英特爾搶購(gòu)最新最強(qiáng)光刻機(jī)

　　而伴隨著芯片廠商向3nm制程工藝沖刺，對(duì)光刻機(jī)的要求也越來(lái)越高，需要依賴于阿斯麥新一代的高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī)EXE：5000系列。

　　近期，英特爾宣布已與荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML達(dá)成一筆超兩億美元的合作，英特爾成功從ASML手上購(gòu)得下一代芯片制造系統(tǒng)Twinscan EXE：5200。

　　Twinscan EXE：5200是winscanEXE：5000的升級(jí)版，屬于高NA(數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)，其吞吐量超每小時(shí)220片晶圓(wph)，預(yù)計(jì)將在2024年交付并投入使用。

　　Twinscan EXE：5200相較于其他光刻機(jī)無(wú)論是生產(chǎn)能力(每小時(shí)生產(chǎn)超過(guò)200片晶圓)還是精度(0.55數(shù)值孔徑)都有較大提高，這意味著誰(shuí)擁有了便擁有了3nm，甚至是2nm時(shí)代的芯片霸權(quán)。

　　首個(gè)訂單花落英特爾并不意外。去年7月，在[英特爾加速創(chuàng)新發(fā)布會(huì)]上，英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝，并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

　　此前在7nm領(lǐng)域的爭(zhēng)奪，英特爾就不及臺(tái)積電和三星，略遜一籌。

　　顯而易見，英特爾此次急于出手是為了爭(zhēng)奪最強(qiáng)芯片制造商地位。

　　霸主衰落源自自身模式

　　英特爾衰落在于其堅(jiān)持多年的IDM模式。

　　這種模式優(yōu)勢(shì)是生產(chǎn)能力強(qiáng)，能夠全方位執(zhí)行自身戰(zhàn)略，劣勢(shì)是企業(yè)生產(chǎn)戰(zhàn)線長(zhǎng)，投資成本大。

　　與此同時(shí)，臺(tái)積電開創(chuàng)了晶圓代工模式，All in 半導(dǎo)體三大核心中的制造環(huán)節(jié)，制程工藝開始超越英特爾。

　　眼看臺(tái)積電制程日益先進(jìn)，AMD果斷放棄IDM模式，賣掉自家格芯晶圓廠，投入臺(tái)積電7nm的懷抱。

　　最終，AMD憑借臺(tái)積電先進(jìn)制程和市場(chǎng)性價(jià)比，在2021年的CPU市場(chǎng)回升到四成左右的市場(chǎng)份額。

　　英特爾新CEO基辛格上任，釋放出各種進(jìn)擊信號(hào)的同時(shí)，卻又把前任想摒棄的IDM模式又搬了回來(lái)。

　　英特爾IDM2.0計(jì)劃雖然會(huì)把部分先進(jìn)產(chǎn)能外包給第三方代工廠，但英特爾會(huì)加強(qiáng)技術(shù)和研發(fā)路線，繼續(xù)在內(nèi)部完成大部分產(chǎn)品的生產(chǎn)。

　　這樣英特爾面臨著兩大隱憂：

　?、龠^(guò)去IDM的制程迭代慢的問(wèn)題依然存在，而堅(jiān)持IDM模式的英特爾，在資本和技術(shù)的劣勢(shì)下很難打得動(dòng)臺(tái)積電。

　?、贗DM既做代工，又做產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的模式，讓英特爾在行業(yè)四處為敵，別人很難放心把產(chǎn)品交給它。

　　戰(zhàn)略目標(biāo)一個(gè)字：追!

　　臺(tái)積電制程冠絕全球，離不開它擁有全球數(shù)量最多、最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)。

　　不過(guò)，在追逐臺(tái)積電這件事上最積極和激進(jìn)的，當(dāng)屬昔日霸主英特爾。

　　英特爾宣布將在美國(guó)、歐洲投資超過(guò)1000億美金興建晶圓代工廠，又收購(gòu)以色列高塔半導(dǎo)體。

　　去年3月，英特爾宣布在美國(guó)亞利桑那州投資200億美元，新建兩座晶圓廠，同時(shí)表示將打造英特爾代工服務(wù)。

　　去年9月，帕特·基辛格又表示，在未來(lái)十年時(shí)間里，英特爾可能會(huì)在歐洲投資最多800億歐元以提高其在該地區(qū)的芯片產(chǎn)能。

　　去年12月，英特爾計(jì)劃在全球范圍內(nèi)增加產(chǎn)能，具體舉措將包括在法國(guó)和意大利增設(shè)工廠，以及在德國(guó)建立一個(gè)主要生產(chǎn)基地。

　　英特爾今年資本支出預(yù)期將在180億美元以上，明年資本支出預(yù)計(jì)將提高到250億美元以上，增幅至少在三成以上。

　　今年1月英特爾斥資10億美元在俄亥俄州建造新晶圓代工廠，若設(shè)廠消息最終屬實(shí)，這將是俄州1982年以來(lái)最大規(guī)模的企業(yè)設(shè)廠。

　　為了重奪霸主地位，英特爾不惜開放X86架構(gòu)的授權(quán)。

　　英特爾計(jì)劃利用X86架構(gòu)在CPU領(lǐng)域的地位，爭(zhēng)奪采取ARM架構(gòu)的臺(tái)積電客戶。

　　但想要獲得X86架構(gòu)授權(quán)的企業(yè)，必須選擇找英特爾代工芯片，不得不說(shuō)這一招足夠狠。

　　臺(tái)積電無(wú)法獲得新一代光刻機(jī)的影響

　　越先進(jìn)的制程工藝，對(duì)于EUV光刻機(jī)的技術(shù)的要求越高，而ASML的新一代EUV光刻機(jī)更是生產(chǎn)2nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)芯片的關(guān)鍵設(shè)備。

　　換言之，如果沒(méi)有新款EUV光刻機(jī)設(shè)備，將會(huì)影響臺(tái)積電在先進(jìn)工藝技術(shù)方面的研發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度。

　　并且，目前臺(tái)積電也在不斷擴(kuò)建產(chǎn)能，對(duì)于光刻機(jī)的需求也在不斷攀升。

　　對(duì)于臺(tái)積電而言，不僅要面臨三星的威脅，而且，英特爾的威脅也不容忽視。不難預(yù)見，未來(lái)的芯片市場(chǎng)，臺(tái)積電、三星以及英特爾之間的競(jìng)爭(zhēng)將愈發(fā)激烈。

　　目前臺(tái)積電依然是芯片制造領(lǐng)域無(wú)可替代的存在，就連英特爾也要把自己最先進(jìn)的3nm芯片交給臺(tái)積電代工。

　　但是臺(tái)積電為了業(yè)績(jī)和搶占市場(chǎng)，卻把大量投資開始放到22nm和28nm成熟工藝上，高端上的投入越來(lái)越謹(jǐn)慎。

　　如果照這樣發(fā)展下去，隨著英特爾的崛起，英特爾取代臺(tái)積電成為芯片制造的新霸主，或許只是時(shí)間問(wèn)題。

　　英特爾如果獲得最新ASML頂級(jí)光刻機(jī)，英特爾在晶圓廠制造能力上將有望提升一個(gè)新臺(tái)階，隨著英特爾在工藝制程上不斷提升有望取代臺(tái)積電。

　　結(jié)尾：工藝進(jìn)度+產(chǎn)能落后趕超難度不小

　　英特爾走的是IDM路線，業(yè)務(wù)垂直度不高，恐怕不容易在原本就對(duì)企業(yè)實(shí)力要求極高的高端先進(jìn)芯片制程代工上突飛猛進(jìn)。

　　畢竟半導(dǎo)體垂直分化的趨勢(shì)一直存在，英特爾想要堅(jiān)持IDM模式，就需要將資源和精力分散開來(lái)，且業(yè)務(wù)之間關(guān)聯(lián)甚廣，牽一發(fā)而動(dòng)全身。

　　英特爾的工藝性能需要較長(zhǎng)的客戶驗(yàn)證時(shí)間，即便英特爾在工藝節(jié)點(diǎn)上追平臺(tái)積電，也可能因?yàn)橛唵尾欢鄬?dǎo)致資金鏈承壓。

　　當(dāng)然，英特爾也有一定的勝算，畢竟該公司背靠美國(guó)，而美國(guó)又向重構(gòu)本土芯片制造業(yè)，英特爾或享受到不少紅利。