòng)立法放松這些勞動(dòng)法。

　　三星半導(dǎo)體的文化已經(jīng)變得如此有毒，以至于該代工廠甚至據(jù)稱在產(chǎn)量上撒謊。

　　韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星正在針對(duì)上述問(wèn)題進(jìn)行管理審查和審計(jì)。這次審查的結(jié)果很可能是管理層和團(tuán)隊(duì)的改組，類似于去年無(wú)線部門的重組。后來(lái)的謊言報(bào)道甚至更深入地聲稱三星代工廠在 5nm、4nm 和 3nm 良率上向客戶和三星董事長(zhǎng)撒謊。鑒于韓國(guó)有不少媒體在報(bào)道這個(gè)事，也有不少當(dāng)?shù)貙＜覅⑴c進(jìn)來(lái)，這些各種報(bào)道似乎相當(dāng)可信。

　　我們可以肯定的是，高通對(duì)三星很生氣。

　　根據(jù) TechInsights的說(shuō)法，高通使用了三星 5nm 節(jié)點(diǎn)的變體，它被稱為 4LPX，而不是像 Exynos 2200 這樣更密集的 4LPE 節(jié)點(diǎn)。多個(gè)消息來(lái)源還告訴我們，S888 和 S8G1 處理器的Parametric yield非常差，導(dǎo)致高通需要將這些 SOC 推到更高的功率水平以實(shí)現(xiàn)某些性能目標(biāo)。

　　雖然報(bào)道的高通 S8G1 的良率不如 Exynos 2200 低，但也遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。作為旁注，這對(duì)高通(和英偉達(dá))來(lái)說(shuō)效果很好。我們被告知這兩個(gè)客戶已經(jīng)協(xié)商支付每個(gè)成品芯片而不是每個(gè)晶圓制造的費(fèi)用。

　　由于 S765G、S780G、S888 和 S8G1 的問(wèn)題，高通決定完全放棄三星代工的高端 SOC。高通甚至有專門的團(tuán)隊(duì)日以繼夜地基于臺(tái)積電的 N4 工藝節(jié)點(diǎn)為S8G1+的生產(chǎn)做準(zhǔn)備 。

　　在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，S8G2 和未來(lái)的高端高通芯片將在臺(tái)積電上架。盡管近幾個(gè)月智能手機(jī)市場(chǎng)放緩，但由于與高通的份額轉(zhuǎn)移和持續(xù)的內(nèi)容增長(zhǎng)，臺(tái)積電今年和明年仍能保持智能手機(jī)領(lǐng)域的增長(zhǎng)。

　　三星移動(dòng)一直在競(jìng)相尋找替代方案，而 S.LSI 部門在智能手機(jī) SOC 上苦苦掙扎。韓國(guó)謠言甚至稱三星已轉(zhuǎn)向評(píng)估 Galaxy A 系列陣容的聯(lián)發(fā)科天璣陣容。

　　三星移動(dòng)總裁 TM Roh 博士曾表示，有一種新的應(yīng)用處理器僅適用于 Galaxy 手機(jī)。這很奇怪，因?yàn)榇蠖鄶?shù) S.LSI Exynos SOC 雖然是外部提供的，但基本上是三星 Galaxy 智能手機(jī)獨(dú)有的。這表明三星移動(dòng)和 S.LSI 之間存在更多的內(nèi)訌和戲劇性。

　　三星代工問(wèn)題更深層次。正如我們?nèi)ツ陥?bào)道的那樣，他們的 3nm GAP 節(jié)點(diǎn)的代工產(chǎn)品甚至直到 2024 年才向外部客戶發(fā)貨。3GAE，第一個(gè)全環(huán)繞 (GAA) 節(jié)點(diǎn)，一直在默默地推遲，甚至可能被取消。

　　據(jù)稱良率極低。對(duì)于任何認(rèn)為三星可以因?yàn)榕_(tái)積電的 N3 問(wèn)題和 N2 于 2025 年底開(kāi)始生產(chǎn)趕上臺(tái)積電的人，你將大錯(cuò)特錯(cuò)了。

　　三星失誤并失去了他們最大的代工客戶高通和他們的第二大代工客戶英偉達(dá)。

　　不過(guò)，三星 LSI 并非完全混亂。他們通過(guò)設(shè)計(jì)精良、價(jià)格合理的高效芯片在 5G 基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)獲得份額。他們還在現(xiàn)代和大眾等信息娛樂(lè)系統(tǒng)中贏得了許多汽車領(lǐng)域的勝利。

　　S.LSI 似乎很適合與客戶密切合作，例如在Tensor 智能手機(jī) SOC 上與 Google 合作。盡管取得了成功，但 S.LSI 似乎每一次機(jī)會(huì)都受挫，因?yàn)槿?Foundry 似乎已經(jīng)讓他們失去了下一代Cisco Silicon One 網(wǎng)絡(luò) ASIC 的合同，而這已經(jīng)輸給了英特爾!

　　LSI 多年來(lái)一直與特斯拉在自動(dòng)駕駛/ADAS HW 3.0 方面密切合作。這是特斯拉在三星的協(xié)助下共同設(shè)計(jì)的芯片，雙方都為最終的芯片設(shè)計(jì)貢獻(xiàn)了有意義的 IP。這種芯片設(shè)計(jì)已向特斯拉的車輛運(yùn)送了數(shù)百萬(wàn)個(gè)單元。HW 4.0 原定于去年年底投產(chǎn)，但似乎推遲到了今年。除了安霸，特斯拉是 S.LSI/Foundry 唯一的主要外部客戶。

　　LSI 最近還犯了其他錯(cuò)誤，例如在圖像傳感器市場(chǎng)。他們的 ISOCELL 智能手機(jī)傳感器采用混合粘合的速度很慢，這與自 2017 年以來(lái)一直在批量出貨的索尼不同。

　　此外，他們未能在選擇在高端使用索尼和在 Omnivision 上使用的中國(guó)智能手機(jī)制造商中獲得份額。獨(dú)立的攝像頭傳感器和攝像頭屬于他們自己的部門，稱為三星 NX，但此后也被淘汰了，即使在三星對(duì)獨(dú)立攝像頭進(jìn)行了數(shù)十年的投資之后也是如此。

　　三星 DRAM 災(zāi)難

　　三星電子的搖錢樹(shù)三星DRAM也并非一帆風(fēng)順。5年前，三星在密度、性能、成本結(jié)構(gòu)上無(wú)疑要優(yōu)于美光和SK海力士。在那些日子里，一些估計(jì)將它們提前一年半。

　　現(xiàn)在，盡管與這兩個(gè)同行相比，三星的數(shù)量要大得多，但在其中一些指標(biāo)上，三星可以說(shuō)落后于美光和 SK 海力士。三星出于文化問(wèn)題而在工藝開(kāi)發(fā)方面過(guò)于激進(jìn)的行為是罪魁禍?zhǔn)住?/p>

　　簡(jiǎn)要介紹一下，隨著電容器規(guī)模的放緩，DRAM 密度和成本規(guī)模大幅放緩。1Xnm 一代是這種大幅放緩的第一個(gè)跡象，但從那時(shí)起，每個(gè)節(jié)點(diǎn)的成本擴(kuò)展只有 15% 左右。

　　密度增長(zhǎng)是如此不溫不火，以至于 DRAM 制造商已經(jīng)轉(zhuǎn)向使用字母作為后綴，而不是像 20nm 之前的一代那樣使用數(shù)字。相對(duì)于成本、功耗和性能方面的競(jìng)爭(zhēng)，三星在 1Y 代時(shí)遙遙領(lǐng)先。

　　這一切都隨著 1Z 代而改變。三星決定在 EUV 采用上非常積極。這是一個(gè)自上而下的決定，而不是工程。這些自上而下的決定在三星電子中非常普遍，它們是我們一直指出的文化問(wèn)題的結(jié)果。對(duì)于 1Z，三星宣布他們將采用 EUV。這是在大肆宣傳和媒體的情況下完成的。三星為這一“成就”感到無(wú)比自豪。

　　三星通過(guò)吸收約 50% 的 EUV 工具主導(dǎo)了 EUV 的早期出貨量。三星試圖將其插入 DRAM 以及他們?cè)缙诘?7nm 邏輯嘗試失敗。1Z DRAM 節(jié)點(diǎn)從未完全加速。這一趨勢(shì)在下一代 1 Alpha 節(jié)點(diǎn)中繼續(xù)存在，進(jìn)一步提高了 EUV 的利用率。據(jù)報(bào)道，該節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)時(shí)間更長(zhǎng)。雖然三星聲稱 1 Alpha 已經(jīng)量產(chǎn)了很長(zhǎng)一段時(shí)間，但它仍然沒(méi)有顯著增加。與此同時(shí)，SK 海力士和美光已經(jīng)能夠在成本、性能和功率方面趕上他們的 1Z 代，它們沒(méi)有使用 EUV。

　　此外，在 1 Alpha 代中，美光僅繼續(xù)推動(dòng) DUV，而 SK 海力士已開(kāi)始插入 EUV。因此，美光已經(jīng)在加速 1 Alpha，而 SK 海力士和三星的銷量增長(zhǎng)卻相當(dāng)不溫不火。SemiAnalysis 估計(jì)，美光目前在 DRAM 方面具有成本優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槟軌驅(qū)⑵渌挟a(chǎn)能轉(zhuǎn)移到 1 Alpha 代，并在其整個(gè)陣容中實(shí)現(xiàn)最佳密度和成本。

　　三星和 SK Hynix仍然在交付使用非EUV 1Y工藝的第一代DDR5，而美光正在領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)，并為第一代 DDR5 交付他們的 1Z 代工藝。此外，美光正在快速跟進(jìn)第 1 代 Alpha 工藝節(jié)點(diǎn)上的第 2 代 DDR5。需要明確的是，EUV 并不是唯一的罪魁禍?zhǔn)?，但它是最大的技術(shù)差異之一。

　　這對(duì)三星來(lái)說(shuō)是最壞的情況。他們無(wú)法提升 1Z。他們一直無(wú)法升級(jí) 1 Alpha，現(xiàn)在有報(bào)道稱他們已經(jīng)取消了下一代 1 Beta 流程節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)!其他人報(bào)告說(shuō)，三星通過(guò)直接推向 1 Gamma 節(jié)點(diǎn)。這個(gè)取消報(bào)告具有很高的可信度，因?yàn)樗谌且晃恍膽巡粷M的工程師。他甚至發(fā)布了一個(gè)關(guān)于這個(gè)話題的博客!

　　該工程師已被證實(shí)是三星 DRAM 技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)的一員。他寫了一封信給三星電子的兩位負(fù)責(zé)人李在镕和首席執(zhí)行官Kye Hyun Kyung，描述了失敗和問(wèn)題。該博客已被撤下，但韓國(guó)媒體從中捕捉到了一些相當(dāng)令人擔(dān)憂的引述。

　　“我聽(tīng)過(guò)不少關(guān)于“危機(jī)”的故事，但我認(rèn)為這一刻比以往任何時(shí)候都更加危險(xiǎn)。在接連發(fā)生的事件中，最高決策者似乎無(wú)法抓住問(wèn)題的根本原因?！比?DRAM 技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師寫道。

　　我們鼓勵(lì)您檢查一下，以真正掌握情況的嚴(yán)重性。對(duì)于對(duì)自己的工作充滿熱情的 4 年終身工程師來(lái)說(shuō)，如此肆無(wú)忌憚地抨擊是一個(gè)巨大的危險(xiǎn)信號(hào)。由于韓國(guó)工作文化定義明確的等級(jí)方式，因此更是如此。上個(gè)月，我們還看到少數(shù)三星 DRAM 技術(shù)開(kāi)發(fā)人員轉(zhuǎn)移到 SK 海力士。這超過(guò)了正常的減員率。

　　文化問(wèn)題極大地震撼了三星。盡管三星電子的許多部分仍然是運(yùn)轉(zhuǎn)良好的執(zhí)行機(jī)器，例如三星顯示器、NAND、汽車和網(wǎng)絡(luò)，但最重要的業(yè)務(wù)卻陷入了困境。這些文化問(wèn)題最終導(dǎo)致三星失去了在 DRAM 方面的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)，在領(lǐng)先的工藝技術(shù)競(jìng)賽中遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電，失去了最大的代工客戶，并在智能手機(jī) SOC 設(shè)計(jì)方面輸給了高通和聯(lián)發(fā)科。