前言:
過去30年,摩爾定律很好預測了這種計算進步,但由于基礎物理原理限制和經濟的原因,持續(xù)提高集成密度變得越來越困難。
目前的解決方案是通過開發(fā)提供大量存儲空間的片上存儲器技術,并探索利用片上存儲器去構建未來的智能芯片架構。
CMOS技術目前仍未出現(xiàn)替代
近日,詹姆斯瓦特電氣工程領域教授,格拉斯哥器件建模集團的負責人Asen Asenov在Semiwiki上撰文,分析了CMOS技術的發(fā)展趨勢,認為今天仍然沒有真正能取代CMOS的技術出現(xiàn)。
目前全球CMOS芯片有超過80%都是在遠東制造的;西方各國政府需要就CMOS技術的未來做出重要決定。作者認為:
在沒有特定規(guī)劃的情況下,這些包括碳納米管、石墨烯、二維材料、各種量子的集合紛紛出現(xiàn),包括量子計算等。
盡管在相應的研究中存在著極大的智力挑戰(zhàn),但人們逐漸意識到,所有這些都不具備取代CMOS技術的潛力。
最大的半導體廠商在后CMOS技術上的投資僅占其CMOS研發(fā)預算的一小部分。
但目前仍然沒有可能取代CMOS的技術出現(xiàn)。
然而,所有的證據都表明半導體行業(yè)正在走向成熟和整合。
主要障礙在于未來技術日益復雜
多年來,在芯片制造的所有步驟——包括前端生產線(FEOL)、中間生產線(MOL)和后端生產線(BEOL),都引入了新的材料、設備結構、工藝和設備,以確保摩爾定律的連續(xù)性。
對于未來的技術節(jié)點,將需要多個EUV光刻序列來印刷30nm以下的pitches。
在FEOL中,F(xiàn)inFET已經成為7nm技術節(jié)點的主流設備架構,7nm技術節(jié)點是目前芯片生產中使用的最先進節(jié)點。
對于下一個技術節(jié)點,垂直堆疊橫向納米片是未來的發(fā)展方向,其次是Forksheet結構和綜合性互補FET(Complementary FET,CFET)。
對于Complementary FET(CFET)而言,它是在1nm節(jié)點采用的方法。在此,通過在p型FET上堆疊n型FET,即通過三維堆疊具有不同導電類型的晶體管,從而標準單元面積被大大減小。
AI領域存在CMOS工藝和器件瓶頸
目前,人工智能,特別都是機器學習的發(fā)展將需要更有力的、超過每秒百億次運算能力的計算系統(tǒng);
而構建這些系統(tǒng)的基礎是CMOS技術的芯片,而CMOS工藝能不斷提高系統(tǒng)性能主要得益于集成尺寸的縮小。
CMOS技術與新興信息技術的交叉融合,開源軟件到開源硬件的潮流漸顯,預示著將迎來一個前所未有的協(xié)同創(chuàng)新機遇期。
CMOS技術從攝像系統(tǒng)源頭就開始處理數字信號,其穩(wěn)定性更加突出。具體在手術過程中,醫(yī)生需要觀看的手術圖像全程都能保持初始的高清狀態(tài),其舒適度大幅提升。
在低照度的弱光環(huán)境下,新型CMOS技術的高感光度的表現(xiàn)們還是有目共睹的,可以完全滿足內窺鏡在各種復雜腔體內的應用,并獲得清晰的手術影像。
CMOS芯片成為攝像頭模組靈魂
在攝像頭模組中,圖像傳感器是靈魂部件,決定著攝像頭的成像品質以及其他組件的結構和規(guī)格,CMOS芯片和CCD芯片是當前主流的兩種圖像芯片。
根據Frost&Sullivan數據,2016年至2020年,全球CMOS芯片出貨量從41.4億顆快速增長至77.2億顆,期間年復合增長率達到16.9%。
預計2021年至2025年,全球CMOS芯片的出貨量將繼續(xù)保持8.5%的年復合增長率,2025年預計可達116.4億顆。
預計2021年至2025年全球CMOS市場規(guī)模將保持11.9%年復合增長率。根據Frost&Sullivan 數據,全球CMOS芯片銷售額從2016年的94.1億美元快速增長至2020年的179.1億美元。
預計全球CMOS芯片銷售額在2021年至2025年間將保持11.9%的年復合增長率,2025年全球銷售額預計可達330億美元。
車載CMOS芯片大有可為
汽車智能化加速了車載攝像頭的應用,CMOS芯片已經大規(guī)模應用于行車記錄儀、前向ADAS及倒車影像、360°環(huán)視影像、防碰撞系統(tǒng)。
隨著汽車向電動化和智能化方向發(fā)展,更多的新車將標配ADAS(高級自動駕駛輔助系統(tǒng))。
預測2021-2025年全球車載CMOS芯片市場規(guī)模年復合增長率將達21.4%。
根據Frost&Sullivan 數據,2020年,汽車電子領域CMOS芯片的出貨量和銷售額分別為4億顆和20.2 億美元,分別占比5.2%和11.3%;
預計汽車電子CMOS芯片出貨量和銷售額將在2025年達到9.5億顆和53.3 億美元,市場份額占比將分別上升至8.2%和16.1%,預期年復合增長率將達到18.89%和21.42%。
結尾:新技術可能打破現(xiàn)有極限
英國初創(chuàng)公司Search For The Next(SFN)和蘇格蘭芯片制造商Semefab合作開發(fā)了Bizen晶體管架構,可能從另一方向打破CMOS的極限。
提出Bizen晶體管架構最初的目的就是為了創(chuàng)建具有較少掩膜步驟的芯片,使得同一塊芯片上同時具有邏輯和功率晶體管,在這一初衷下創(chuàng)建一個LED驅動器的集成電路。
盡管Bizen存在一些靜態(tài)功耗要求,但可以達到或超過CMOS工藝技術的開關速度和動態(tài)功耗。
目前為止,Bizen晶體管還沒有CMOS靜電放電(ESD)敏感性和閂鎖問題的困擾,Bizen晶體管適用于數字晶體管和功率器件。